2 polegadas Sic Substrato 6H-N Tipo espessura 350um 650um Sic Wafer

O substrato monocristalino de Carbono de Silício (SiC) de tipo 6H n é um material semicondutor essencial amplamente utilizado em aplicações eletrônicas de alta potência, alta frequência e alta temperatura.Famoso pela sua estrutura cristalina hexagonal, 6H-N SiC oferece uma ampla banda e alta condutividade térmica, tornando-o ideal para ambientes exigentes.

O campo elétrico de alta degradação deste material e a mobilidade dos elétrons permitem o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência eficientes, como MOSFETs e IGBTs,que podem funcionar a tensões e temperaturas mais elevadas do que as fabricadas a partir de silício tradicionalA sua excelente condutividade térmica assegura uma efetiva dissipação de calor, essencial para manter o desempenho e a fiabilidade em aplicações de alta potência.

Em aplicações de radiofrequência (RF), as propriedades do 6H-N SiC suportam a criação de dispositivos capazes de operar em frequências mais altas com maior eficiência.Sua estabilidade química e resistência à radiação também a tornam adequada para uso em ambientes adversos, incluindo os sectores aeroespacial e de defesa.

Além disso, os substratos 6H-N SiC são parte integrante dos dispositivos optoeletrônicos, como fotodetectores ultravioleta, onde sua ampla faixa de banda permite uma detecção eficiente da luz UV.A combinação destas propriedades torna o SiC 6H n-tipo um material versátil e indispensável no avanço das tecnologias electrónicas e optoelectrónicas modernas.

Wafer de SiCCaracterísticas:

• Nome do produto:SiCSubstratocomido
• Estrutura hexagonal: Propriedades eletrónicas únicas.
• Alta mobilidade de elétrons: ~ 600 cm2/V·s.
• Estabilidade química: Resistente à corrosão.
• Resistência à radiação: Adequado para ambientes adversos.
• Baixa concentração intrínseca de portadores: Eficiente a altas temperaturas.
• Durabilidade: Propriedades mecânicas fortes.
• Capacidade optoeletrónica: Detecção eficaz da luz UV.

Wafer de SiCParâmetros técnicos:

Wafer de SiCAplicações:

Os substratos de SiC (Carburo de Silício) são usados em várias aplicações de alto desempenho devido às suas propriedades únicas, como alta condutividade térmica, alta resistência ao campo elétrico e ampla distância de banda.Aqui estão algumas aplicações:

• Eletrónica de potência:

  • MOSFETs de alta tensão
  • Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBT)
  • Diodos de Schottky
  • Inversores de potência

• Dispositivos de alta frequência:

  • Amplificadores de RF (Radio Frequency)
  • Transistores de microondas
  • Dispositivos de ondas milimétricas

• Eletrônicos de alta temperatura:

  • Sensores e circuitos para ambientes adversos
  • Eletrónica aeroespacial
  • Eletrónica automotiva (por exemplo, unidades de controlo do motor)

• Optoeletrónica:

  • Outros aparelhos de detecção
  • Diodos emissores de luz (LED)
  • Diodos a laser

• Sistemas de energia renovável:

  • Inversores solares
  • Conversores de turbinas eólicas
  • Motores de veículos elétricos

• Indústria e Defesa:

  • Sistemas de radar
  • Comunicações por satélite
  • Instrumentação do reator nuclear

Wafer de SiCPersonalização:

Podemos personalizar o tamanho do substrato SiC para atender às suas necessidades específicas.

O preço é determinado pelo caso, e os detalhes da embalagem podem ser personalizados de acordo com as suas preferências.

O tempo de entrega é de 2 a 4 semanas. Aceitamos o pagamento via T/T.

Wafer de SiCApoio e Serviços:

O nosso produto de substrato de SiC vem com suporte técnico e serviços abrangentes para garantir um desempenho óptimo e satisfação do cliente.

A nossa equipa de especialistas está disponível para ajudar na selecção, instalação e solução de problemas do produto.

Oferecemos formação e educação sobre o uso e manutenção dos nossos produtos para ajudar os nossos clientes a maximizar o seu investimento.

Além disso, fornecemos atualizações e melhorias contínuas de produtos para garantir que nossos clientes tenham sempre acesso à mais recente tecnologia.

Wafer de SiCPerguntas frequentes:

P: Os substratos de SiC 6H-N de 2 polegadas podem ser usados para todos os tipos de dispositivos semicondutores?

R: Embora os substratos de SiC 6H-N de 2 polegadas sejam versáteis, eles são particularmente adequados para dispositivos de alta potência e alta frequência.

Eles podem não ser ideais para todos os tipos de dispositivos semicondutores, especialmente aqueles que não exigem as propriedades únicas do SiC.

Q: Quais são as dimensões e especificações típicas de um substrato SiC 6H-N de 2 polegadas?

R: As dimensões típicas incluem um diâmetro de 2 polegadas (50,8 mm), espessura de cerca de 300-500 micrômetros e requisitos específicos de qualidade e planitude da superfície.

As especificações exactas podem variar consoante o fabricante e a aplicação pretendida.

P: Como você manipula e armazena substratos de SiC 6H-N de 2 polegadas?

R: Devido à sua fragilidade, os substratos de SiC devem ser manuseados com cuidado usando luvas de sala limpa e ferramentas de manuseio adequadas.

Devem ser armazenados num ambiente controlado para evitar a contaminação e danos.