O carburo de silício (SiC) substrato 6 polegadas 8 polegadas wafer de grau de teste para corte a laser

Carbono de silício (SiC) Substrato 6 polegadas 8 polegadas Corte a laser Para preparação epitaxial

Descrição do produto:

As ofertas abrangentes da Coherent em wafers epitaxial de SiC não só aceleram o desenvolvimento de produtos, mas também reduzem substancialmente os custos de produção e melhoram o desempenho geral dos dispositivos.De diâmetros superiores a 200 mmA flexibilidade na personalização inclui opções tais como camadas de epilhagem grossas,com ou sem camadas tampãoAlém disso, a tecnologia da Coherent permite a integração de estruturas complexas, tais como configurações multicamadas,junções p-nEste nível de personalização garante que os clientes possam ajustar as propriedades do substrato para atender às suas necessidades exatas,Otimizando assim a funcionalidade e a eficiência do dispositivoAlém disso, o compromisso da Coherent em apoiar os clientes desde a fase de investigação até à produção em série demonstra uma sólida abordagem de parceria.Facilitar uma transição mais suave do protótipo para produtos prontos para o mercadoEsta solução holística permite aos fabricantes de semicondutores manterem-se à frente nos mercados competitivos, aproveitando materiais de alto desempenho concebidos para tecnologias futuras.

Características:

Aplicações:

Os substratos de carburo de silício (SiC), particularmente os de diâmetros maiores como 6 polegadas e 8 polegadas, são cada vez mais fundamentais na indústria de semicondutores,especialmente para aplicações que exijam camadas epitaxiaisEstes substratos são conhecidos pelas suas excelentes propriedades materiais, que incluem alta condutividade térmica, excelente isolamento elétrico e resistência mecânica superior.Os substratos de SiC de maior diâmetro facilitam maiores rendimentos na fabricação de dispositivos, tornando-os altamente eficientes para a produção em larga escala.

A preparação epitaxial em SiC envolve o depósito de uma camada cristalina de carburo de silício no substrato de SiC para formar um único cristal estruturalmente e quimicamente consistente.Este processo é crítico para aplicações em electrónica de potência e optoelectrónica, em que o desempenho do dispositivo é significativamente melhorado pela qualidade da camada epitaxial.A utilização da tecnologia de corte a laser na preparação destes substratos garante dimensões precisas e um mínimo de desperdício de material, aumentando a eficiência global do processo de fabrico.

Personalização:

• Marca: ZMSH
• Número do modelo: Substrato SIC
• Local de origem: CHINA
• Quantidade mínima de encomenda: 10pc
• Preço: por caso
• Embalagem: caixa de plástico personalizada
• Tempo de entrega: 2-4 semanas
• Termos de pagamento: T/T
• Capacidade de abastecimento: 1000 pcs/mês
• Roughness da superfície: Ra<0,5 nm
• Conductividade térmica: 4,9 W/mK
• Tipo de substrato: preparação epitaxial
• Disponibilidade de placas de tamanho personalizado: 6 polegadas, 8 polegadas

Embalagem e transporte:

Cada substrato de carburo de silício (SiC) de 6 e 8 polegadas é embalado individualmente com o máximo de cuidado para garantir a máxima proteção.O processo começa com uma limpeza e inspecção minuciosas para garantir que apenas substratos sem defeitos sejam embalados.Cada substrato é então envolto em material antiestático para proteger contra arranhões e danos estáticos.recipiente rígido concebido para minimizar os movimentos e evitar danos físicosEste recipiente é então amortecido com espuma ou borracha dentro de uma caixa secundária, que é fortemente selada e claramente rotulada com informações essenciais de manuseio e conteúdo.Para substratos sensíveis às condições ambientais, são adicionadas medidas como pacotes de gel de sílica para controlar a umidade, garantindo que os substratos de SiC cheguem em condições ideais, prontos para aplicações de alta precisão na fabricação de semicondutores.

O produto de substrato de SiC será enviado através de um serviço de correio de boa reputação.Os clientes serão fornecidos com um número de rastreamento para monitorar o progresso do seu carregamentoOs prazos de entrega variam de acordo com o destino, mas os clientes podem esperar que a sua encomenda chegue dentro de 7-10 dias úteis.