Destacar:
do manequim da categoria carcaça sic
, carcaça de 4 polegadas sic
, Carcaça do nitreto de silicone 4H-N
Material: |
SIC de cristal |
Indústria: |
lente ótica de bolacha de semicondutor |
Aplicação: |
semicondutor, conduzido, dispositivo, eletrônica de poder, 5G |
Cores: |
Verde, Branco |
Tipo: |
4H-N e 4H-Semi, Un-lubrificaram |
Tamanho: |
6inch (2-4inch igualmente disponível) |
Espessura: |
350um ou 500um |
Tolerância: |
±25um |
Grau: |
Produção/pesquisa/manequim zero |
TTV: |
<15um> |
Incline-se.: |
<20um> |
Warp.: |
《30um |
Serviço de Customzied: |
Disponível |
Material: |
Carbono de silício (SiC) |
Matéria-prima: |
China |
4H-N de 4 polegadas de silicone do nitreto sic da carcaça do manequim da categoria carcaça sic para dispositivos de poder superior
4H-N 4H-SEMI 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas SiC Substrato de qualidade de produção
H Substratos de Carbono de Silício de Alta Pureza, Substratos de SiC de alta pureza de 4 polegadas, Substratos de Carbono de Silício de 4 polegadas para semicondutores, Substratos de Carbono de Silício para semicondutores, wafers de cristal único,Ingots de silicone para gemas
Áreas de aplicação
1 dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potência Diodos Schottky, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 Dispositivos optoeletrônicos: utilizados principalmente em materiais de substrato de LEDs GaN/SiC azul (GaN/SiC)
benefício
• Baixo desajuste de rede
• Alta condutividade térmica
• Baixo consumo de energia
• Excelentes características transitórias
• Alta diferença de banda
Carborundo de wafer de substrato de cristal de carburo de silício SiC
Substratos de SiC (Carbido de Silício) 4H-N e 4H-SEMI, disponíveis numa gama de diâmetros, tais como 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadassão amplamente utilizadas para a fabricação de dispositivos de alta potência devido às suas propriedades materiais superioresEstas são as principais propriedades destes substratos de SiC, tornando-os ideais para aplicações de alta potência:
-
Ampla distância de banda: O 4H-SiC tem uma banda larga de cerca de 3,26 eV, o que lhe permite operar de forma eficiente a temperaturas, voltagens e frequências mais elevadas em comparação com materiais semicondutores tradicionais como o silício.
-
Campo elétrico de alta degradação: O campo elétrico de alta quebra do SiC (até 2,8 MV / cm) permite que os dispositivos lidem com voltagens mais altas sem quebra, tornando-o essencial para eletrônicos de potência, como MOSFETs e IGBTs.
-
Excelente condutividade térmica: O SiC tem uma condutividade térmica de cerca de 3,7 W/cm·K, significativamente superior ao silício, permitindo-lhe dissipar o calor de forma mais eficaz.
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Alta velocidade de saturação de elétrons: O SiC oferece uma elevada velocidade de saturação de elétrons, melhorando o desempenho dos dispositivos de alta frequência, que são utilizados em aplicações como sistemas de radar e comunicação 5G.
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Força e dureza mecânicas: A dureza e a robustez dos substratos de SiC garantem durabilidade a longo prazo, mesmo em condições de funcionamento extremas, tornando-os altamente adequados para dispositivos industriais.
-
Baixa densidade de defeitos: Os substratos de SiC de série são caracterizados por baixas densidades de defeito, garantindo um desempenho óptimo do dispositivo, enquanto os substratos de série fictícia podem ter uma maior densidade de defeito,com um diâmetro superior a 50 mm,.
Estas propriedades tornam os substratos SiC 4H-N e 4H-SEMI indispensáveis no desenvolvimento de dispositivos de potência de alto desempenho utilizados em veículos elétricos, sistemas de energia renovável,e aplicações aeroespaciais.
Propriedades dos materiais do carburo de silício
| Imóveis |
4H-SiC, cristal único |
6H-SiC, cristal único |
| Parâmetros da malha |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sequência de empilhamento |
ABCB |
ABCACB |
| Dureza de Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
| Densidade |
30,21 g/cm3 |
30,21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica |
5 × 10 × 6/K |
5 × 10 × 6/K |
| Índice de refração @750nm |
não = 2.61
ne = 2.66
|
não = 2.60
ne = 2.65
|
| Constante dielétrica |
c~9.66 |
c~9.66 |
| Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~ 4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K
|
|
| Condutividade térmica (semisulante) |
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K
|
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K
|
| Fenda de banda |
3.23 eV |
30,02 eV |
| Campo elétrico de ruptura |
3 a 5 × 106 V/cm |
3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidade da deriva de saturação |
2.0×105m/s |
2.0×105m/s |
2. tamanho de substrato padrão para 6 polegadas
| 6 polegadas Diâmetro 4H-N & Semi Silicon Carbide Substrato Especificações |
| Propriedade do substrato |
Grau zero |
Grau de produção |
Grau de investigação |
Grau de simulação |
| Diâmetro |
150 mm-0,05 mm |
| Orientação da superfície |
fora do eixo: 4° para a direcção <11-20> ± 0,5° para 4H-N
No eixo: <0001> ± 0,5° para 4H-SI
|
| Orientação plana primária |
{10-10} ±5,0° para 4H-N/ Notch para 4H-Semi
|
| Duração plana primária |
47.5 mm ± 2,5 mm |
| Espessura 4H-N |
STD 350±25um ou personalizado 500±25um |
| Espessura 4H-SEMI |
DST de 500 ± 25 mm |
| Borda da bolacha |
Chamfer |
| Densidade de microtubos para 4H-N |
< 0,5 micropipes/ cm2 |
≤ 2 micropipes/cm2 |
≤ 10 micropipes/cm2 |
≤ 15 micropipes/cm2
|
| Densidade de microtubos para 4H-SEMI |
< 1 micropipes/cm2 |
≤ 5 micropipes/cm2 |
≤ 10 micropipes/cm2 |
≤ 20 micropipes/cm2 |
| Áreas de politipo por luz de alta intensidade |
Nenhum permitido |
Área ≤ 10% |
| Resistividade para 4H-N |
0.015 Ω·cm~0.028 Ω·cm |
(área 75%) 0,015 Ω·cm~0,028 Ω·cm |
| Resistividade para 4H-SEMI |
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| LTV/TTV/BOW/WARP |
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≤5Métodos de ensaio para a determinação da concentração de CO260μm
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Placas hexadecimais por luz de alta intensidade
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SSuperfície iliconContaminação por luz de alta intensidade
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Inclusões de carbono visuais
|
Área acumulada ≤ 0,05% |
|
Áreas de politipo por luz de alta intensidade
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NÃO |
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Amostra de entrega
Outros serviços que podemos prestar
1.De espessura personalizada cortada por fio 2.Ferramentas de chip de tamanho personalizado 3.Lentes de forma cuotomizada
Outros produtos similares que podemos fornecer
Perguntas frequentes:
P: Qual é o caminhode transporte e custo e prazo de pagamento?
A: ((1) Aceitamos 50% T/T antecipadamente e 50% antes da entrega por DHL, Fedex, EMS etc.
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