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Lugar de origem | China |
Marca | zmsh |
Número do modelo | 10x10mm |
10x10mm 5x5mm personalizou sic carcaças quadradas, 1inch sic bolachas, microplaquetas sic de cristal, sic carcaças do semicondutor, 6H-N SIC bolacha, bolacha do carboneto de silicone da pureza alta
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nós oferecemos materiais do semicondutor, especialmente para sic a bolacha, sic o substate do polytype 4H e o 6H em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós temos um bom relacionamento com a fábrica do crescimento sic de cristal e, nós possuímos igualmente temos sic a tecnologia de processamento da bolacha, estabelecida uma linha de produção à carcaça do fabricante sic e sic bolacha. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente sic a qualidade da bolacha, atualmente substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Áreas de aplicação
1 diodo de Schottky dos dispositivos eletrónicos da alta frequência e do poder superior, JFET, BJT, PiN,
diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)
Advantagement
• Baixa má combinação da estrutura• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta
tamanho 2inch comum para sic carcaças
especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro 2inch (sic) | ||||||||||
Categoria | Categoria zero de MPD | Categoria da produção | Categoria da pesquisa | Categoria do manequim | ||||||
Diâmetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
Espessura | 330 μm±25μm ou 430±25um ou 1000um±25um | |||||||||
Orientação da bolacha | Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
Densidade de Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
Plano preliminar | {10-10} ±5.0° | |||||||||
Comprimento liso preliminar | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
Comprimento liso secundário | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
Orientação lisa secundária | Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal | |||||||||
Exclusão da borda | 1 milímetro | |||||||||
TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
Aspereza | Ra≤1 polonês nanômetro | |||||||||
CMP Ra≤0.5 nanômetro | ||||||||||
Quebras pela luz da alta intensidade | Nenhum | 1 reservado, ≤2 milímetro | ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm | |||||||
Encantar placas pela luz da alta intensidade | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤1% | Área cumulativa ≤3% | |||||||
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade | Nenhum | Área cumulativa ≤2% | Área cumulativa ≤5% | |||||||
Riscos pela luz da alta intensidade | 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer | |||||||
microplaqueta da borda | Nenhum | 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um | 5 reservados, ≤1 milímetro cada um | |||||||
tamanho de imagem: 10x10x0.5mmt,
tolerância: ±0.03mm
largura da profundidade x do fósforo: 0.4mmx0.5mm
TIPO: 4H-semi
superfície: lustrado (ssp ou dsp)
Ra: 0.5nm
1. Q: Que é seu pacote? São seguros?
A: nós fornecemos a caixa automática do filme da adsorção como o pacote.
2.Q: Que é seu termo do pagamento?
A: Nosso termo do pagamento é T/T 50% adiantado, 50% antes da entrega.
3.Q: Como posso eu obter algumas amostras?
A: Becauce personalizou produtos da forma, nós espera que você pode pedir o lote mínimo como a amostra.
4.Q: Quanto tempo tempo nós podemos obter as amostras?
A: Nós enviamos as amostras em 10 - 25 dias depois que você confirma.
5.Q: Como sua fábrica faz em relação à qualidade controla?
A: A qualidade é primeiramente nossa divisa, grande importancia do anexo dos trabalhadores sempre à qualidade que controla de
o começo mesmo ao vertebrado.
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