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Substrato de Carbeto de Silício 4H para Eletrônica de Potência, Dispositivos RF e Optoeletrônica UV

Sic carcaça
2025-11-20
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4H Silicon Carbide Substrate para Eletrônica de Potência, Dispositivos de RF e Optoeletrônica UV Visão geral do produto O...Substrato 4H-SiCé um material de carburo de silício de cristal único de alta ... Vista mais
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