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Wafer de arsenieto de gálio dopado com Zn (GaAs) de 2 polegadas para aplicações de LED e diodo laser

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December 29, 2025
Conexão de Categoria: Bolacha do GaAs
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Etiquetas:
#bolacha do arsenieto do índio #bolacha do gaas #carcaça laalo3
Resumo: Quer saber como esse material semicondutor de alto desempenho se compara a outras opções? Neste vídeo, fornecemos um passo a passo detalhado do wafer de arsenieto de gálio (GaAs) dopado com Zn de 2 polegadas, apresentando suas principais características e processo de fabricação. Você verá como seu método de crescimento de cristal VGF e dopagem com zinco fornecem propriedades estáveis ​​do tipo p, tornando-o ideal para fabricação de LED, diodo laser e dispositivos optoeletrônicos. Também demonstraremos as superfícies polidas do wafer, as opções de orientação e os controles de qualidade que garantem um desempenho confiável em ambientes de pesquisa e produção.
Características do produto relacionadas:
  • Fabricado usando o método de crescimento de cristal Vertical Gradient Freeze (VGF) para estrutura cristalina de alta qualidade.
  • A dopagem com zinco fornece características elétricas do tipo p estáveis ​​e uniformes para desempenho confiável do dispositivo.
  • Possui orientação de cristal (100) com opções de desorientação de 2°, 6° ou 15° (110).
  • Oferece concentração controlada de transportadores variando de (0,3 - 1,0) × 10¹⁸ cm⁻³ para propriedades elétricas consistentes.
  • Fornece baixa densidade de corrosão de ≤ 5.000 cm⁻² e alta mobilidade Hall de 1.500 - 3.000 cm²/V*s.
  • Inclui acabamentos de superfície polida (P/P ou P/E) com controle rigoroso de planicidade, curvatura e empenamento para processamento avançado.
  • Suporta planos de orientação opcionais, configurações de entalhe e marcação a laser na parte traseira para identificação flexível.
  • Adequado para uso direto em processos de crescimento epitaxial MBE ou MOCVD com baixa contaminação de partículas.
FAQ:
  • Este wafer GaAs é adequado para fabricação de LED e diodo laser?
    Sim. As características elétricas do tipo p dopadas com Zn, combinadas com orientação (100) e concentração controlada de portadores, suportam emissão de luz estável e desempenho consistente do dispositivo na fabricação de LED e diodo laser.
  • Este wafer pode ser usado diretamente para crescimento epitaxial?
    Sim. O wafer é fornecido com superfícies polidas, baixa contaminação de partículas e rigoroso controle de planicidade, permitindo uso direto em processos de crescimento epitaxial MBE ou MOCVD.
  • As especificações do wafer podem ser personalizadas para diferentes requisitos de processo?
    Sim. Opções como planos de orientação, configuração de entalhe, marcação a laser na parte traseira, acabamento superficial e parâmetros elétricos selecionados podem ser ajustados mediante solicitação para atender às necessidades específicas de equipamentos e processos.
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