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Substrato de Carbeto de Silício 4H para Eletrônica de Potência, Dispositivos RF e Optoeletrônica UV

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November 20, 2025
Conexão de Categoria: Sic carcaça
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Etiquetas:
#sic bolacha #sic carcaça #carcaça do carboneto de silicone
Resumo: Neste vídeo, exploramos o substrato de carbeto de silício 4H, mostrando sua estrutura de cristal único de alta pureza e densidade de defeitos ultrabaixa. Assista enquanto destacamos suas aplicações em eletrônica de potência, dispositivos de RF e optoeletrônica UV, juntamente com seu polimento CMP de precisão e desempenho térmico.
Características do produto relacionadas:
  • Material monocristalino 4H-SiC de alta pureza com densidade de defeitos ultrabaixa.
  • Polimento CMP de precisão para superfícies prontas para epitaxia com Ra ≤ 0,5 nm.
  • Excelente condutividade térmica (490 W/m*K) e capacidade para altas temperaturas (até 600 °C).
  • Propriedades elétricas estáveis com resistividade de 0,01-0,1 Ω*cm.
  • Alta resistência mecânica com dureza Vickers de 28-32 GPa.
  • Ideal para eletrônica de potência, dispositivos de RF e optoeletrônica UV.
  • Disponível em tamanhos, espessuras e níveis de dopagem personalizáveis.
  • Adequado para P&D, prototipagem e produção em pequena escala.
FAQ:
  • Qual é a principal vantagem do 4H-SiC em comparação com o 6H-SiC?
    O 4H-SiC oferece maior mobilidade de elétrons, menor resistência em condução e desempenho superior em dispositivos de alta potência e alta frequência, tornando-o o material preferido para MOSFETs e diodos.
  • Você fornece substratos de SiC condutores ou semi-isolantes?
    Sim, oferecemos 4H-SiC condutivo do tipo N para eletrônica de potência e 4H-SiC semi-isolante para aplicações de RF, micro-ondas e detectores UV, com níveis de dopagem personalizáveis.
  • O substrato pode ser usado diretamente para epitaxia?
    Sim, nossos substratos 4H-SiC prontos para epi apresentam superfícies de face Si polidas por CMP com baixa densidade de defeitos, adequadas para o crescimento epitaxial MOCVD, CVD e HVPE de camadas de GaN, AlN e SiC.
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