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Máquina de sistema de separação a laser de substrato de SiC

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July 14, 2025
Palavra-chave: Equipamento do semicondutor
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Etiquetas:
#Forno de crescimento de lingotes de SiC de 4 polegadas #Forno de crescimento de lingotes de SiC de 8 polegadas #Forno de crescimento de lingotes de SiC de 6 polegadas
Descrição do vídeo:
Descubra a avançada Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 a 12 polegadas, projetada para processamento de precisão na fabricação de semicondutores, eletrônicos flexíveis e muito mais. Este sistema oferece processamento sem contato, controle de alta resolução e compatibilidade com múltiplos materiais, tornando-o ideal para transferência em massa de MicroLEDs e embalagem em nível de wafer.
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