Este equipamento permite o desbaste de precisão de materiais semicondutores frágeis de 4"-12", incluindo silício (Si), carbeto de silício (SiC), arsenieto de gálio (GaAs) e substratos de safira, alcançando uma precisão de controle de espessura de ±1 μm e variação total de espessura (TTV) ≤2 μm para atender aos requisitos rigorosos de embalagens avançadas e fabricação de dispositivos de potência.
Resumo: Descubra o Sistema de Afinação de Wafer Equipamento de Afinação de Precisão, compatível com 4-12 polegadas de SiC, Si, GaAs e wafers de safira.Obter um controlo de espessura de ±1 μm e um TTV de ≤2 μm para a fabricação de embalagens avançadas e dispositivos de potênciaOtimizado para semicondutores de banda larga como o SiC.
Características do produto relacionadas:
Desbaste de precisão para materiais semicondutores frágeis de 4 a 12 polegadas, incluindo Si, SiC, GaAs e safira.
Consegue precisão de controle de espessura de ±1 μm e TTV ≤2 μm.
Parâmetros de moagem e processos de polimento otimizados para diversas propriedades dos materiais.
Monitoramento integrado e automatizado da espessura em tempo real para desempenho estável.
Soluções personalizáveis de ventosas a vácuo para produtos irregulares.
Moagem de fuso In-Feed de alta precisão com precisão de usinagem superior.
Operação intuitiva com HMI ergonômico e controle preciso do eixo Z.
Suporta os modos de funcionamento automático e semi-automático com medição de espessura em tempo real.
FAQ:
O equipamento de afinação de wafers suporta a personalização?
Sim, fornecemos soluções totalmente personalizadas, incluindo chucks especializados para wafers irregulares e desenvolvimento de receitas de processo personalizado.
Que precisão de controle de espessura podem alcançar as máquinas de afinação de wafer?
Modelos premium alcançam uniformidade de espessura de ±0,5μm com TTV≤1μm (sistema de monitoramento de espessura por interferometria a laser).
Quais materiais são compatíveis com o sistema de diluir wafer?
O sistema é compatível com materiais de semicondutores frágeis de 4-12 polegadas, incluindo silício (Si), carburo de silício (SiC), arsenieto de gálio (GaAs) e substratos de safira.