| Nome da marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo de entrega: | 2-4 SEMANAS |
| Condições de pagamento: | T/T |
O Substrato de Safira Quadrado Ultra-Grande de 310 × 310 × 1 mm representa o limite superior do crescimento atual de cristais de safira sintética e da tecnologia de usinagem de precisão em grandes áreas. Fabricado a partir de óxido de alumínio (Al₂O₃) monocristalino de alta pureza de 99,99%, esta placa de safira oferece planicidade excepcional, estabilidade térmica, resistência química e resistência mecânica em uma área de superfície expansiva.
Ao contrário das pastilhas de safira redondas padrão projetadas para produção direta de semicondutores, este produto é projetado principalmente como um substrato de suporte, placa de base ou painel de safira de grande área. É amplamente utilizado em processamento epitaxial GaN, ambientes de semicondutores de alta temperatura, sistemas ópticos avançados e aplicações aeroespaciais onde a estabilidade dimensional e a durabilidade são críticas.
Placas de suporte para pastilhas de semicondutores
Epitaxia GaN-on-Sapphire (MOCVD)
Manuseio de processos de alta temperatura
Janelas ópticas e visores de grande área
Janelas de observação aeroespaciais e a vácuo
Placas de base para sistemas a laser
Substratos de colagem de precisão
Plataformas de safira industriais e de pesquisa personalizadas
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Material | Safira Monocristalina (Al₂O₃) |
| Pureza | ≥ 99,99% |
| Formato | Quadrado |
| Dimensões | 310 × 310 mm |
| Espessura | 1,0 mm |
| Tolerância de Espessura | ± 0,02 mm |
| Variação Total de Espessura (TTV) | < 10 μm |
| Orientação do Cristal | Plano C (0001)(outros sob consulta) |
| Acabamento da Superfície | Polido Dupla Face (DSP) |
| Rugosidade da Superfície | Ra< 0,2 nm |
| Planicidade | λ/10 @ 633 nm |
| Condição da Borda | Cantos Chanfrados ou Arredondados |
| Qualidade Óptica | Grau Óptico |
| Dureza | Mohs 9 |
| Densidade | 3,98 g/cm³ |
| Condutividade Térmica | ~35 W/m·K @ 25 °C |
| Temperatura Máxima de Operação | > 1600 °C |
| Resistência Química | Excelente (resistente a ácidos e álcalis) |
Mantém excelente planicidade e uniformidade de espessura na escala de 310 mm, permitindo desempenho confiável em aplicações de grande área.
Com uma dureza Mohs de 9, a superfície de safira resiste a arranhões e desgaste durante o manuseio e processamento de alta carga.
Projetado para suportar ciclos repetidos de alta temperatura comumente encontrados em MOCVD e outros processos de crescimento epitaxial.
O polimento dupla face atinge rugosidade superficial sub-nanométrica, tornando a placa ideal para janelas ópticas e aplicações de colagem de alta resistência.
Oferece durabilidade significativamente maior do que quartzo fundido ou vidro em ambientes de processo corrosivos e agressivos.
Crescimento de boule de safira em larga escala
Corte de precisão e processamento de alívio de tensão
Polimento dupla face (DSP)
Inspeção de planicidade interferométrica de superfície total
Inspeção visual e dimensional de 100% antes do envio
P1: Este produto é uma pastilha de safira padrão?
Não. Este produto é classificado como um substrato de safira ultra-grande ou placa de suporte, não uma pastilha de semicondutor padrão. Ele é projetado para aplicações de suporte, ópticas ou estruturais.
P2: Você pode fabricar tamanhos maiores que 310 mm?
Nossa capacidade atual para substratos de safira quadrados varia de 250 mm a 310 mm por lado, dependendo da orientação e espessura.
P3: É adequado para crescimento epitaxial GaN?
Sim. Este substrato de safira é amplamente utilizado como placa de suporte para processos epitaxiais GaN-on-Sapphire, especialmente em sistemas MOCVD de alto rendimento.
P4: Como a planicidade é garantida em uma superfície tão grande?
Usamos equipamentos de polimento dupla face de grande formato e verificamos cada placa com interferometria a laser para garantir a planicidade de λ/10 a 633 nm.
P5: Como o substrato é embalado para envio?
Cada placa é embalada em uma embalagem a vácuo personalizada, absorvente de choque e de alta limpeza, projetada para evitar danos durante o transporte internacional.