Máquina de Colagem por Pulverização Totalmente Automática SiC para Aplicações de Bolacha e Placa de Grafite de Alta Precisão

Máquina de ligação por pulverização totalmente automática de SiC para aplicações de wafer e placa de grafite de alta precisão

Visão geral do produto

A máquina de ligação por pulverização totalmente automática SiC é um sistema integrado que combina revestimento por pulverização ultrasônica e ligação automática para wafers, sementes de SiC, papel de grafite e placas de grafite.

Usando um manipulador e um calibrador, o sistema consegue deposição de adesivos precisos, alinhamento central, ligação de wafer, leitura de ID e detecção de bolhas.Os materiais ligados são então processados no forno de sinterização de SiC, obtendo sinterização e carbonização uniformes e sem bolhas.

Otimizado para a tecnologia de ligação de sementes de SiC, este sistema garante uma adesão de alta resistência e confiável, tornando-o ideal para ambientes de alta temperatura, alta resistência e corrosão.

Tecnologia básica: ligação de sementes de SiC

1. Princípio:

   • As partículas de sementes de SiC são gradualmente depositadas no agente de ligação a alta temperatura.

   • O adesivo reage com as superfícies de SiC sob temperatura e pressão controladas, formando umaligação química e mecânica estável.

   • A pulverização por ultra-som garante um fluxo uniforme e uma distribuição uniforme da pressão.

   • O resfriamento e o aquecimento controlados completam a ligação, produzindo interfaces de alta resistência e estáveis SiC-SiC ou SiC-substrato.

2. Vantagens:

   • Força de ligação elevada:Forte adesão em múltiplas camadas e interfaces.

   • Compatibilidade do material:Excelente compatibilidade química e estrutural com SiC.

   • Adesivo de baixo resíduo:Agente de ligação residual mínimo, garantindo estabilidade a longo prazo.

   • Alta eficiência de produção:Suporta processamento de SiC de grande porte, alta precisão e rapidez.

3. Optimização de processos:

   • Espessura ajustável do adesivo para corresponder às características do material.

   • Temperatura de ligação controlada e tempo de reação para propriedades químicas e físicas estáveis.

   • Validação regular dos processos e verificações de qualidade para obter resultados consistentes.

Características do sistema

• Configuração modular:Configuração flexível para wafers individuais ou múltiplos.

• Ciclo de processo automatizado:Reduz a operação manual, garantindo a repetibilidade e o elevado rendimento.

• Suporte de Wafer de 12 polegadas:Compatível com wafers menores.

• Alto paralelismo de wafer:Assegura ligação uniforme e distribuição de tensão.

• Produção em volume baixo/médio:Adequado para P&D, piloto ou produção em lotes pequenos ou médios.

• Características de segurança normalizadas na indústria

• Automatização multifunção:Recolha de dados, personalização do fluxo de trabalho e modos automatizados.

• Interface de tela sensível ao toque

Principais vantagens

• Alta precisão:Manter especificações estritas de diâmetro e espessura para as wafers ligadas.

• Alta fiabilidade:Os componentes críticos são fornecidos por fabricantes de classe mundial.

• Alta velocidade:Processamento rápido de grandes quantidades de wafers.

• Alta automação:Minimiza a operação manual e aumenta o rendimento.

• Ligação sem bolhas:A ligação integrada assistida por vácuo e a detecção de bolhas garantem resultados sem defeitos.

• Eficiência de pulverização por ultra-som:As gotículas de baixa velocidade reduzem a sobreespraiagem e melhoram a utilização do material (mais de 4 vezes superior à pulverização convencional de dois fluidos).

Especificações técnicas

Aplicações típicas

• Semicondutores e crescimento de cristais de SiC:Ligação de sementes, preparação de wafers

• Ambientes de alta temperatura e corrosão:Componentes mecânicos de alta resistência

• Substratos flexíveis ou compostos:Papel de grafite, placas de grafite

• Investigação e produção piloto:P&D, ligação em escala piloto de SiC, revestimentos de película fina

Perguntas frequentes

Q1: Que materiais pode a máquina de ligação por pulverização de SiC lidar?
A1:Wafers, sementes de SiC, papel de grafite e placas de grafite, incluindo substratos rígidos e flexíveis, compatíveis com adesivos contendo partículas sólidas.

Q2: Qual a precisão do revestimento adesivo?
A2:A pulverização ultra-sônica garanteespessura de revestimento altamente uniforme e controlada, evitando acumulações locais ou manchas finas.

P3: Como é que o sistema garante a ligação sem bolhas?
A3:Integraçãoligação assistida por vácuo, alinhamento central e detecção de bolhas, combinado com o processamento no forno de sinterização,ligação uniforme sem bolhas.

Q4: Qual é o tamanho máximo de wafer suportado?
A4:Até15 cm., retrocompatível com wafers menores.

Q5: O sistema pode ser utilizado para produção em escala piloto e de volume médio?
A5:Sim, controlo programável no eixo XYZ e ligação multi-wafer permitem P&D, piloto ou produção em lotes pequenos a médios.