Si (100) tipo N dopado com P de 4 polegadas com filme fino de 100 nm de Ti + 200 nm de Cu em wafer de silício com Ti/Cu

Visão Geral do Produto

Este wafer de silício tipo N dopado com P de 4 polegadas (100 mm) com <100> orientação cristalina é revestido com uma camada de adesão de Titânio (Ti) de 100 nm e uma camada condutora de Cobre (Cu) de 200 nm.

A camada de Ti serve como um forte tampão de adesão e barreira de difusão, melhorando a fixação do filme de Cu e a estabilidade térmica. A camada de Cu fornece alta condutividade elétrica, tornando este wafer adequado para microeletrônica, dispositivos MEMS, sensores e aplicações de pesquisa.

O wafer é polido em uma face (SSP) e fornecido em embalagem de sala limpa para garantir o manuseio livre de contaminação para aplicações de precisão.

A estrutura de filme fino é otimizada para obter espessura uniforme, desempenho elétrico consistente e adesão confiável. O wafer é ideal para aplicações que exigem uma interface Cu/Ti de alta qualidade em substratos de silício.

Especificações

Aplicações

• Camadas de interconexão de semicondutores

• Microestruturas e eletrodos MEMS

• Dispositivos sensores e almofadas de contato

• Pesquisa e desenvolvimento em eletrônica de filme fino

• Wafers de teste de alta condutividade para microfabricação

Principais Características

• A camada de adesão de Ti garante forte ligação Cu-Si

• A camada de Cu de 200 nm fornece um caminho condutivo de baixa resistência

• A camada de Ti atua como uma barreira de difusão para melhorar a estabilidade térmica

• A deposição PVD garante espessura e qualidade da superfície consistentes

• A embalagem de sala limpa mantém a limpeza e integridade do wafer

Notas de Uso e Armazenamento

• Manuseie em sala limpa ou ambiente com baixa poeira

• Para processamento em alta temperatura, otimize as condições para evitar a interdifusão Cu/Si

• Armazene em um ambiente seco e de baixa tensão para manter a integridade do filme fino

• Evite contato direto com a superfície revestida

FAQ

1. Qual é a uniformidade dos filmes finos de Cu/Ti no wafer?
A camada de adesão de Ti e a camada condutora de Cu são depositadas usando técnicas PVD de alto vácuo, garantindo espessura uniforme em todo o wafer de 4 polegadas. A espessura do filme de Cu é de 200 nm e a camada de Ti é de 100 nm, com variação mínima adequada para microeletrônica e aplicações de pesquisa.

2. Este wafer pode ser usado em processos de alta temperatura?
Sim, mas precauções são recomendadas. A camada de Ti atua como uma barreira de difusão para evitar que o Cu se difunda no substrato de silício. Recomenda-se otimizar a temperatura e as condições de processamento para manter a integridade e uniformidade do filme.

3. Como o wafer deve ser armazenado e manuseado?
O wafer deve ser manuseado em uma sala limpa ou ambiente com baixa poeira para evitar contaminação. Armazene em um ambiente seco e de baixa tensão. Evite tocar diretamente na superfície revestida. Cada wafer é fornecido em um saco plástico classe 100 dentro de uma embalagem de sala limpa classe 1000.

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