Chipe SiC para eletrônicos avançados

Resumo do produto:

O substrato rectangular de carburo de silício (SiC) é um material semicondutor de cristal único avançado projetado para atender aos requisitos rigorosos da eletrônica de potência moderna, dispositivos optoeletrônicos,e aplicações de alta frequênciaO SiC é reconhecido pela sua excelente condutividade térmica, largura de banda eletrónica e resistência mecânica excepcional, o que o torna ideal para utilização em ambientes extremos,tais como altas temperaturasEste substrato SiC é comumente usado em laboratórios de P&D, desenvolvimento de protótipos e fabricação de dispositivos especializados.

Processo de fabrico de chips de substrato de carburo de silício (SiC)

A produção de substratos de carburo de silício (SiC) envolve técnicas avançadas de crescimento de cristais, como o transporte físico de vapor (PVT) ou a sublimação.

• Preparação da matéria-prima:O pó de SiC ultra-puro é colocado num cadinho de grafite de alta densidade para sublimação.

• Crescimento Cristalino:A temperaturas superiores a 2.000 °C, o material SiC sublima e recondensa num cristal de semente para formar uma grande bola de SiC de um único cristal.

• Criação de barras:As serras de fio de diamante são usadas para cortar a bola em wafers ou chips finos em formas retangulares.

• Limpeza e moagem:A planarização da superfície garante uma espessura uniforme e elimina as marcas de corte.

• Poluição química mecânica (CMP):O substrato é polido até obter um acabamento espelho liso, adequado para deposição de camada epitaxial.

• Doping opcional:A dopagem do tipo N ou do tipo P está disponível para ajustar as propriedades elétricas de acordo com as necessidades da aplicação.

• Garantia da qualidade:Testes rigorosos de planura, densidade de defeito e espessura garantem a conformidade com os padrões de semicondutores.

Propriedades materiais do carburo de silício (SiC)

O SiC está disponível principalmente em estruturas cristalinas 4H-SiC e 6H-SiC, cada uma otimizada para aplicações específicas:

• 4H-SiC:Fornece maior mobilidade de elétrons e é ideal para eletrônicos de potência de alta tensão, como MOSFETs e diodos Schottky.

• 6H-SiC:Ideal para aplicações de RF e microondas, oferecendo menor perda de energia em operações de alta frequência.

As principais vantagens dos substratos de SiC incluem:

• Ampla banda:Aproximadamente 3,2 ∼ 3,3 eV, oferecendo alta tensão de ruptura e eficiência em dispositivos de potência.

• Conductividade térmica:3.0 ¥4.9 W/cm·K, assegurando uma excelente dissipação de calor em aplicações de energia.

• Resistência mecânica:Dureza de Mohs de ~9.2, tornando o SiC altamente resistente ao desgaste.

Aplicações de chips de substrato retangular de carburo de silício (SiC)

• Eletrónica de Potência:Ideal para MOSFETs, IGBTs e diodos Schottky usados em powertrains de veículos elétricos, sistemas de armazenamento de energia e conversão de energia.

• Dispositivos de alta frequência e RF:Perfeito para sistemas de radar, comunicações por satélite e estações base 5G.

• Optoeletrónica:Adequado para LEDs UV, diodos laser e fotodetectores devido à excelente transparência UV.

• Aeronáutica e Defesa:Permite a operação em ambientes propensos à radiação e a altas temperaturas.

• Investigação académica e industrial:Excelente para o desenvolvimento de novos materiais, protótipos e dispositivos.

Especificações técnicas:

Opções de personalização:

• Dimensões personalizadas:Disponível em uma variedade de tamanhos e formas, incluindo formatos retangulares personalizados.

• Perfis de doping:Dopagem de tipo N ou P disponível para desempenho elétrico personalizado.

• Tratamentos de superfície:Poluição de um ou dois lados, bem como camadas epitaxiais personalizadas.

Embalagem e entrega:

• Embalagem:Soluções de embalagem personalizadas para garantir a entrega segura.

• Prazo de entrega:Normalmente dentro de 30 dias após a confirmação do pedido.

Frequentes ️ Chips de substrato rectangular de carburo de silício (SiC)

• P1: Por que escolher substratos de SiC em vez de silício tradicional?
  O SiC oferece desempenho térmico superior, maior resistência à quebra e perdas de comutação significativamente menores em comparação com o silício, tornando-o ideal para aplicações de alta eficiência e alta potência.

• P2: Estes substratos podem ser dotados de camadas epitaxiais?
  Sim, oferecemos opções de epitaxia preparadas e personalizadas para aplicações de alta potência, RF ou dispositivos optoeletrônicos.

• P3: Pode personalizar as dimensões e doping?
  Tamanhos personalizados, perfis de dopagem e tratamentos de superfície estão disponíveis para atender às necessidades específicas da aplicação.

• P4: Como funcionam os substratos de SiC em condições extremas?
  Os substratos de SiC mantêm a integridade estrutural e a estabilidade elétrica a temperaturas superiores a 600°C, tornando-os adequados para ambientes adversos como aeronáutica, defesa,e aplicações industriais de alta potência.

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