Substrato de safira de plano C de 2 polegadas para desenvolvimento de processos e calibração de equipamentos

Visão geral do produto

Este substrato de safira de plano C de 2 polegadas é fabricado a partir de óxido de alumínio de cristal único de alta pureza (Al2O3) usando técnicas avançadas de crescimento de cristais e de corte de precisão.Com uma superfície polida de uma só face (SSP), espessura estável e baixo controle de arco, este substrato é ideal para calibragem de equipamentos, ensaios de deposição de filme fino e P&D de semicondutores ou fotônicos não críticos.
Cada wafer é submetido a uma inspecção visual e dimensional rigorosa, e todas as remessas incluem a rastreabilidade completa dos lotes.

Características fundamentais

• Safiros de alta pureza (Al2O3):Excelente resistência mecânica, estabilidade térmica e resistência química.

• C-Plane (0001) Orientação:Orientação padrão para GaN, revestimentos ópticos e aplicações a laser.

• Superfície do SSP:O lado da frente polido garante a deposição uniforme; o lado traseiro é polido para um manuseio estável do dispositivo.

• Arco baixo < 10 μm:Mantém a planície para um processamento confiável.

• Grau de simulação:Eficiente em termos de custos para experimentos de processo e ajuste de equipamento.

• Controlo de qualidade rigoroso:O número de lote e o número de lote permitem a total rastreabilidade.

Especificações técnicas

Aplicações

Este substrato de safira de qualidade fictícia é adequado para:

• Ensaios de deposição (ALD / PVD / CVD / MOCVD)

• Calibração do equipamento e ajuste dos parâmetros

• Uniformidade do revestimento e avaliação do processo

• Investigação e desenvolvimento em filmes finos e experiências de fotónica não crítica

• Formação universitária e ensino em laboratório

• Ensaios ópticos e configurações de demonstração funcional

Embalagem e garantia de qualidade

• Classe 100 Inspecção e manipulação de salas limpas

• 25 peças por cassete de wafer com separadores de proteção

• Embalagens antiestáticas, fechadas a vácuo, para evitar a contaminação

• Incluídos os rótulos dos lotes e dos lotes para garantir a total rastreabilidade

• Verificação dos defeitos visuais antes da expedição

Perguntas frequentes

1Qual é a principal diferença entre substratos de safira de qualidade fictícia e de qualidade superior?

Os substratos de qualidade fictícia têm dimensões mecânicas corretas, mas podem não satisfazer os padrões ópticos, de defeito de superfície ou de epi-ready exigidos para o crescimento de GaN ou a fabricação do dispositivo.São ideais para testes e calibragem de processos.

2Posso usar este substrato para crescimento epitaxial?

Para verificação geral do processo, sim.
No entanto, paraFabricação de GaN de alta qualidade ou de dispositivos epitaxiais, recomendamos mudar parasafira DSP de qualidade superior ou preparada para epipara melhor planosidade, TTV e controle de defeitos de superfície.

3Oferecem orientação, espessura ou polir personalizados?

- Sim, apoiamos personalização.

• Espessura (200 ‰ 1500 μm)

• SSP / DSP

• Plano C, plano A, plano R, plano M

• Marcação a laser, planos de orientação, chamfering personalizado
  Contacte-nos com as suas especificações.

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