| Nome da marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Condições de pagamento: | T/T |
Substrato de safira SSP de 4 polegadas para aplicações LED e ópticas
Resumo
Os nossos substratos de safira SSP (Single Side Polished) de plano C de 4 polegadas são wafers monocristalinos Al2O3 de alta pureza projetados para aplicações avançadas de semicondutores, optoeletrônicos e ópticos.Com resistência mecânica excepcional, estabilidade térmica e transparência óptica, estas placas são ideais para o crescimento epitaxial de GaN, AlN e outros compostos III-V ou II-VI utilizados em LEDs, diodos laser,e componentes ópticos de alta precisão.
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Características fundamentais
Safira de cristal único de alta pureza (Al2O3)
Orientação do plano C (0001) com tolerância de ±0,3°
Superfície polida de lado único (SSP), frontal Ra < 0,2 nm
Excelente aplanamento e arco baixo (< 15 μm)
Alta estabilidade térmica e química para ambientes adversos
Eixo, diâmetro e espessura personalizáveis disponíveis
Especificações
| Parâmetro | Especificações |
|---|---|
| Diâmetro | 100 mm ± 0,3 mm (4 polegadas) |
| Orientação | Plano C (0001), ±0,3° |
| Espessura | 650 μm ± 15 μm |
| Incline-se. | < 15 μm |
| Superfície frontal | Polido de lado único (Ra < 0,2 nm) |
| Superfície traseira | Moagem fina (Ra 0,8 ∼1,2 μm) |
| TTV (variação da espessura total) | ≤ 20 μm |
| LTV (Variação de espessura local) | ≤ 20 μm |
| Warp. | ≤ 20 μm |
| Materiais | > 99,99% de Al2O3 de alta pureza |
Propriedades mecânicas e térmicas
Dureza de Mohs: 9 (segundo apenas ao diamante)
Conductividade térmica: 25 W/m·K
Ponto de fusão: 2045°C
Baixa expansão térmica garante estabilidade dimensional
Propriedades ópticas e eletrónicas
Transparência óptica: 190 nm ∼ 5500 nm
Índice de refração: ~ 1.76
Resistividade intrínseca: 1E16 Ω·cm
Excelente isolante com baixa perda dielétrica
Aplicações
Substrato para crescimento epitaxial de GaN, AlN e III-V ou II-VI
Produção de LED azul, verde e branco
Substratos de diodos a laser (LD)
Componentes ópticos e janelas de infravermelho (IR)
Óptica de alta precisão e microeletrónica
Dispositivos SOS (Silicon-on-Sapphire) e RFIC
Por que escolher a C-Plane Sapphire?
O safiro plano C apresenta alta anisotropia, excelente resistência a arranhões e baixa perda dielétrica, tornando-o ideal para aplicações de semicondutores, ópticos e microeletrônicos.A sua estrutura cristalina permite um crescimento epitaxial de alta qualidade com um desajuste de rede mínimo para LEDs baseados em GaN e outros dispositivos de filme fino.
Embalagem e transporte
Embalagem padrão para salas limpas (classe 100), bolacha única ou caixa de cassete
Fechado a vácuo para entrega livre de contaminação
Embalagens personalizadas disponíveis mediante pedido
Perguntas frequentes
P:Qual é a diferença entre as bolinhas de safira SSP e DSP?
A:O SSP é polido de um só lado, adequado para crescimento epitaxial no lado polido; o DSP é polido de dois lados, fornecendo superfícies ultraplanas em ambos os lados para aplicações ópticas de ponta.
P:A bolacha pode ser personalizada?
A:Sim, aceitamos diâmetros personalizados, espessuras e orientação do eixo de acordo com as especificações do cliente.
P:Quais são as aplicações comuns para as bolinhas de safira de plano C de 4 polegadas?
A:Eles são amplamente utilizados para substratos GaN LED, substratos de diodo laser, janelas IR, dispositivos SOS e outras aplicações optoeletrônicas ou semicondutores de alta precisão.
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