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Detalhes dos produtos

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Bolacha da safira
Created with Pixso. Substrato de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas Al₂O₃ para Aplicações LED e Óticas

Substrato de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas Al₂O₃ para Aplicações LED e Óticas

Nome da marca: ZMSH
MOQ: 10
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Xangai, China
Diâmetro:
100 mm ± 0,3 mm (4 polegadas)
Orientação:
Plano C (0001), ±0,3°
Grossura:
650 µm ± 15 µm
Arco:
<15 µm
Superfície frontal:
Polido de lado único (Ra <0,2 nm)
Superfície traseira:
Terreno Fino (Ra 0,8–1,2 µm)
TTV (Variação de Espessura Total):
≤ 20 µm
LTV (Variação Local de Espessura):
≤ 20 µm
Urdidura:
≤ 20 µm
Material:
>99,99% de Al₂O₃ de alta pureza
Descrição do produto

Substrato de safira SSP de 4 polegadas para aplicações LED e ópticas


Resumo


Os nossos substratos de safira SSP (Single Side Polished) de plano C de 4 polegadas são wafers monocristalinos Al2O3 de alta pureza projetados para aplicações avançadas de semicondutores, optoeletrônicos e ópticos.Com resistência mecânica excepcional, estabilidade térmica e transparência óptica, estas placas são ideais para o crescimento epitaxial de GaN, AlN e outros compostos III-V ou II-VI utilizados em LEDs, diodos laser,e componentes ópticos de alta precisão.


Substrato de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas Al₂O₃ para Aplicações LED e Óticas 0Substrato de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas Al₂O₃ para Aplicações LED e Óticas 1


Características fundamentais


  • Safira de cristal único de alta pureza (Al2O3)

  • Orientação do plano C (0001) com tolerância de ±0,3°

  • Superfície polida de lado único (SSP), frontal Ra < 0,2 nm

  • Excelente aplanamento e arco baixo (< 15 μm)

  • Alta estabilidade térmica e química para ambientes adversos

  • Eixo, diâmetro e espessura personalizáveis disponíveis


Especificações



Parâmetro Especificações
Diâmetro 100 mm ± 0,3 mm (4 polegadas)
Orientação Plano C (0001), ±0,3°
Espessura 650 μm ± 15 μm
Incline-se. < 15 μm
Superfície frontal Polido de lado único (Ra < 0,2 nm)
Superfície traseira Moagem fina (Ra 0,8 ∼1,2 μm)
TTV (variação da espessura total) ≤ 20 μm
LTV (Variação de espessura local) ≤ 20 μm
Warp. ≤ 20 μm
Materiais > 99,99% de Al2O3 de alta pureza


Propriedades mecânicas e térmicas


  • Dureza de Mohs: 9 (segundo apenas ao diamante)

  • Conductividade térmica: 25 W/m·K

  • Ponto de fusão: 2045°C

  • Baixa expansão térmica garante estabilidade dimensional


Propriedades ópticas e eletrónicas


  • Transparência óptica: 190 nm ∼ 5500 nm

  • Índice de refração: ~ 1.76

  • Resistividade intrínseca: 1E16 Ω·cm

  • Excelente isolante com baixa perda dielétrica


Aplicações


  • Substrato para crescimento epitaxial de GaN, AlN e III-V ou II-VI

  • Produção de LED azul, verde e branco

  • Substratos de diodos a laser (LD)

  • Componentes ópticos e janelas de infravermelho (IR)

  • Óptica de alta precisão e microeletrónica

  • Dispositivos SOS (Silicon-on-Sapphire) e RFIC


Por que escolher a C-Plane Sapphire?


O safiro plano C apresenta alta anisotropia, excelente resistência a arranhões e baixa perda dielétrica, tornando-o ideal para aplicações de semicondutores, ópticos e microeletrônicos.A sua estrutura cristalina permite um crescimento epitaxial de alta qualidade com um desajuste de rede mínimo para LEDs baseados em GaN e outros dispositivos de filme fino.


Embalagem e transporte


  • Embalagem padrão para salas limpas (classe 100), bolacha única ou caixa de cassete

  • Fechado a vácuo para entrega livre de contaminação

  • Embalagens personalizadas disponíveis mediante pedido


Perguntas frequentes


P:Qual é a diferença entre as bolinhas de safira SSP e DSP?


A:O SSP é polido de um só lado, adequado para crescimento epitaxial no lado polido; o DSP é polido de dois lados, fornecendo superfícies ultraplanas em ambos os lados para aplicações ópticas de ponta.


P:A bolacha pode ser personalizada?


A:Sim, aceitamos diâmetros personalizados, espessuras e orientação do eixo de acordo com as especificações do cliente.


P:Quais são as aplicações comuns para as bolinhas de safira de plano C de 4 polegadas?


A:Eles são amplamente utilizados para substratos GaN LED, substratos de diodo laser, janelas IR, dispositivos SOS e outras aplicações optoeletrônicas ou semicondutores de alta precisão.


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