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Bolacha da safira

Substrato de Safira Quadrado de Cristal Único (Plano C, SSP) 10x10 mm Polido em uma Face

Substrato de Safira Quadrado de Cristal Único (Plano C, SSP) 10x10 mm Polido em uma Face

Substrato de Safira Quadrado de Cristal Único (Plano C, SSP) 10x10 mm Polido em uma Face

Nome da marca:	ZMSH
MOQ:	10
Tempo de entrega:	2-4 semanas
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Xangai

Material:

Alta pureza >99,99%, cristal único Al₂O₃

Dimensão:

10 × 10 mm

Grossura:

1 mm (outras espessuras disponíveis mediante consulta)

Orientação:

Plano C (0001) a M (1-100) 0,2° ± 0,1° desligado

Parâmetro da estrutura:

a = 4,785Å, c = 12,991Å

Densidade:

30,98 g/cm3

Coeficiente de expansão térmica:

6,66×10⁻⁶ /°C (eixo ‖C), 5×10⁻⁶ /°C (eixo ⊥C)

Força dielétrica:

4,8×10⁵V/cm

Constante dielétrica:

11,5 (‖eixo C), 9,3 (⊥eixo C) @ 1 MHz

Tangente da perda dielétrica:

<1×10⁻⁴

Condutividade Térmica:

40 W/(m·K) a 20°C

Polimento:

Polido de lado único (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); Ra traseiro de moagem fina = 0,8–1,2 μm

Destacar:

Substrato de Safira SSP

,

Substrato de Safira Quadrado de Cristal Único

,

Substrato de Safira Plano C

Descrição do produto

Substrato de Safira Quadrado de Cristal Único (plano C, SSP) 10x10 mm Polido em um Lado

Substrato de Safira Quadrado (SSP) Descrição do Produto

O Substrato de Safira Quadrado (SSP) é feito de Al₂O₃ de cristal único de alta pureza (>99,99%), oferecendo excelente resistência mecânica, estabilidade térmica e transparência óptica. Com orientação no plano C (0001) e superfície polida em um lado (SSP), é ideal para crescimento epitaxial, produção de LED baseado em GaN, componentes ópticos e aplicações de alta temperatura ou vácuo.

Especificações Chave do Substrato de Safira Quadrado (SSP)

Parâmetro	Especificação
Material	Alta Pureza >99,99%, Al₂O₃ de Cristal Único
Dimensão	10 × 10 mm
Espessura	1 mm (outras espessuras disponíveis sob consulta)
Orientação	Plano C (0001) para M (1-100) 0,2° ± 0,1° fora
Parâmetro da Rede	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Densidade	3,98 g/cm³
Coeficiente de Expansão Térmica	6,66×10⁻⁶ /°C (‖Eixo C), 5×10⁻⁶ /°C (⊥Eixo C)
Rigidez Dielétrica	4,8×10⁵ V/cm
Constante Dielétrica	11,5 (‖Eixo C), 9,3 (⊥Eixo C) @ 1 MHz
Tangente de Perda Dielétrica	< 1×10⁻⁴
Condutividade Térmica	40 W/(m·K) a 20°C
Polimento	Polido em um lado (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); verso finamente retificado Ra = 0,8–1,2 μm

Substrato de Safira Quadrado (SSP) Características e Benefícios

Estabilidade química e térmica excepcional
Alta transparência óptica e planicidade da superfície
Baixa perda dielétrica e alta condutividade térmica
Excelente dureza mecânica e resistência a arranhões
Disponível em tamanhos, orientações e espessuras personalizadas

Substrato de Safira Quadrado (SSP) Aplicações

Crescimento epitaxial de GaN e AlN
Fabricação de LED e diodos laser
Janelas ópticas e infravermelhas
Dispositivos de RF e micro-ondas de alta potência
Pesquisa e testes de semicondutores

Etiquetas:

vidro feito sob encomenda da safira

carcaça da safira

sistema ótico da safira

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