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Máquina de Ataque por Feixe de Íons de Materiais Si/SiO2/Metais

Nome da marca:	ZMSH
Número do modelo:	Máquina de gravura de feixe de íons
MOQ:	3
preço:	by case
Tempo de entrega:	3-6 meses
Condições de pagamento:	T/T.

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Certificação:

rohs

Material de trabalho:

Au (ouro), pt (platina), Cu (cobre)

Aplicações:

Fabricação de semicondutores, dispositivos ópticos

Vantagem:

Alta precisão e gravação não seletiva

Precisão:

10 nanômetros ou menos

Material de gravação:

Si/SiO2/metais

Detalhes da embalagem:

Pacote em sala de limpeza de 100 graus

Destacar:

Máquina de gravação por feixe de íons Si/SiO2

Equipamento de gravação de materiais metálicos

Gravador de feixe de íons para semicondutores

Descrição do produto

Introdução ao Equipamento de Ataque por Feixe de Íons

Máquina de Ataque por Feixe de Íons de Materiais Si/SiO2/Metais

O ataque por feixe de íons, também conhecido como fresagem iônica, é uma tecnologia de ataque a seco não seletiva e anisotrópica. Seu princípio central envolve o uso de um feixe de íons de alta energia amplo e colimado, gerado por uma fonte de íons, para bombardear a superfície da peça em um ambiente de vácuo, removendo assim o material por meio de sputtering físico. Ao contrário do ataque por plasma, a amostra não é exposta diretamente ao plasma, evitando assim danos elétricos e contaminação causados pelo plasma e permitindo um melhor controle do processo.

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Resumo e Análise dos Subsistemas Chave em Sistemas de Ataque por Feixe de Íons

Um sistema de ataque por feixe de íons normalmente consiste nos seguintes subsistemas chave:

Subsistema	Função Principal	Pontos Técnicos Chave e Impacto
Sistema de Vácuo	Fornece ambiente de alto vácuo	Determina a limpeza do processo, a estabilidade do feixe e a precisão final.
Fonte de Íons	Gera e extrai o feixe de íons	Determina a taxa de ataque, a uniformidade, os tipos de gás disponíveis e a confiabilidade do equipamento (fonte RF vs. fonte Kaufman).
Estágio da Amostra	Fixa e manipula as amostras	A função de rotação é fundamental para obter o ataque anisotrópico; o controle da temperatura afeta a janela do processo.
Sistema de Controle	Controle de processo totalmente automatizado	Garante a repetibilidade e precisão do processo; a detecção do ponto final aprimora a capacidade do processo.
Neutralizador	Neutraliza a carga do feixe de íons	Evita danos por carregamento em materiais isolantes; essencial para o ataque de materiais dielétricos.

Princípios Básicos do Ataque por Feixe de Íons

O ataque por feixe de íons (IBE) é uma tecnologia avançada de micro/nano fabricação que usa um feixe de íons de alta energia para remover material da superfície, permitindo a transferência precisa de padrões.

O princípio do ataque por feixe de íons envolve um feixe de íons de alta energia (tipicamente íons argônio) gerado por uma fonte de íons, que bombardea a superfície do material verticalmente ou em um ângulo oblíquo. Os íons de alta energia colidem com os átomos na superfície do material, fazendo com que os átomos sejam ejetados e removendo o material camada por camada, alcançando assim o ataque. Este método de ataque pode ser realizado sem reações químicas, pertencendo a um processo de ataque físico.

Diagrama de estrutura do equipamento de ataque por feixe de íons

Capacidades de Processamento:

Materiais: Au (ouro), Pt (platina), Cu (cobre), Ta (tântalo), AlN (nitreto de alumínio), Si (silício), SiO₂ (dióxido de silício) e outros materiais de filme fino.

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Fluxo do Processo:

Preparação: Coloque a amostra a ser atacada em uma câmara de vácuo e limpe a superfície.
Preparação da Máscara: Cubra as áreas a serem atacadas com uma máscara (por exemplo, fotorresistente ou filme fino metálico) para proteger as regiões não atacadas.
Geração do Feixe de Íons: Ative a fonte de íons para gerar um feixe de íons de alta energia, normalmente usando gás argônio.
Processo de Ataque: Controle a energia, o ângulo e o tempo de exposição do feixe de íons para atacar a amostra.
Remoção da Máscara: Após a conclusão do ataque, remova a máscara protetora para obter a estrutura padronizada final.

Diagrama esquemático do processo de ataque por feixe de íons

Cenários de Aplicação do Equipamento de Ataque por Feixe de Íons

1. Fabricação de Semicondutores: Usado para criar circuitos e padrões finos na fabricação de circuitos integrados.

2. Dispositivos Ópticos: Aplicado no processamento de precisão de componentes ópticos, como tratamento de superfície de grades e lentes.

3. Nanotecnologia: Fabricação de nanoestruturas e dispositivos, como nanoporos e nanofios.

4. Ciência dos Materiais: Usado para estudar as propriedades físicas e químicas das superfícies dos materiais e preparar materiais de superfície funcionais.

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Vantagens do Equipamento de Ataque por Feixe de Íons

1. Vantagens:

Alta Precisão: Permite ataque de alta precisão em nanoescala.

Ataque Não Seletivo: Capaz de atacar uniformemente vários materiais sem seletividade química.

Superfície Lisa: Resulta em uma superfície pós-ataque lisa com rugosidade reduzida.

Ataque Isotrópico e Anisotrópico: Permite o ataque em diferentes direções controlando o ângulo do feixe de íons.

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Estudo de caso de ataque por feixe de íons (IBE)

2. Materiais que Podem Ser Atacados:

Metais: Ouro, prata, cobre, alumínio, etc.
Materiais Semicondutores: Silício (Si), arseneto de gálio (GaAs), etc.
Materiais Isolantes: Óxido de silício (SiO₂), nitreto de silício (Si₃N₄), etc.
Outros Materiais: Polímeros, cerâmicas, etc.

3. Precisão do Ataque:

A precisão do ataque por feixe de íons depende principalmente da capacidade de foco do feixe de íons, da resolução da máscara e do controle do tempo de ataque. Normalmente, atinge uma precisão de 10 nanômetros ou até superior, dependendo dos parâmetros específicos do processo e das condições do equipamento.

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Equipamento de Ataque por Feixe de Íons Perguntas Frequentes

1. P: O que é ataque por feixe de íons?
R: O ataque por feixe de íons (IBE) é um processo de ataque a seco que remove material por meio do sputtering físico da superfície alvo com um feixe amplo e colimado de íons de alta energia em alto vácuo.

2. P: Qual é a diferença entre ataque por feixe de íons e ataque por íons reativos?
R: A principal diferença é que o IBE é um processo puramente físico onde a amostra é separada da fonte de íons, enquanto o RIE combina tanto o bombardeio físico de íons quanto as reações químicas com a amostra diretamente no plasma.

Tag: #Máquina de Ataque por Feixe de Íons, #Personalizado, #Materiais Si/SiO2/Metais

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