logo
Bom preço  on-line

Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Casa Created with Pixso. PRODUTOS Created with Pixso.
Equipamento do semicondutor
Created with Pixso. Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros

Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros

Nome da marca: ZMSH
Número do modelo: ​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment
MOQ: 3
preço: by case
Tempo de entrega: 3-6 months
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Place of Origin:
CHINA
Certificação:
rohs
Ability:
50mm/100mm/150mm/200mm
Power voltage:
3×16+2*10 (㎜²)
Compressed air source:
0.5-0.6MPa
Optimum Machining Size:
50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)
Materials​​:
Si Wafers/SiC/Sapphire
Packaging Details:
package in 100-grade cleaning room
Destacar:

Equipamento de polimento unilateral para wafers de Si

,

Máquina de polir as wafers de SiC

,

Equipamento de polimento de material de safira

Descrição do produto

Resumo do equipamento de polimento de uma só face de alta precisão

 

 

Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros

 

 

 

Equipamento de polimento de lado único de alta precisão é uma ferramenta de usinagem de precisão especializada projetada para materiais duros e frágeis (por exemplo, wafers de silício semicondutores, carburo de silício, arsênio de gálio,A partir de um processo de moagem por rotação unidirecional e de sinergia química, obtém-se um acabamento de superfície ultra elevado, com uma planitude ≤ 0,01 mm e uma rugosidade de superfície Ra ≤ 0,4 nm.Este equipamento é amplamente utilizado no afrouxamento de wafer de semicondutores, polimento de lentes ópticas, processamento de componentes de vedação cerâmica e suporta processamento de peça única e batch, aumentando significativamente a eficiência e a consistência.

 

 

 

Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros 0Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros 1

 

 


 

Parâmetros técnicos dos equipamentos de polimento de uma só face de alta precisão

 

 

Categoria Ponto
Disco poluente Diâmetro 820 (mm) 914 (mm) 1282 (mm) 1504 (mm)
Placas de cerâmica Diâmetro 305 (mm) 360 (mm) 485 (mm) 576 (mm)
  Tamanho óptimo de usinagem 50-100 (mm) 50-150 (mm) 150-200 (mm) 200 (mm)
Potência Disco poluente 11 11 18.5 30
  Ferramenta poluidora / 0.75×4 2.2×4 2.2
Taxa de rotação Disco poluente 80 65 65 50
  Ferramenta poluidora / 65 65 50
Capacidade 50 mm 72 / / /
  100 mm 20 28 56 /
  150 mm / 12 24 /
  200 mm / 4 12 20
Voltagem de potência 3×16+2*10 (mm2)
Fonte de ar comprimido 00,5-0,6MPa
Tamanho / 1920×1125×1680 (mm) 1360 × 1330 × 2798 (mm) 2234×1780×2759 (mm) 1900 × 1900 × 2700 (mm)
Peso / 2000 kg 3500 kg 7500 kg 11826 kg

 

 


 

Princípios de funcionamento do equipamento de polimento de uma só face de alta precisão


Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros 2

1. Moagem mecânica:

  • O disco de polimento superior gira a 0 ̊90 RPM (regulavel), combinado com abrasivos (diamantes, carburo de silício) para polir a superfície da peça de trabalho, removendo camadas de oxidação e micro-defeitos.

 

2Controle de pressão:

  • As válvulas e cilindros proporcionais eletro-pneumáticos permitem um ajustamento preciso da pressão (15 ‰ 1500 kg), adaptando-se a diferentes durezas dos materiais.

 

3- Refrigeração e lubrificação:

  • Um sistema de água de refrigeração recirculadora (0,1 ∼0,2 MPa) mantém uma temperatura constante (10 ∼25 °C) para suprimir a deformação térmica, ao mesmo tempo em que fornece lama de polimento para melhorar a remoção de material.

- Não.

4Controle de movimento:

  • O motor de frequência variável impulsiona a rotação do disco inferior. O PLC e o HMI permitem o controle de circuito fechado de parâmetros de velocidade, pressão e tempo, com receitas de processo pré-definidas e comutação de um clique.

 

 


 

Características do equipamento de polimento de uma só face de alta precisão

 
 

- Não.Categoria de características

 

Detalhes técnicos

 

Quadro de elevada rigidez

- Não.

Estrutura integrada de fundição-forja, 50% maior capacidade anti-deformação; sistema de suporte hidráulico de quatro pontos garante vibração < 0,01 mm a altas velocidades.

 

Componentes internacionais

 

Partes principais (por exemplo, caixas de velocidades, rolamentos) usam Alemanha SEW, Japão THK, Suíça SKF, alcançando < 0,005 mm de precisão de transmissão; Siemens PLC + inversor Schneider para regulação de velocidade sem passos de 0 ̊180 RPM.

 

Interface inteligente.

 

A tela sensível ao toque industrial de 10 polegadas suporta receitas pré-definidas (poluição bruta, poluição fina, reparação de discos), monitoramento em tempo real (pressão/temperatura/velocidade) e alarmes de desligamento automático (taxa de defeito < 0)..05%).

 

Configuração flexível

 

Dimensões dos discos de polimento de φ300 mm a φ1900 mm, com capacidade para peças de trabalho de 3~1850 mm; opções de potência de um motor único (7,5 kW) a múltiplos motores (30 kW no total),de apoio de sucção a vácuo e de fixação mecânica.

 

 

 


 

Aplicações de equipamento de polimento de uma só face de alta precisão

Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros 3

 

1Indústria de semicondutores:

  • - O que é isso?A redução da espessura das placas de carburo de silício com uma tolerância de espessura de ± 0,5 μm para as placas de 8 polegadas.
  • Poluição por arsenieto de gálio/safir azul:Roughness de superfície Ra < 0,4 nm para LEDs e dispositivos a laser.

 

2Óptica e Dispositivos de Precisão:

  • - Não.Óculos ópticos/lentes de quartzo:Finalização semelhante a um espelho (λ/20 para λ=632,8 nm) para lentes de câmera e objetos de microscópio.
  • Anéis de vedação de cerâmica:Flatness < 0,035 mm para bombas hidráulicas de alta pressão e válvulas nucleares.

- Não.

3Eletrónica e Nova Energia:

  • Substratos cerâmicos/módulos IGBT:Consistência de espessura <3 μm para melhorar a dissipação térmica.
  • Eletrodos de bateria de lítio:Roughness Ra < 10 nm para reduzir a resistência interna e a geração de calor.

- Não.

4Aeronáutica e Defesa:

  • Rolamentos de aço de tungstênio/sólidos de titânio:Paralelo < 2 μm para ambientes de temperatura/pressão extrema.
  • Vidros de janela infravermelhos:Propriedades de baixa difusão para telescópios e sistemas de orientação de mísseis.

 

 

Equipamento de polimento de uma só face de alta precisão para wafers Si/SiC/safiros 4

 

 


 

Equipamento de polir de lado único de alta precisãoPerguntas frequentes

 

 

- Não.1Q: Quais são as principais vantagens do seu equipamento de polimento de lado único de alta precisão?

R: Atinge uma precisão submicrônica com alta eficiência, ideal para wafers de silício, SiC e safira na fabricação de semicondutores.

 

 

2Q: Que materiais semicondutores pode esta máquina de polir de lado único processar?

R: Especificamente concebido para wafers de silício, carburo de silício (SiC) e substratos de safira.

 

 


Tag:Equipamento de polir de lado único de alta precisão"Customizado"Wafers Si/SiC/Materiais de safira