Substrato SiC de 6 polegadas, 8 polegadas e 4H-SEMI para óculos AR de grau óptico

Um substrato revolucionário de 4H-SiC de qualidade óptica, projetado especificamente para óculos AR,cultivado através do transporte físico de vapor (PVT) e refinado através de polimento em nanoescala e fatiamento de baixo esforço Este produto alcança a primeira solução de visualização em cores de um único camada, com guia de ondas, abordando desafios críticos na óptica de RA:

• Índice de Refração Ultra-Alto (n=2,619@750 nm): supera o vidro tradicional (1.5 ̇1.9) e a resina (1.4 ̇1.7), permitindo > 80° de campo de visão (FOV) com uma espessura de apenas 0.55 mm e peso < 2 g , eliminando o volume e a aberração cromática das soluções de vidro multicamadas.
• Conductividade térmica de 490 W/m·K: dissipa eficientemente o calor dos módulos ópticos de alta potência, garantindo um desempenho estável durante a utilização prolongada.
• Transmitância > 95% (revestimento pós-anti-reflexo): o coeficiente de absorção ultra-baixo (α< 0,5%/μm @ 550 nm) minimiza a perda óptica, aumentando o brilho e o contraste.

Este substrato redefine experiências de RA leves e imersivas, impulsionando a próxima geração de óculos de RA de consumo.

1. Alto índice de refração com baixa dispersão

• Descoberta técnica: O politipo 4H (sequência de empilhamento ABCABCB) atinge n=2,619@750 nm, comprimindo períodos de grelha até 300 nm para suprimir a difração da luz ambiental,reduzindo a dispersão cromática em 40% .
• Valor de aplicação: substitui os tradicionais guias de ondas de vidro de 3 camadas por uma solução de SiC de uma única camada,que reduz a espessura em 80% e permite a compatibilidade com os micro-displays Micro LED para a reprodução a cores completas de alta resolução.

2. Coeficiente de expansão térmica ultra-baixo (CTE=3,7×10−6/K)

• Avanço Técnico: A estrutura cristalina 4H-SiC garante estabilidade térmica, com CTE 1/3 do vidro, evitando deformação e deslocamentos de trajetória óptica durante o ciclo térmico.
• Valor de aplicação: funciona de forma confiável em ambientes de -20°C a 85°C, ideal para aplicações AR ao ar livre.

3. Superfície plana em nanoescala (Ra<0,2 nm)

• Avanço técnico: Combina polir químico mecânico (CMP) e gravura por plasma para eliminar danos subterrâneos, atingindo uma precisão de gravura de ± 5 nm.
• Valor de aplicação: alcança 98% de eficiência de guia de ondas, minimizando o vazamento de luz.

4Densidade de defeito < 0,04/cm2 (8 polegadas)

• Descoberta técnica: o crescimento avançado da fase líquida (TSSG) reduz a densidade do microtubos para < 0,04 / cm2 e a densidade de deslocação para < 1000 / cm2.
• Valor de aplicação: Melhora o rendimento para > 95%, reduzindo os custos de fabrico.

5Capacidade de produção de 8 polegadas em grande escala.

• Descoberta técnica: as placas de 8 polegadas reduzem o desperdício da borda em 7%, produzindo 10 ¢ 12 lentes AR por placas.
• Valor de aplicação: reduz o custo por lente em 30~50%, acelerando a adoção no mercado de massa.

Substrato SiC de 6 polegadas e 8 polegadasAplicações

1. Guias de onda de lentes AR

• Função: o substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas e 8 polegadas atua como um substrato para guias de onda de grade de relevo superficial (SRG), permitindo exibições a cores completas e de alta resolução.
• Vantagem: substitui o vidro de várias camadas por uma lente de 0,55 mm de espessura, < 2 g, alcançando FOV > 80°.

2. Módulos de exibição micro LED

• Função: o substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas e 8 polegadas serve como um suporte para a transferência de massa de Micro LEDs, aumentando o brilho e o contraste.
• Vantagem: Alta condutividade térmica (490 W/m·K) resolve os desafios de dissipação de calor do Micro LED, suportando uma densidade de pixels > 10.000 PPI.

3. Sistemas de estabilização óptica AR

• Função: Integra matrizes de micromirros MEMS para compensação dinâmica do caminho da luz.
• Vantagem: a resistência mecânica do SiC (módulo de Young 450 GPa) e a resistência térmica (­55­300°C) garantem a fiabilidade.

4. Gestão térmica de óculos inteligentes

• Função: o substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas e 8 polegadas fornece suporte de dissipação de calor para chips AR (por exemplo, SoCs, drivers a laser).
• Vantagem: Resiste a uma densidade de potência transitória > 10 W/mm2, evitando estrangulamento térmico.

1Fabricação fictícia Carbono de silício de alta pureza 4h semidopado Wafer sic transparente

2. HPSI Wafers de SiC de alta pureza semi-isolação 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Substrato SiC de 6 polegadas e 8 polegadasPerguntas frequentes