logo
Casa ProdutosEquipamento do semicondutor

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados

Estou Chat Online Agora

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados

6inch-12inch SiC Substrate Laser Separation System Machine Wafers Customized

Imagem Grande :  Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Máquina de sistema de separação a laser
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5
Preço: by case
Tempo de entrega: 3-6 meses
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000 pcs por mês
Descrição de produto detalhada
​Laser Type​​: Excimer (193nm/248nm), Femtosecond (343nm/1030nm) ​​Processing Area​​: Max 150mm × 150mm
Processing Speed​​: 50–300mm/s ​​Lift-Off Thickness​​: 10nm–20μm
System Integration​​: EFU clean unit, exhaust gas treatment system Application: ​​Semiconductor Manufacturing,​​​​Flexible Electronics​​
Destacar:

Máquina de Separação a Laser de Substrato SiC

,

Máquina de Separação a Laser de Substrato SiC Personalizada

 

Máquina de separação por laser deVisão geral do sistema- Não.

 
 

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados 0

Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 a 12 polegadas

 
 
 

O Sistema de Elevação a Laser (LLO) é uma tecnologia avançada de processamento de precisão que utiliza lasers pulsados de alta energia para alcançar a separação seletiva de materiais nas interfaces.Esta tecnologia é amplamente aplicada na fabricação de semicondutoresAs suas principais vantagens incluem o processamento sem contacto, controlo de alta resolução e compatibilidade com vários materiais.tornando-o indispensável para aplicações como a transferência de massa MicroLED, fabricação de ecrãs flexíveis e embalagens de nível de wafer de semicondutores.

 

 

Destaques do serviço da empresa:

 

Soluções personalizadas: comprimento de onda de laser adaptado (193nm ∼1064nm), potência (1W ∼100W) e integração de automação para apoiar P&D e produção em massa.

Desenvolvimento de processos: otimização de parâmetros a laser, projeto de modelagem de feixe e serviços de validação (por exemplo, LLO a laser UV para substratos de safira).

Manutenção inteligente: Monitorização remota integrada e diagnóstico de falhas, garantindo suporte operacional 24 horas por dia, 7 dias por semana, com tempo de resposta < 2 horas.

 

 


 

Máquina de sistema de separação a laserde tParâmetros técnicos

 

 

Parâmetro Valores típicos Notas.
Tipo de laser Excimer (193nm/248nm), Femtosecundo (343nm/1030nm) Largura de pulso 5 ̊20ns, potência máxima > 10 kW
Área de processamento Máximo 150 mm × 150 mm Processamento paralelo em várias estações
Velocidade de processamento 50 ∼ 300 mm/s Ajustável por material e potência do laser
Espessura de levantamento 10 nm ≈ 20 μm Capacidade de delaminação camada por camada
Integração do sistema Unidade de limpeza EFU, sistema de tratamento de gases de escape Conformidade com a norma ISO 14644 relativa à limpeza

 

 


 

Máquina de sistema de separação a laserdo princípio de funcionamento

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados 1

 

O LLO opera através de ablação selectiva nas interfaces dos materiais:

 

Irradiação a laser: pulsos de alta energia (por exemplo, excimer ou laser de femtossegundos) se concentram na interface alvo (por exemplo, safira-GaN), induzindo reações fototérmicas/fotoquímicas.

Decomposição da interface: a energia do laser desencadeia a gaseificação (por exemplo, GaN → Ga + N2), gerando plasma e tensão térmica para a deslaminagem controlada.

Recolha de materiais: as microestruturas delaminadas são capturadas através de sucção a vácuo ou dinâmica de fluidos, garantindo uma transferência livre de contaminação.

 

 

Tecnologias chave:

 

  • Laser ultra-rápidos: pulsos de cinco segundos (< 100 fps) minimizam os danos térmicos (por exemplo, separação de MicroLED).
  • Formação do feixe: os perfis de feixe lineares/retangulares aumentam a eficiência (por exemplo, processamento de lotes de PCB flexíveis).

 

 


 

Características do sistema

 

- Não.Característica Especificações técnicas Aplicações
Processamento sem contacto Energia laser transmitida através da óptica, evitando o esforço mecânico sobre materiais frágeis OLED flexível, MEMS
Alta precisão. Precisão de posicionamento ±0,02 mm, controlo da densidade de energia ±1% MicroLED transferência, sub-μm padronização
Compatibilidade com vários materiais Suporta lasers UV (CO2), visíveis (verde) e IR; compatível com metais, cerâmica, polímeros Semicondutores, dispositivos médicos, energias renováveis
Controle Inteligente Visão de máquina integrada, otimização de parâmetros baseada em IA, carregamento/descarregamento automatizado Melhoria da eficiência da produção superior a 30%

 

 


- Não.

Máquina de sistema de separação a laserdecampos de aplicação

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados 2

 

1. Fabricação de semicondutores

 

  • Embalagens de nível de wafer: desligamento a laser para separação de chips em wafer, aumentando o rendimento.

- Não.

  • MicroLED/microdisplay: transferência de massa de LEDs em escala μm para substratos de vidro/PET.

 

 

2Eletrónica flexível

 

  • Displays dobráveis: Delaminação de circuitos flexíveis a partir de substratos de vidro (por exemplo, Samsung Galaxy Fold).

- Não.

  • Fabricação de sensores: Desmontagem de precisão de cerâmica piezoelétrica para sensores táteis.

 

 

3. Dispositivos médicos

Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC de 6 polegadas a 12 polegadas para Wafers Personalizados 3

  • Processamento por cateter: remoção a laser de camadas de isolamento para conduções biocompativeis.

- Não.

  • Fabricação de implantes: remoção de revestimento de liga de titânio para implantes ortopédicos.

 

 

4Energia renovável

 

  • Células Solares de Perovskita: Desmontagem de eletrodos condutores transparentes para otimização da eficiência.

- Não.

  • Módulos fotovoltaicos: Escritação a laser para reduzir os resíduos de wafers de silício em 20%.
 

 


 

Máquina de sistema de separação a laser de FAQ

 

 

1P: O que é um sistema de lançamento a laser?

R: Um sistema de levantamento a laser é uma ferramenta de processamento de precisão que utiliza lasers pulsados de alta energia para separar seletivamente materiais nas interfaces.permitindo aplicações como a transferência de massa MicroLED e a fabricação de eletrónica flexível .

 

 

Q: Quais são as indústrias que utilizam sistemas de LLO?

R: Os sistemas LLO são críticos na fabricação de semicondutores (embalagens de nível de wafer), eletrônicos flexíveis (exibições dobráveis), dispositivos médicos (fabricação de sensores),e energias renováveis (células solares), oferecendo processamento sem contacto e de alta resolução.

 

 

 

Tags: #6-12 polegadas, #1064nm, # Máquina de Sistema de Separação a Laser de Substrato SiC, #Wafers personalizados

 

 

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Mr. Wang

Telefone: +8615801942596

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)