Wafer de safira fora do eixo C em direção ao plano M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Personalizar orientação

Pastilha de Safira Fora do Eixo C em direção ao Plano M 20° Al₂O₃ Diâmetro 2"/3"/4"/6"/8", Orientação Personalizada

Esta pastilha de safira de pureza ultra-alta apresenta fora do eixo C em direção ao Plano M 20° orientação com 99,999% (5N) de pureza Al₂O₃, projetada para crescimento epitaxial avançado e aplicações especializadas em semicondutores. Disponível em diâmetros padrão (2" a 8") com orientações e espessuras personalizáveis, oferece precisão cristalográfica excepcional, densidade de defeito ultrabaixa e estabilidade térmica/química superior. O corte de 1° em direção ao eixo M otimiza a qualidade do filme epitaxial para dispositivos baseados em GaN, AlN e ZnO, tornando-o ideal para LEDs de alto desempenho, diodos laser, eletrônica de potência e filtros SAW/BAW.

Principais Características da Pastilha de Safira

Orientação de Corte Fora do Eixo de Precisão:

20° fora do eixo C em direção ao Plano M , reduzindo defeitos de agrupamento de degraus e melhorando a uniformidade da camada epitaxial.

Ângulos de corte fora do eixo personalizados (0,2°–5°) disponíveis para aplicações especializadas.

Pureza Ultra-Alta (5N Al₂O₃):

Pureza de 99,999% com impurezas traço (Fe, Ti, Si) <5 ppm, garantindo perdas elétricas/ópticas mínimas.

Dimensões e Orientações Personalizáveis:

Diâmetros: 2", 3", 4", 6", 8" 

Espessura: 100 µm a 1.000 µm (±5 µm de tolerância).

Orientações alternativas: Plano A (1120), Plano R (1102) ou cortes mistos sob demanda.

Qualidade de Superfície Superior:

Polimento pronto para epi: Ra <0,5 nm (lado frontal) para deposição de filme fino sem defeitos.

Polimento de dupla face (DSP): Ra <0,3 nm para aplicações ópticas.

Propriedades Materiais Excepcionais:

Estabilidade térmica: Ponto de fusão ~2.050°C, adequado para processos MOCVD/MBE.

Transparência óptica: >85% de transmissão (UV a infravermelho médio: 250–5.000 nm).

Robustez mecânica: Dureza 9 Mohs, resistente ao desgaste químico/abrasivo.

Aplicações de Pastilha de Safira

Optoeletrônica:

LEDs/Diodos Laser baseados em GaN: LEDs azuis/UV, micro-LEDs e lasers de emissão lateral.

Janelas laser: Componentes laser CO₂ e excimer de alta potência.

Eletrônica de Potência e RF:

HEMTs (Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons): Amplificadores de potência 5G/6G e sistemas de radar.

Filtros SAW/BAW: A orientação do plano M aprimora o desempenho piezoelétrico.

Industrial e Defesa:

Janelas IR e cúpulas de mísseis: Alta transparência em ambientes extremos.

Sensores de safira: Coberturas resistentes à corrosão para condições adversas.

Tecnologias Quânticas e de Pesquisa:

Substratos para qubits supercondutores (computação quântica).

Óptica não linear: Cristais SPDC para estudos de emaranhamento quântico.

Semicondutores e MEMS:

Pastilhas SOI (Silício sobre Isolante) para CIs avançados.

Ressonadores MEMS: Estabilidade de alta frequência com cortes no plano M.

Especificações

Perguntas e Respostas

P1: Por que escolher um 20° fora do eixo C em direção ao Plano M para epitaxia?
A1: O corte fora do eixo M melhora a mobilidade dos átomos durante o crescimento, reduzindo defeitos e melhorando a uniformidade em filmes de GaN para dispositivos de alta potência.

P2: Posso solicitar outras direções de corte fora do eixo (por exemplo, eixo A)?
A2: Sim. Orientações personalizadas (plano A, plano R ou cortes mistos) estão disponíveis com tolerância de ±0,1°.

P3: Qual a vantagem do DSP para aplicações laser?

A3: O DSP fornece rugosidade <0,3 nm em ambos os lados, reduzindo as perdas por dispersão para óptica laser de alta potência.