Detalhes dos produtos

Casa PRODUTOS

Wafer de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas para Epitaxia de GaN / III-Nitrato

Nome da marca:	ZMSH
MOQ:	10 unidades
preço:	Pricing is subject to market fluctuations
Tempo de entrega:	2-4 semanas
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Local de Origem:

China

Diâmetro:

100mm/4 polegadas

Grossura:

650±15 mícrons

Orientação:

Plano C (0001) ± 0,3°

Arco:

<15>

Rugosidade da Superfície Frontal:

<0,2nm

Resistência ao Calor:

>1500°C

Detalhes da embalagem:

Personalizável

Habilidade da fonte:

1000 unidades/mês

Destacar:

Wafer de safira SSP de 4 polegadas de plano C

Wafer de safira SSP para epitaxia de GaN

Orifícios de safira de epitaxia de nitruro III

Descrição do produto

Descrição do Produto

Wafer de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas para Epitaxia de GaN / III-Nitrato

Visão Geral

Nós produzimosPureza 5N (99,999%)Al monocristalino₂O₃ para aplicações avançadas em semicondutores, optoeletrônica e óptica.

Esses substratos são polidos em um único lado para excelente suavidade superficial (Ra ≤ 0,2 nm). Esses substratos oferecem estabilidade térmica excepcional (>1500 °C), alta transmitância óptica (~86–89% a 550 nm) e uniformidade de espessura rigorosa (TTV ≤20 μm). Eles são ideais para crescimento epitaxial de LED, dispositivos semicondutores de GaN e III-nitrato, e aplicações de alta temperatura ou ópticas.

Wafer de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas para Epitaxia de GaN / III-Nitrato 1

Principais Características

Alta pureza [Pureza 5N (99,999%)] safira monocristalina (Al₂O₃)
Orientação C-plane (0001) com tolerância rigorosa de ±0,3°
Superfície polida em um único lado (SSP), Ra frontal < 0,2 nm
Excelente planicidade e baixo empenamento (<15 μm)
Alta estabilidade térmica e química para ambientes agressivos
Eixo, diâmetro e espessura personalizáveis disponíveis

Especificações

Parâmetro	Especificação
Diâmetro	100 mm ± 0,3 mm (4 polegadas)
Orientação	C-plane (0001), ±0,3°
Espessura	650 μm ± 15 μm
Empenamento	<15 μm
Superfície Frontal	Polida em um único lado (Ra < 0,2 nm)
Rugosidade do Lado Traseiro	1,0 ± 0,2μm
TTV (Variação Total de Espessura)	≤ 20 μm
LTV (Variação Local de Espessura)	≤ 20 μm
Distorção	≤ 20 μm
Material	Al₂O₃ de alta pureza >99,999%

Propriedades Mecânicas e Térmicas

Dureza Mohs: 9 (segundo apenas ao diamante)
Condutividade térmica: 25 W/m·K
Ponto de fusão: 2045°C
Baixa expansão térmica garante estabilidade dimensional

Aplicações

Substrato para crescimento epitaxial de GaN, AlN e III-V ou II-VI
Produção de LEDs azuis, verdes, brancos e UV
Substratos de diodo laser (LD)
Componentes e janelas ópticas infravermelhas (IR)
Óptica de alta precisão e microeletrônica
Cristais de relógio/capas de smartphone

Por que escolher Safira C-Plane?

O substrato de safira é ideal para aplicações ópticas e eletrônicas de alto desempenho. A safira oferece dureza excepcional (Mohs 9), alta estabilidade térmica de até ~1500 °C e excelente resistência química, uma escolha perfeita para ambientes exigentes, como durante os procedimentos de crescimento cristalino MOCVD e MBE. Sua estrutura c-plane também é razoavelmente compatível com a estrutura cristalina dos III-nitratos, facilitando o alinhamento epitaxial e o crescimento cristalino uniforme.

Embalagem e Envio

25 wafers em uma caixa de cassete por saco a vácuo ou método personalizado mediante solicitação

FAQ

P: Qual é a faixa de transmitância óptica?
R: Transparente de ~200 nm (UV) a ~5000 nm (mid-IR).

P: O wafer é condutor?
R: Não — a safira é um isolante, ideal para prevenir correntes de fuga em eletrônicos.

P: O wafer pode ser personalizado?

R: Sim, aceitamos diâmetros, espessuras e orientação de eixo personalizados de acordo com as especificações do cliente.

Produtos Relacionados

Wafer de carburo de silício de tipo N de 4 polegadas com várias opções de espessura para motores EV e motores de alta densidade

Obtenha o melhor preço

Composto Térmico Diamante-Alumínio – Leve, Alta Condutividade Térmica e Baixo CTE

Obtenha o melhor preço

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs

Detalhes dos produtos

Wafer de Safira SSP C-Plane de 4 polegadas para Epitaxia de GaN / III-Nitrato

Wafer de safira SSP de 4 polegadas de plano C

Wafer de safira SSP para epitaxia de GaN

Orifícios de safira de epitaxia de nitruro III

Janela Óptica de Safira Janela de Al₂O₃ Dia 45mm Espessura 10mm Personalizada de Alto Desempenho

vidro feito sob encomenda da safira

carcaça da safira

sistema ótico da safira

Wafer de carburo de silício de tipo N de 4 polegadas com várias opções de espessura para motores EV e motores de alta densidade

Composto Térmico Diamante-Alumínio – Leve, Alta Condutividade Térmica e Baixo CTE