Al2O3 Wafer de safira, fora do eixo C para o plano M 8°, diâmetros: 2" ′′ 8", espessura personalizada

Wafer de safira fora do eixo C para o plano M8°Al.2O₃, Diâmetro 2"/3"/4"/6"/8", Espessura personalizada

Isto...Wafer de safira de alta precisãoCaracterísticas de um 8° fora deEixo C em direcção ao plano Me99Pureza de 0,999% (5N), otimizado para crescimento epitaxial superior em aplicações optoeletrônicas e semicondutores avançadas.Diâmetros normalizados (2" a 8")Com espessuras personalizáveis, proporciona uma uniformidade cristalográfica excepcional, uma densidade de defeito ultra-baixa e uma excelente estabilidade térmica/química.O ângulo de corte controlado de 1 ° aumenta a epitaxia de GaN e AlN reduzindo os defeitos de aglomeração de passo, tornando-o ideal para LEDs de alto desempenho, diodos laser, eletrônicos de potência e dispositivos de RF.

Características fundamentais da bolacha de safira

Orientação de precisão fora do corte

8° fora deEixo C para o plano M, projetado para melhorar a uniformidade do filme epitaxial e minimizar defeitos em dispositivos baseados em GaN.

Ultra-alta pureza (5N Al)2O3)

99.999% de purezacom traços de impurezas (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantindo um desempenho elétrico e óptico óptimo.

Diâmetros:2", 3", 4", 6", 8" (tolerância ± 0,1 mm).

Espessura:de 100 μm a 1500 μm (tolerância ± 5 μm), adaptados para

aplicações específicas.

Polido preparado para epi: Ra < 0,5 nm (lado da frente) para deposição de película fina sem defeitos.

Estabilidade térmica:Ponto de fusão ~ 2,050°C, adequado para

Processos de alta temperatura (MOCVD, MBE).

Transparência óptica:> 85% de transmissão (UV a infravermelho médio: 250 nm ∼ 5 000 nm).

Robustez mecânica: 9 Dureza de Mohs, resistente à gravação química e à abrasão.

Aplicações da bolacha de safira

Optoeletrónica

Diodos LED/Laser à base de GaN: LEDs azul/UV, micro-LEDs e VCSELs.

Vidros a laser de alta potência: CO2 e componentes de laser excimer.

Eletrônica de potência e RF

Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT): amplificadores de potência 5G/6G e sistemas de radar.

Diodos Schottky e MOSFETs: Dispositivos de alta tensão para veículos eléctricos.

Indústria e Defesa

Vidros infravermelhos e cúpulas para mísseis: Alta transparência em ambientes adversos.

Sensores de safira: Coberturas resistentes à corrosão para controlo industrial.

Tecnologias Quânticas e de Investigação

Substratos para qubits supercondutores(computação quântica).

Cristais SPDC (conversão paramétrica espontânea para baixo)para a óptica quântica.

Semicondutores e MEMS

Orifícios de SOI (Silicon-on-Isolator)para ICs avançadas.

Sensores de pressão MEMSRequer inércia química.

Especificações

Perguntas e respostas

Q1: Posso solicitar um ângulo de corte diferente (por exemplo, 0,5° ou 2°)?
A2: - Sim, sim, sim.Os ângulos de corte fora de medida estão disponíveis com uma tolerância de ± 0,1°.

Q2: Qual é a espessura máxima disponível?
A6:Até1,500 μm (1,5 mm)para estabilidade mecânica em aplicações de alto esforço.

P3: Como devem ser armazenadas as bolachas para evitar a contaminação?
A10:ArmazenamentoCassetes compatíveis com os requisitos da sala limpaou gabinetes de nitrogénio (20°C a 25°C, humidade < 40%).