Wafer de safira fora do eixo C para o plano M8°Al.2O₃, Diâmetro 2"/3"/4"/6"/8", Espessura personalizada
Isto...Wafer de safira de alta precisãoCaracterísticas de um 8° fora deEixo C em direcção ao plano Me99Pureza de 0,999% (5N), otimizado para crescimento epitaxial superior em aplicações optoeletrônicas e semicondutores avançadas.Diâmetros normalizados (2" a 8")Com espessuras personalizáveis, proporciona uma uniformidade cristalográfica excepcional, uma densidade de defeito ultra-baixa e uma excelente estabilidade térmica/química.O ângulo de corte controlado de 1 ° aumenta a epitaxia de GaN e AlN reduzindo os defeitos de aglomeração de passo, tornando-o ideal para LEDs de alto desempenho, diodos laser, eletrônicos de potência e dispositivos de RF.
Características fundamentais da bolacha de safira
Orientação de precisão fora do corte
8° fora deEixo C para o plano M, projetado para melhorar a uniformidade do filme epitaxial e minimizar defeitos em dispositivos baseados em GaN.
Ultra-alta pureza (5N Al)2O3)
99.999% de purezacom traços de impurezas (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, garantindo um desempenho elétrico e óptico óptimo.
Diâmetros:2", 3", 4", 6", 8" (tolerância ± 0,1 mm).
Espessura:de 100 μm a 1500 μm (tolerância ± 5 μm), adaptados para
aplicações específicas.
Polido preparado para epi: Ra < 0,5 nm (lado da frente) para deposição de película fina sem defeitos.
Estabilidade térmica:Ponto de fusão ~ 2,050°C, adequado para
Processos de alta temperatura (MOCVD, MBE).
Transparência óptica:> 85% de transmissão (UV a infravermelho médio: 250 nm ∼ 5 000 nm).
Robustez mecânica: 9 Dureza de Mohs, resistente à gravação química e à abrasão.
Aplicações da bolacha de safira
Optoeletrónica
Diodos LED/Laser à base de GaN: LEDs azul/UV, micro-LEDs e VCSELs.
Vidros a laser de alta potência: CO2 e componentes de laser excimer.
Eletrônica de potência e RF
Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT): amplificadores de potência 5G/6G e sistemas de radar.
Diodos Schottky e MOSFETs: Dispositivos de alta tensão para veículos eléctricos.
Indústria e Defesa
Vidros infravermelhos e cúpulas para mísseis: Alta transparência em ambientes adversos.
Sensores de safira: Coberturas resistentes à corrosão para controlo industrial.
Tecnologias Quânticas e de Investigação
Substratos para qubits supercondutores(computação quântica).
Cristais SPDC (conversão paramétrica espontânea para baixo)para a óptica quântica.
Semicondutores e MEMS
Orifícios de SOI (Silicon-on-Isolator)para ICs avançadas.
Sensores de pressão MEMSRequer inércia química.
Especificações
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Parâmetro
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Valor
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| Diâmetro |
2", 3", 4", 6", 8" (± 0,1 mm) |
| Espessura |
Custo (100 ‰ 1500 μm ± 5 μm) |
| Orientação |
fora do eixo C em direcção ao plano M 8° |
| Purificação |
990,999% (5N Al2O3) |
| Roughness da superfície (Ra) |
< 0,5 nm (pronto para epi) |
| Densidade de dislocação |
< 500 cm2 |
| TTV (variação da espessura total) |
< 10 μm |
| Arco/coroa |
< 15 μm |
| Transparência óptica |
250 ‰ 5000 nm (> 85%) |
Perguntas e respostas
Q1: Posso solicitar um ângulo de corte diferente (por exemplo, 0,5° ou 2°)?
A2: - Sim, sim, sim.Os ângulos de corte fora de medida estão disponíveis com uma tolerância de ± 0,1°.
Q2: Qual é a espessura máxima disponível?
A6:Até1,500 μm (1,5 mm)para estabilidade mecânica em aplicações de alto esforço.
P3: Como devem ser armazenadas as bolachas para evitar a contaminação?
A10:ArmazenamentoCassetes compatíveis com os requisitos da sala limpaou gabinetes de nitrogénio (20°C a 25°C, humidade < 40%).
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