| Nome da marca: | zmsh |
| Número do modelo: | 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um |
| MOQ: | 5 |
| preço: | 45 |
| Tempo de entrega: | 3-5 SEMANAS |
| Condições de pagamento: | Western Union, T/T |
Bolacha de Safira de 8" 200mm de Diâmetro (±0,2mm), 725µm de Espessura, C-Plane SSP, DSP
Esta bolacha de safira de 8 polegadas (200mm) de alta pureza apresenta precisão dimensional excepcional (±0,2mm de diâmetro, 725µm de espessura) e orientação cristalográfica (C-plane), tornando-a ideal para aplicações exigentes de optoeletrônica e semicondutores. Com 99,99% de pureza e estabilidade mecânica/térmica superior, a bolacha serve como um substrato ideal para a fabricação de LEDs, diodos laser e dispositivos de RF. Seu acabamento superficial uniforme e inércia química garantem confiabilidade em ambientes agressivos, enquanto seu grande diâmetro suporta a produção em massa econômica.
Principais Características das Bolachas de Safira
Geometria de Precisão da Bolacha de Safira:
da Bolacha de Safira Pureza Ultra-Alta:
da Bolacha de Safira Propriedades do Material Robusto:
da Bolacha de Safira Qualidade da Superfície:
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Aplicações de imagens de Bolachas de Safira
Bolacha de safira em Optoeletrônica:
Substrato para LEDs azuis/verdes/brancos (epitaxia InGaN/GaN).
Diodos laser (emissores de borda/VCSELs) em displays e comunicações.
Bolacha de safira em Eletrônica de Potência:
Dispositivos de RF (antenas 5G/6G, amplificadores de potência) devido à baixa perda dielétrica.
Transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMTs) para veículos elétricos.
Bolacha de safira em Industrial e Defesa:
Janelas IR, cúpulas de mísseis (transparência da safira para o infravermelho médio).
Coberturas protetoras para sensores em ambientes corrosivos/abrasivos.
Bolacha de safira em Tecnologias Emergentes:
Computação quântica (substratos de cristal SPD).
Telas de dispositivos vestíveis (capas resistentes a arranhões).
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Especificações
|
Parâmetro |
Valor |
|---|---|
| Diâmetro | 200mm ±0,2mm |
| Espessura | 725µm ±25µm |
| Orientação | C-plane (0001) ±0,2° |
| Pureza | >99,99% (4N) |
| Rugosidade da Superfície (Ra) | <0,3nm (pronto para epitaxia) |
| TTV | ≤15um |
| WARP | ≤30um |
| BOW | -30~10um |
Equipamentos de Fábrica
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