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Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0

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Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0

Sapphire Wafer 8'' Dia 200mm±0.2mm Thickness 725Um C-Plane SSP,DSP hardness9.0
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Imagem Grande :  Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Certificação: rohs
Número do modelo: 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5
Preço: 45
Detalhes da embalagem: Caixa de transporte com almofada de espuma + Caixa de cartão
Tempo de entrega: 3-5 SEMANAS
Termos de pagamento: Western Union, T/T
Habilidade da fonte: 3000 por mês
Descrição de produto detalhada
Materiais: > 99,99% Cristal de safira Diâmetro: 200 mm±0,2 mm
Espessura: 725±25um Orientação: C-plane <0001>
TTV: ≤ 15um envoltório: ≤ 30um
Incline-se.: -30~10um
Destacar:

Wafer de safira 8'

,

725Um Espessura Wafer de safira

 

Bolacha de Safira de 8" 200mm de Diâmetro (±0,2mm), 725µm de Espessura, C-Plane SSP, DSP

 

 

Esta bolacha de safira de 8 polegadas (200mm) de alta pureza apresenta precisão dimensional excepcional (±0,2mm de diâmetro, 725µm de espessura) e orientação cristalográfica (C-plane), tornando-a ideal para aplicações exigentes de optoeletrônica e semicondutores. Com 99,99% de pureza e estabilidade mecânica/térmica superior, a bolacha serve como um substrato ideal para a fabricação de LEDs, diodos laser e dispositivos de RF. Seu acabamento superficial uniforme e inércia química garantem confiabilidade em ambientes agressivos, enquanto seu grande diâmetro suporta a produção em massa econômica.

 


 

Principais Características das Bolachas de Safira

 

Geometria de Precisão da Bolacha de Safira:

  • Diâmetro: 200mm ±0,2mm, garantindo compatibilidade com ferramentas de semicondutores padrão.
  • Espessura: 725µm ±25µm, otimizada para resistência mecânica e estabilidade do processo.

 

 

da Bolacha de Safira Pureza Ultra-Alta:

  • >99,99% (4N) de pureza, minimizando impurezas que afetam o desempenho óptico/elétrico.

 

 

da Bolacha de Safira Propriedades do Material Robusto:

  • Dureza: 9 Mohs, resistente a arranhões para durabilidade no manuseio.
  • Estabilidade Térmica: Ponto de fusão ~2.050°C, adequado para processos de alta temperatura.
  • Transparência Óptica: 85%+ nos espectros visível a infravermelho próximo (350nm–4.500nm).

 

 

da Bolacha de Safira Qualidade da Superfície:

  • Polimento pronto para epitaxia: Ra <0,3nm para deposição de filme fino sem defeitos.
  • Polimento de dupla face opcional sob demanda.

 

 

Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0 0

 


 

Aplicações de imagens de Bolachas de Safira

 

Bolacha de safira em Optoeletrônica:

Substrato para LEDs azuis/verdes/brancos (epitaxia InGaN/GaN).

Diodos laser (emissores de borda/VCSELs) em displays e comunicações.

 

Bolacha de safira em Eletrônica de Potência:

Dispositivos de RF (antenas 5G/6G, amplificadores de potência) devido à baixa perda dielétrica.

Transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMTs) para veículos elétricos.

 

Bolacha de safira em Industrial e Defesa:

Janelas IR, cúpulas de mísseis (transparência da safira para o infravermelho médio).

Coberturas protetoras para sensores em ambientes corrosivos/abrasivos.

 

Bolacha de safira em Tecnologias Emergentes:

Computação quântica (substratos de cristal SPD).

Telas de dispositivos vestíveis (capas resistentes a arranhões).

 

Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0 1Pastilha de Safira 8'' Dia 200mm±0.2mm Espessura 725Um C-Plane SSP,DSP dureza 9.0 2

 


 

Especificações

 

Parâmetro

Valor

Diâmetro 200mm ±0,2mm
Espessura 725µm ±25µm
Orientação C-plane (0001) ±0,2°
Pureza >99,99% (4N)
Rugosidade da Superfície (Ra) <0,3nm (pronto para epitaxia)
TTV ≤15um
WARP ≤30um
BOW -30~10um

 

 


 

Equipamentos de Fábrica

 

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Pessoa de Contato: Mr. Wang

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