Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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Materiais: | > 99,99% Cristal de safira | Diâmetro: | 200 mm±0,2 mm |
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Espessura: | 725±25um | Orientação: | C-plane <0001> |
TTV: | ≤ 15um | envoltório: | ≤ 30um |
Incline-se.: | -30~10um | ||
Destacar: | Wafer de safira 8',725Um Espessura Wafer de safira |
Bolacha de Safira de 8" 200mm de Diâmetro (±0,2mm), 725µm de Espessura, C-Plane SSP, DSP
Esta bolacha de safira de 8 polegadas (200mm) de alta pureza apresenta precisão dimensional excepcional (±0,2mm de diâmetro, 725µm de espessura) e orientação cristalográfica (C-plane), tornando-a ideal para aplicações exigentes de optoeletrônica e semicondutores. Com 99,99% de pureza e estabilidade mecânica/térmica superior, a bolacha serve como um substrato ideal para a fabricação de LEDs, diodos laser e dispositivos de RF. Seu acabamento superficial uniforme e inércia química garantem confiabilidade em ambientes agressivos, enquanto seu grande diâmetro suporta a produção em massa econômica.
Principais Características das Bolachas de Safira
Geometria de Precisão da Bolacha de Safira:
da Bolacha de Safira Pureza Ultra-Alta:
da Bolacha de Safira Propriedades do Material Robusto:
da Bolacha de Safira Qualidade da Superfície:
Aplicações de imagens de Bolachas de Safira
Bolacha de safira em Optoeletrônica:
Substrato para LEDs azuis/verdes/brancos (epitaxia InGaN/GaN).
Diodos laser (emissores de borda/VCSELs) em displays e comunicações.
Bolacha de safira em Eletrônica de Potência:
Dispositivos de RF (antenas 5G/6G, amplificadores de potência) devido à baixa perda dielétrica.
Transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMTs) para veículos elétricos.
Bolacha de safira em Industrial e Defesa:
Janelas IR, cúpulas de mísseis (transparência da safira para o infravermelho médio).
Coberturas protetoras para sensores em ambientes corrosivos/abrasivos.
Bolacha de safira em Tecnologias Emergentes:
Computação quântica (substratos de cristal SPD).
Telas de dispositivos vestíveis (capas resistentes a arranhões).
Especificações
Parâmetro |
Valor |
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Diâmetro | 200mm ±0,2mm |
Espessura | 725µm ±25µm |
Orientação | C-plane (0001) ±0,2° |
Pureza | >99,99% (4N) |
Rugosidade da Superfície (Ra) | <0,3nm (pronto para epitaxia) |
TTV | ≤15um |
WARP | ≤30um |
BOW | -30~10um |
Equipamentos de Fábrica
Pessoa de Contato: Mr. Wang
Telefone: +8615801942596