Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Equipamento de ligação de wafer
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 2
Preço: by case
Tempo de entrega: 5-10 meses
Termos de pagamento: T/T
Métodos de ligação:: |
Ligação à temperatura ambiente |
Tamanhos de wafer compatíveis:: |
≤ 12 polegadas, compatíveis com amostras de forma irregular |
Materiais compatíveis:: |
Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass, etc. |
Pressão máxima do sistema de prensagem:: |
100 KN |
Método de alinhamento e precisão:: |
Precisão de alinhamento das bordas: ≤±50 μm; Precisão de alinhamento da marca: ≤±2 μm |
Força de ligação:: |
≥ 2,0 J/m2 @ temperatura ambiente (para ligação direta Si-Si) |
Métodos de ligação:: |
Ligação à temperatura ambiente |
Tamanhos de wafer compatíveis:: |
≤ 12 polegadas, compatíveis com amostras de forma irregular |
Materiais compatíveis:: |
Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass, etc. |
Pressão máxima do sistema de prensagem:: |
100 KN |
Método de alinhamento e precisão:: |
Precisão de alinhamento das bordas: ≤±50 μm; Precisão de alinhamento da marca: ≤±2 μm |
Força de ligação:: |
≥ 2,0 J/m2 @ temperatura ambiente (para ligação direta Si-Si) |
Equipamento de ligação de wafer Temperatura do quarto Bondin Ligação hidrófila Si-SiC Si-Si 2 -12 polegadas
Visão geral do sistema de ligação de wafer
O Equipamento de Ligação de Wafer é um equipamento de ligação de ponta projetado especificamente para a fabricação de dispositivos de potência de carburo de silício (SiC), suportando especificações de wafer de 2 a 12 polegadas.O equipamento de ligação de wafer incorpora tecnologias avançadas de ligação direta a temperatura ambiente e ligação ativada por superfície, com otimização especial para processos de ligação heterogênea SiC-SiC e SiC-Si.Com um sistema integrado de alinhamento óptico de alta precisão (≤ ± 2 μm) e controlo de temperatura/pressão de circuito fechado, assegura a elevada resistência à ligação (≥ 2 J/m2) e a uniformidade superior da interface necessária para a fabricação de dispositivos semicondutores de potência.
Especificações técnicas do sistema de ligação de wafer
Parâmetros funcionais essenciais:
Processos de ligação: | Suporta ligação direta e ligação ativada por plasma |
Compatibilidade de wafer: | Manipulação de wafer de 2 a 12 polegadas |
Combinações de materiais: | Ligação heterostrutura Si-SiC/SiC-SiC |
Sistema de alinhamento: | Alinhamento óptico de altíssima precisão (≤ ± 0,5 μm) |
Controle de pressão: | Ajustável de precisão de 0 a 10 MPa |
Intervalo de temperatura: | RT-500°C (modulo de pré-aquecimento/requeijão opcional) |
Nível de vácuo: | Ambiente de vácuo ultra elevado (≤ 5×10−6 Torr) |
Sistema de controlo inteligente:
·HMI de toque industrial
·≥ 50 receitas de processo armazenadas
·Feedback em circuito fechado pressão-temperatura em tempo real
Sistema de protecção de segurança:
·Protecção contra bloqueio triplo (pressão/temperatura/vácuo)
·Sistema de travagem de emergência
·Compatibilidade com salas limpas da classe 100
Funções estendidas:
·Manipulação robótica opcional de wafers
·Apoio ao protocolo de comunicação SECS/GEM
·Módulo integrado de inspecção em linha
O equipamento de ligação de wafer é especificamente concebido para investigação e desenvolvimento e produção em massa de semicondutores de terceira geração.Equipamento de ligação de wafer Arquitetura modular permite ligação de alta confiabilidade para dispositivos de potência baseados em SiCA tecnologia inovadora de pré-tratamento por plasma aumenta significativamente a resistência de ligação da interface (≥ 5 J/m2), enquanto o ambiente de vácuo ultra-alto garante interfaces de ligação livres de contaminantes.O sistema inteligente de controlo de temperatura e pressão, combinado com precisão de alinhamento submicron, fornece soluções de ligação de nível de wafer para HEMT, SBD e outros dispositivos.
Fotografia
Materiais compatíveis
Aplicações
· Embalagem do dispositivo MEMS: O equipamento de ligação de wafer é adequado para a vedação hermética de sistemas microelectromecânicos (MEMS), tais como acelerômetros e giroscópios.
· Sensores de imagem CIS: O equipamento de ligação de wafer permite a ligação a baixa temperatura entre as wafers CMOS e os substratos de vidro óptico.
· Integração de IC 3D: O Equipamento de Ligação de Wafer suporta a ligação de empilhamento a temperatura ambiente para wafers de silício através de wafers (TSV).
· Dispositivos semicondutores compostos: O equipamento de ligação de wafer facilita a transferência de camada epitaxial para dispositivos de energia GaN/SiC.
· Fabricação de biochips: O Equipamento de Ligação de Wafer fornece soluções de embalagem a baixa temperatura para chips microfluídicos.
Efeito de usinagem- Não.Ligação de wafer LiNbO 3 e wafer SiC
(a) Fotografia de wafers de LiNbO3/SiC ligadas a temperatura ambiente. (b) Fotografia de fichas de 1 × 1 mm em dados.)
(a) Imagem TEM de secção transversal da interface de ligação LiNbO3/SiC (b) Visão aumentada de (a)
Perguntas e Respostas
1Q: Quais são as vantagens da ligação de wafer à temperatura ambiente em comparação com a ligação térmica?
R: A ligação a temperatura ambiente impede o esforço térmico e a degradação do material, permitindo a ligação direta de materiais diferentes (por exemplo, SiC-LiNbO3) sem limitações de alta temperatura.
2Q: Quais materiais podem ser ligados usando a tecnologia de ligação de wafer à temperatura ambiente?
R: Suporta a ligação de semicondutores (Si, SiC, GaN), óxidos (LiNbO3, SiO2) e metais (Cu, Au), ideal para MEMS, ICs 3D e integração optoeletrônica.
Tag: #Wafer Bonding Equipment, #SIC, #2/4/6/8/10/12 inch Bonding, #Room Temperature Bonding System, #Si-SiC, #Si-Si, #LiNbO 3 -SiC