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Detalhes dos produtos

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Equipamento do semicondutor
Created with Pixso. Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas

Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas

Nome da marca: ZMSH
Número do modelo: Equipamento de ligação de wafer
MOQ: 2
preço: by case
Tempo de entrega: 5-10 meses
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
rohs
Métodos de ligação::
Ligação à temperatura ambiente
Tamanhos de wafer compatíveis::
≤ 12 polegadas, compatíveis com amostras de forma irregular
Materiais compatíveis::
Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass, etc.
Pressão máxima do sistema de prensagem::
100 KN
Método de alinhamento e precisão::
Precisão de alinhamento das bordas: ≤±50 μm; Precisão de alinhamento da marca: ≤±2 μm
Força de ligação::
≥ 2,0 J/m2 @ temperatura ambiente (para ligação direta Si-Si)
Destacar:

Equipamento de ligação de wafer à temperatura ambiente

,

Equipamento hidrofílico de ligação de wafer

Descrição do produto

 

Equipamento de ligação de wafer Temperatura do quarto Bondin Ligação hidrófila Si-SiC Si-Si 2 -12 polegadas


 

Visão geral do sistema de ligação de wafer

 

 

O Equipamento de Ligação de Wafer é um equipamento de ligação de ponta projetado especificamente para a fabricação de dispositivos de potência de carburo de silício (SiC), suportando especificações de wafer de 2 a 12 polegadas.O equipamento de ligação de wafer incorpora tecnologias avançadas de ligação direta a temperatura ambiente e ligação ativada por superfície, com otimização especial para processos de ligação heterogênea SiC-SiC e SiC-Si.Com um sistema integrado de alinhamento óptico de alta precisão (≤ ± 2 μm) e controlo de temperatura/pressão de circuito fechado, assegura a elevada resistência à ligação (≥ 2 J/m2) e a uniformidade superior da interface necessária para a fabricação de dispositivos semicondutores de potência.

 

 


 

Especificações técnicas do sistema de ligação de wafer

 

 

Parâmetros funcionais essenciais:

 

Processos de ligação: Suporta ligação direta e ligação ativada por plasma
Compatibilidade de wafer: Manipulação de wafer de 2 a 12 polegadas
Combinações de materiais: Ligação heterostrutura Si-SiC/SiC-SiC
Sistema de alinhamento: Alinhamento óptico de altíssima precisão (≤ ± 0,5 μm)
Controle de pressão: Ajustável de precisão de 0 a 10 MPa
Intervalo de temperatura: RT-500°C (modulo de pré-aquecimento/requeijão opcional)
Nível de vácuo: Ambiente de vácuo ultra elevado (≤ 5×10−6 Torr)

 

 

Sistema de controlo inteligente:

 

·HMI de toque industrial

·≥ 50 receitas de processo armazenadas

·Feedback em circuito fechado pressão-temperatura em tempo real

 

 

Sistema de protecção de segurança:

 

·Protecção contra bloqueio triplo (pressão/temperatura/vácuo)

·Sistema de travagem de emergência

·Compatibilidade com salas limpas da classe 100

 

 

Funções estendidas:

 

·Manipulação robótica opcional de wafers

·Apoio ao protocolo de comunicação SECS/GEM

·Módulo integrado de inspecção em linha

 

 

O equipamento de ligação de wafer é especificamente concebido para investigação e desenvolvimento e produção em massa de semicondutores de terceira geração.Equipamento de ligação de wafer Arquitetura modular permite ligação de alta confiabilidade para dispositivos de potência baseados em SiCA tecnologia inovadora de pré-tratamento por plasma aumenta significativamente a resistência de ligação da interface (≥ 5 J/m2), enquanto o ambiente de vácuo ultra-alto garante interfaces de ligação livres de contaminantes.O sistema inteligente de controlo de temperatura e pressão, combinado com precisão de alinhamento submicron, fornece soluções de ligação de nível de wafer para HEMT, SBD e outros dispositivos.

 

 


 

Fotografia

 

Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas 0Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas 1
 
 

 

Materiais compatíveis

 

 

Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas 2

 

 


 

Aplicações

 

 

· Embalagem do dispositivo MEMS: O equipamento de ligação de wafer é adequado para a vedação hermética de sistemas microelectromecânicos (MEMS), tais como acelerômetros e giroscópios.

 

· Sensores de imagem CIS: O equipamento de ligação de wafer permite a ligação a baixa temperatura entre as wafers CMOS e os substratos de vidro óptico.

 

· Integração de IC 3D: O Equipamento de Ligação de Wafer suporta a ligação de empilhamento a temperatura ambiente para wafers de silício através de wafers (TSV).

 

· Dispositivos semicondutores compostos: O equipamento de ligação de wafer facilita a transferência de camada epitaxial para dispositivos de energia GaN/SiC.

 

· Fabricação de biochips: O Equipamento de Ligação de Wafer fornece soluções de embalagem a baixa temperatura para chips microfluídicos.

 

 


 

Efeito de usinagem- Não.Ligação de wafer LiNbO 3 e wafer SiC

 

 

(a) Fotografia de wafers de LiNbO3/SiC ligadas a temperatura ambiente. (b) Fotografia de fichas de 1 × 1 mm em dados.)

 

 

Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas 3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(a) Imagem TEM de secção transversal da interface de ligação LiNbO3/SiC (b) Visão aumentada de (a)

 

 

Equipamento de Ligação de Wafer Temperatura da Sala Ligação Hidrófila Ligação Si-SiC Ligação Si-Si 2 -12 polegadas 4

 

 


 

Perguntas e Respostas

 

 

1Q: Quais são as vantagens da ligação de wafer à temperatura ambiente em comparação com a ligação térmica?
R: A ligação a temperatura ambiente impede o esforço térmico e a degradação do material, permitindo a ligação direta de materiais diferentes (por exemplo, SiC-LiNbO3) sem limitações de alta temperatura.

 

 

2Q: Quais materiais podem ser ligados usando a tecnologia de ligação de wafer à temperatura ambiente?
R: Suporta a ligação de semicondutores (Si, SiC, GaN), óxidos (LiNbO3, SiO2) e metais (Cu, Au), ideal para MEMS, ICs 3D e integração optoeletrônica.

 

 


Tag: #Wafer Bonding Equipment, #SIC, #2/4/6/8/10/12 inch Bonding, #Room Temperature Bonding System, #Si-SiC, #Si-Si, #LiNbO 3 -SiC