Detalhes do produto
Place of Origin: CHINA
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Model Number: Sic growth furnace PVT method
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Minimum Order Quantity: 1
Preço: by case
Delivery Time: 5-10months
Payment Terms: T/T
Purpose:: |
Sic growth furnace PVT method |
Dimensions (L × W × H):: |
3200x1150x3600mm or customize |
Intervalo de temperatura:: |
900~3000°C |
Heating method:: |
Induction heating |
Maximum Furnace Temperature:: |
2400℃ |
Fornecimento de energia de aquecimento:: |
Pmax=40Kw, frequência 8~12KHz; |
Purpose:: |
Sic growth furnace PVT method |
Dimensions (L × W × H):: |
3200x1150x3600mm or customize |
Intervalo de temperatura:: |
900~3000°C |
Heating method:: |
Induction heating |
Maximum Furnace Temperature:: |
2400℃ |
Fornecimento de energia de aquecimento:: |
Pmax=40Kw, frequência 8~12KHz; |
O forno de crescimento por indução de carburo de silício é um dispositivo para o crescimento de cristais de carburo de silício (SiC) de alta qualidade usando tecnologia de aquecimento por indução para fornecer um ambiente de alta temperatura.O forno de crescimento por indução aquece diretamente o cadinho de grafite e as matérias-primas através do princípio da indução eletromagnéticaPossui as características de velocidade de aquecimento rápida, controlo preciso da temperatura e baixo consumo de energia, e é um dos principais equipamentos para a preparação de cristal único de carburo de silício.
· Alta eficiência de aquecimento: velocidade de aquecimento por indução, elevada eficiência térmica, baixo consumo de energia.
· Controle preciso da temperatura: a precisão do controlo da temperatura pode atingir ±1°C para garantir a qualidade do crescimento dos cristais.
· Alta estabilidade: aquecimento por indução sem contacto, redução da poluição, adequado para trabalho contínuo a longo prazo.
· Baixa poluição: grafite de alta pureza e atmosfera inerte são utilizados para reduzir a influência das impurezas na qualidade dos cristais.
Especificações | Detalhes |
---|---|
Dimensões (L × P × H) | 3200 x 1150 x 3600 mmou personalizar |
Diâmetro da câmara do forno | Médio 400 mm |
Vazio limite | 5x10-4Pa ((1,5h após arranque da bomba molecular) |
Viagem da bobina de indução | 200 mm |
Tracção do chassi do forno | 1250 mm |
Método de aquecimento | Aquecimento por indução |
Método de aquecimento | Aquecimento por indução |
A temperatura máxima no forno | 2400°C |
Fornecimento de energia de aquecimento | Pmax=40Kw, frequência 8~12KHz |
Medição da temperatura | Medição de temperatura infravermelha em duas cores |
TemperaturamediçãoDistância | 900~3000°C |
Precisão do controlo da temperatura | ± 1°C |
Intervalo de pressão de controlo | 1 ~ 700mbar |
Precisão do controlo da pressão | 1 a 10 mbanr, ± 0,5% F.S.; 10 a 100 mg/l, 0,5% F.S.; 100~700mbar±0.5mbar |
Método de carregamento modo de carregamento | Carga mais baixa, fácil de operar, segura |
Configuração opcional | Rotação do cadinho, ponto de medição de temperatura duplo. |
1. atender ao crescimento de cristais de 6 polegadas / 8 polegadas;
2. satisfazer o ambiente de crescimento de cristais semi-isolado e condutor, rotação do cadinho para melhorar a uniformidade de temperatura, elevação de bobinas para reduzir a perturbação;
3. estrutura refrigerada a água de cilindro de quartzo de duas camadas, pode efetivamente melhorar a vida útil da câmara, proporcionar um ambiente de cristais longo estável, propício ao crescimento de cristais de alta qualidade;
4. monitoramento preciso em tempo real da temperatura ascendente e descendente para facilitar a depuração do processo;
5. opcional modo de funcionamento de potência constante, corrente constante, temperatura constante;
6. um arranque inteligente de chave única, reduzindo a intervenção manual, favorável à produção em grande escala;
7. o forno de cristal longo de indução de carburo de silício é adequado para o crescimento de um produto único de carburo de silício de seis polegadas de alta qualidade, síntese de matéria-prima de carburo de silício de alta pureza,Requeijão de cristais e outros campos;
8. conceção compacta de máquinas tridimensionais, disposição conveniente, melhoria da utilização da instalação;
9. Utilizando uma válvula borboleta de alta precisão e um medidor de caudal de massa para controlar a pressão de crescimento no forno, proporcionando uma atmosfera de crescimento estável.a precisão máxima de controlo da pressão de ±1Pa pode ser alcançada sob a pressão de crescimento do cristal.
O forno de crescimento por indução de carburo de silício pode produzir eficientemente cristal único de carburo de silício de alta qualidade e baixo defeito, a pureza do cristal pode atingir 99,999% ou mais.Estes cristais únicos são usados para fabricar dispositivos de potência de alto desempenho (como MOSFETs, diodos Schottky) e dispositivos de RF com resistência à alta tensão, baixa perda de ligação e características de alta frequência, melhorando significativamente o desempenho dos veículos elétricos,Inversores solares e equipamento de comunicações 5GAlém disso, a elevada estabilidade de temperatura e o controlo preciso da temperatura dos fornos de crescimento por indução asseguram a consistência cristalina e o rendimento,que satisfaçam os rigorosos requisitos de material da indústria dos semicondutores.
A ZMSH fornece serviços de projeto, fabricação, instalação e suporte pós-venda para fornos de crescimento por indução de carburo de silício, incluindo personalização de equipamentos,Optimização de processos e formação técnicaCom tecnologia avançada de aquecimento por indução e vasta experiência na indústria, asseguramos alta eficiência, estabilidade e baixo consumo de energia dos nossos equipamentos,fornecendo uma resposta rápida e suporte técnico 24/7 para ajudar os clientes a alcançar a produção em larga escala de cristais de carburo de silício de alta qualidade.
1Q: Para que é utilizado um forno de crescimento por indução de carburo de silício?
R: É utilizado para produzir cristais de carburo de silício (SiC) de alta qualidade através do método de transporte de vapor físico (PVT), essencial para a fabricação de eletrônicos de potência e dispositivos de RF.
2P: Por que um forno de indução é preferido para o crescimento de cristais de SiC?
R: Um forno a indução oferece aquecimento rápido, controle preciso da temperatura e alta eficiência energética, tornando-o ideal para produzir cristais de SiC de baixa deficiência e alta pureza.
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