Câmara VIS-NIR CCD Contour-IRConto-M. Câmara digital 400-1700nm Câmara multispectral
As câmaras de infravermelho próximo CONTOUR-IR são concebidas para visualizar, armazenar e registar a luz proveniente de fontes de luz infravermelha, tais como diodos emissores de luz infravermelhos de arseniuro de gálio, lasers de diodos ou lasers de estado sólido.Também pode ser usado para microscopia infravermelha.A câmara baseia-se numa sonda CCD de silício com alta sensibilidade e baixo ruído, que melhora a sensibilidade do infravermelho próximo.
Vis-nir Camera (Visible to Near-Infrared Camera) é uma câmera digital capaz de capturar comprimentos de onda visíveis (VIS) a infravermelhos próximos (NIR). It is based on CCD (Charge-Coupled Device) image sensor technology and is capable of detecting optical signals in the wavelength range typically between 400nm (visible light) and 1000nm (near infrared)Este tipo de câmara é amplamente utilizado em investigação científica, inspecção industrial, monitorização de segurança, imagem médica e outros campos.
Relacionado com materiais semicondutores:
O componente principal da câmara VIS-NIR é o sensor de imagem CCD, cujo fabrico envolve os seguintes materiais semicondutores essenciais:
- Silício (Si): Utilizado para a fabricação da região sensível dos sensores CCD, o silício tem uma elevada eficiência de absorção da luz visível e do infravermelho próximo ( comprimento de onda ≤ 1100 nm).
- Arsénio de ínio-gállio (InGaAs): Ele é usado para estender a faixa de detecção da faixa infravermelha próxima (900nm-1700nm) e é frequentemente usado em combinação com CCD baseado em silício.
- Nitreto de silício (Si3N4) e dióxido de silício (SiO2): Utilizado para fabricar camadas de isolamento e passivação para sensores CCD para proteger dispositivos e melhorar a estabilidade.
- Materiais metálicos (por exemplo, alumínio, cobre): Eletrodos e interconexões para a fabricação de CCD, garantindo uma transmissão eficiente do sinal.
Características:
- Não.
- Resposta espectral ampla: pode detectar luz visível até luz infravermelha próxima (400nm-1000nm), adequada para imagens multiespectral.
- Alta sensibilidade: os sensores CCD têm uma elevada eficiência quântica e são capazes de captar sinais de luz fracos.
- Baixo ruído: tecnologia de arrefecimento a baixa temperatura ou circuito de baixo ruído para reduzir a corrente escura e o ruído de leitura.
- Alta resolução: Suporta alta densidade de pixels e fornece detalhes claros da imagem.
- Resposta rápida: adequado para a captação de imagens em tempo real de cenas dinâmicas.
Parâmetro técnico:
| Faixa espectral: |
400-1700 nm |
| Lente: |
F1.4/26 mm, montura C |
| Campo visual: |
20 graus. |
| SNR: |
48 dB |
| Padrão: |
CCIR |
| Resolução: |
1280 x 1024 (15Hz ou 7Hz) |
| Tamanho da sonda: |
640 x 480 (60 Hz ou 30 Hz) |
| Sincronização: |
Padrão CCIR (25fps) |
| Saída de vídeo: |
USB2.0 |
| Fonte de alimentação: |
Câmara CMOS CONTOUR-IR, filtro, anel de alcance, caixa de ferramentas |
| Peso: |
00,3 kg |
| Tamanho: |
56 × 110 mm |
| Temperatura de funcionamento: |
+5... + 40 °C |
Resposta relativa ao comprimento de onda:
● 500 μW/cm2 a 1310 nm
● 20-50 mW/cm2 a 1550 nm
● 80-100mW/cm2 a 1700nm
O processo de fabricação do CCD também é usado para fazer elementos sensíveis para equipamentos de imagem digital (CCD e CMOS são comuns), especialmente para câmeras digitais SLR com especificações de grande formato.Então o sinal de imagem é convertido em uma saída de sinal digital por um conversor analógico para digital (ADC) no chip.
A diferença entre CMOS e CCD:
1Fabricação do processo de imagem
O princípio de conversão fotoelétrica do sensor de imagem CCD e CMOS é o mesmo, a principal diferença entre eles é que o processo de leitura do sinal é diferente;Porque CCD tem apenas um (ou alguns) nós de saída para ler uniformemente, a sua consistência de saída de sinal é muito boa; no chip CMOS, cada pixel tem o seu próprio amplificador de sinal, que realiza a conversão de carga-voltagem, respectivamente,e a consistência da saída do sinal é pobreNo entanto, CCD, a fim de ler todo o sinal de imagem, a largura de banda do sinal do amplificador de saída é necessária para ser larga, e no chip CMOS,os requisitos de largura de banda do amplificador em cada pixel são baixos, o que reduz muito o consumo de energia do chip, que é a principal razão pela qual o consumo de energia do chip CMOS é menor do que o do CCD.a inconsistência de milhões de amplificadores leva a um ruído fixo mais elevado, que é a desvantagem inerente do CMOS em relação ao CCD.
2. Integração
Do ponto de vista do processo de fabricação, o circuito e o dispositivo em CCD são integrados no material de cristal único semicondutor, o processo é mais complexo,e apenas alguns fabricantes no mundo podem produzir wafers CCD, tais como DALSA, SONY, Panasnic e assim por diante. CCD só pode saída de sinais elétricos analógicos, requer posterior decodificador de endereço, conversor analógico, processador de sinal de imagem,e também precisa fornecer três grupos de diferentes voltagem potência circuito de controle de relógio síncronoO CMOS está integrado num material semicondutor chamado óxido metálico,que é o mesmo processo que produz dezenas de milhares de circuitos integrados semicondutores como chips de computador e dispositivos de memória, de modo que o custo de produção de CMOS é muito menor do que o do CCD. Ao mesmo tempo, o chip CMOS pode integrar o amplificador de sinal de imagem, circuito de leitura de sinal, circuito de conversão A / D,um processador de sinal de imagem e um controlador num chip, apenas um chip pode realizar todas as funções básicas da câmera, a integração é muito alta, o conceito de câmera de nível de chip é gerado a partir disso.Com o desenvolvimento contínuo da tecnologia de imagem CMOS, cada vez mais empresas podem fornecer chips de imagem CMOS de alta qualidade, incluindo: Micron, CMOSIS, Cypress e assim por diante.
3Velocidade.
O CCD adota uma saída fotossensível por uma, que só pode ser produzida de acordo com o procedimento especificado, e a velocidade é lenta.O CMOS possui múltiplos conversores de carga-voltagem e controle de interruptores de linha e coluna, e a velocidade de leitura é muito mais rápida, e a maioria das câmeras de alta velocidade acima de 500fps são câmeras CMOS.e maior velocidade pode ser obtida quando apenas imagens de sub-janela são produzidas.
4- Barulho.
A tecnologia CCD foi desenvolvida mais cedo, mais madura, utilizando uma junção PN ou uma camada de isolamento de dióxido de silício (SiO2) para isolar o ruído.A qualidade de imagem em relação ao sensor fotoelétrico CMOS tem uma certa vantagemDevido ao elevado grau de integração do sensor de imagem CMOS, a distância entre os componentes e os circuitos é muito próxima, a interferência é relativamente grave,e o ruído tem um grande impacto na qualidade da imagemCom o desenvolvimento contínuo da tecnologia de redução de ruído do circuito CMOS, fornece uma boa condição para a produção de sensores de imagem CMOS de alta densidade e alta qualidade.
Exibição de amostras:
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