Wafer de silício Silício-em-isolador Silício Semicondutor Indústria microeletrônica Multidimensional

Wafer de silício Silício-em-isolador Silício Semicondutor Indústria microeletrônica Multidimensional

Descrição do produto

EmFabricação de semicondutores,Silício no isolante(I.O.S.) a tecnologia é a fabricação deSilícioDispositivos de semicondutores em silício em camadas – isolador – silícioSubstrato, para reduzircapacidade parasitáriaOs dispositivos baseados em SOI diferem dos dispositivos convencionais construídos em silício, na medida em que a junção de silício está acima de um ponto de ligação de umIsolador elétrico, tipicamentedióxido de silícioouSapphire.A escolha do isolante depende em grande parte da aplicação pretendida, sendo que o safiro é utilizado para aplicações de radiofrequência de alto desempenho (RF) e sensíveis à radiação,e dióxido de silício para efeitos de canal curto diminuídos em outros dispositivos microeletrônicos.

Características

- Desempenho elétrico superior: a estrutura SOI reduz a capacitância parasitária entre os transistores, reduz o consumo de energia e melhora a velocidade de comutação,que é adequado para circuitos integrados de alto desempenho.

- Baixo consumo de energia: a capacidade da tecnologia SOI de operar a voltagens mais baixas reduz significativamente o consumo de energia estática e dinâmica,tornando-o adequado para dispositivos móveis e outras aplicações que exigem uma elevada eficiência energética.

- Boa gestão térmica: a camada de isolamento da wafer SOI proporciona um melhor isolamento térmico e melhora o desempenho de dissipação de calor,Ajuda a melhorar a estabilidade e a fiabilidade do dispositivo.

- Alta integração: a tecnologia SOI permite um nível mais elevado de integração, tornando o projecto mais compacto e capaz de realizar mais funções numa área menor.

-Resistência à radiação: os materiais SOI são menos sensíveis à radiação e são adequados para aplicações no setor aeroespacial e em outros ambientes de alta radiação.

-Bom isolamento: A camada de isolamento reduz efetivamente a interferência entre os dispositivos e melhora o desempenho geral do circuito.

Método de crescimento

1Simox

A tecnologia SIMOX consiste principalmente em dois processos: primeiro, os íons de oxigénio são injetados no cristal de silício para formar uma camada de injeção de oxigénio de alta concentração.Para evitar que o silício cristalize durante o processo de injecção, durante o processo de injecção deve manter-se uma certa temperatura no substrato, após o qual o recozimento a alta temperatura reduz ou elimina os defeitos gerados pela injecção,de modo que o oxigénio injetado reage com o silício para formar uma camada isolanteNo entanto, este processo é caro e foi gradualmente eliminado.

2BESOI.

O BESOI consiste essencialmente em duas etapas de processo: (1) ligação: duas placas de silício polidas com óxido térmico de alta qualidade que crescem na superfície são estritamente limpas,e depois ligados usando a força de van der Waals em um ambiente super limpo, e recozimento a alta temperatura para melhorar a sua resistência à ligação; (2) Retro-afinação: com uma peça como substrato,a outra bolacha de silício é moída e polida até à espessura necessária para formar uma película de silício de cristal único no isolante.

O mecanismo de ligação do processo é que, quando duas superfícies planas e hidrófilas (como wafers de silício oxidado) são colocadas uma em frente da outra, a ligação ocorre naturalmente, mesmo à temperatura ambiente.Acredita-se geralmente que a ligação é causada pela atração mútua de grupos hidroxilo (OH-) adsorvidos em duas superfícies para formar ligações de hidrogênioA fim de aumentar a resistência da ligação, é também necessário um tratamento térmico subsequente, e as seguintes reacções ocorrem geralmente quando o recozimento é efectuado acima de 300 °C:

Si-OH + OH-Si → Si-O-Si + H2O

3Cortar bem.

O Smart Cut é a principal tecnologia para a preparação de películas finas de silício monocristalino em isoladores no país e no estrangeiro.Oxidando um deles e injetando íons de hidrogênio para formar uma camada de íons de hidrogênio em wafers de silício(2) As duas obleias de silício são ligadas após limpeza rigorosa; (3) Após tratamento térmico adequado, a folha de injecção de hidrogénio é completamente separada da camada de íons de hidrogénio para formar SOI;(4) Polição química mecânica da superfície do SOI para remover danos residuais e fornecer uma superfície lisa para preparação do dispositivo.

Aplicações

- Computação de alto desempenho: a tecnologia SOI é utilizada para fabricar microprocessadores e unidades de processamento gráfico (GPU) de alto desempenho, proporcionando velocidades de computação mais rápidas e menor consumo de energia.

-Dispositivos móveis: nos smartphones e tablets, as placas SOI ajudam a obter uma maior integração e eficiência energética, prolongando a vida útil da bateria.

- Aplicações de radiofrequência (RF): a tecnologia SOI é amplamente utilizada em amplificadores e misturadores de potência de RF, especialmente para comunicações 5G e dispositivos IOT.

- Data center: Usada para servidores e dispositivos de armazenamento, a tecnologia SOI pode melhorar a potência de processamento e reduzir o consumo de energia, suportando computação em nuvem e processamento de big data.

- Sensores: Os materiais SOI são utilizados para fabricar sensores de gases, sensores de temperatura, etc., proporcionando uma elevada sensibilidade e estabilidade.

Os nossos serviços

1Serviços de logística:O acompanhamento em tempo real do estado do transporte para garantir a chegada segura das mercadorias.

2Serviços de embalagem:Fornecer design de embalagem profissional, de acordo com as características do produto para fornecer soluções de embalagem personalizadas.A utilização de materiais respeitadores do ambiente para garantir a segurança das mercadorias durante o transporte.

3Serviço de entrega:Fornecer uma variedade de métodos de entrega, flexíveis para atender às necessidades do cliente.

4Serviços personalizados:Fornecer soluções logísticas personalizadas de acordo com as necessidades do cliente.

5Gestão eficiente:Sistema avançado de gestão logística para assegurar o funcionamento eficiente de cada ligação.

6O cliente em primeiro lugar.Ser sempre orientado para as necessidades do cliente e prestar um serviço personalizado.

Perguntas frequentes

1P: O que é a bolacha SOI?
R: A bolacha SOI é uma estrutura semelhante a um sanduíche com três camadas; incluindo a camada superior (camada de dispositivo),a parte central da camada de oxigénio enterrada (para a camada isolante de SiO2) e o substrato inferior (sílice em massa).

2. P: Você apoia a personalização?
R: Sim, podemos processar o produto de acordo com os requisitos dos clientes.