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Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm
  • Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm
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Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm

Lugar de origem Shanghai China
Marca ZMSH
Certificação ROHS
Número do modelo Bolacha do carboneto de silicone
Detalhes do produto
Grau:
Manequim da pesquisa da produção
lubrificado:
O silicone doped/Un-doped/Zn lubrificou
Diâmetro:
150.0 mm +/- 0,2 mm
Tipo:
4h-n
Partícula:
Partícula livre/baixa
Resistividade elétrica ((Ohm-cm):
0.015 ~ 0.025
Realçar: 

bolacha do carboneto de silicone 6inch

,

bolacha do carboneto de silicone 8Inch

,

bolacha do carboneto de silicone 4inch

Descrição do produto

Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm

Descrição do produto

A ZMSH emergiu como o principal fabricante e fornecedor de wafers de substrato de SiC (Carburo de Silício).Estamos orgulhosos de oferecer os preços mais competitivos no mercado para 2 polegadas e 3 polegadas de pesquisa grau Wafers de substrato SiC, proporcionando aos clientes um valor excepcional.

As placas de substrato de SiC encontram aplicações em uma ampla gama de projetos de dispositivos eletrônicos, particularmente em produtos que exigem alta potência e capacidades de alta frequência.Estas placas desempenham um papel crucial no desenvolvimento de sistemas electrónicos avançados e eficientes.

Além disso, as wafers de substrato de SiC são amplamente utilizadas no campo da tecnologia LED (diodo emissor de luz).Os LEDs são dispositivos semicondutores que geram luz energéticamente eficiente e de baixo calor combinando elétrons e buracosAs placas de substrato de SiC contribuem significativamente para o desempenho e a fiabilidade dos LEDs, tornando-os um componente essencial na indústria de LEDs.

Na ZMSH, estamos comprometidos em fornecer wafers de substrato SiC de alta qualidade aos melhores preços, atendendo às diversas necessidades de nossos clientes em várias indústrias.

Parâmetro do produto

Parâmetro Valor
Nome do produto Substrato de carburo de silício
Método de crescimento MOCVD
Estrutura cristalina 6H, 4H
Sequência de empilhamento 6H: ABCACB, 4H: ABCB
Grau Grau de produção, grau de investigação, grau de simulação
Tipo de condutividade Tipo N ou semi-isolante
Fenda de banda 3.23 eV
Dureza 9.2 (Mohs)
Conductividade térmica @300K 3.2~4.9 W/cm.K
Constantes dielétricas e(11)=e(22)=9.66, e(33) = 10.33
Resistividade 4H-SiC-N: 0.0150.028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0.020.1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm
Embalagem Saco limpo de classe 100, sala limpa de classe 1000

Aplicação do produto

As wafers de carburo de silício (wafers de SiC) são muito procuradas por sua adequação em eletrônicos automotivos, dispositivos optoeletrônicos e aplicações industriais.Estas placas incluem substratos de SiC tipo 4H-N e substratos de SiC semi-isolantes, que servem como componentes cruciais numa ampla gama de dispositivos.

Os substratos de SiC do tipo 4H-N possuem propriedades excepcionais, incluindo uma largura de banda que permite uma comutação de potência eficiente na eletrónica.Exibem notável resistência ao desgaste mecânico e à oxidação química, tornando-os ideais para aplicações que exigem uma operação a altas temperaturas e baixas perdas de potência.

Os substratos de SiC semi-isolantes oferecem excelente estabilidade e resistência térmica, tornando-os adequados para várias aplicações optoeletrônicas.Sua capacidade de manter a estabilidade em dispositivos de alta potência é particularmente valiosaAlém disso, os substratos de SiC semi-isolantes podem ser utilizados como wafers ligados, desempenhando um papel vital no desenvolvimento de dispositivos microeletrônicos de alto desempenho.

As características únicas das placas de SiC as tornam altamente versáteis para uma ampla gama de aplicações, com destaque particular nos setores automotivo, optoeletrônico e industrial.Os Wafers de SiC são componentes indispensáveis no panorama tecnológico de hoje e continuam a ganhar popularidade em diversas indústrias.

Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm 0Wafer de carburo de silício 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Uso industrial Com rugosidade de superfície ≤ 0,2 nm 1

Perguntas frequentes

O que é um substrato de SiC?

O que são as bolhas e substratos de carburo de silício (SiC)?

Os wafers e substratos de carburo de silício (SiC) são materiais especializados utilizados na tecnologia de semicondutores feitos de carburo de silício, um composto conhecido por sua alta condutividade térmica,Excelente resistência mecânica, e uma banda larga.

Um substrato de SiC, ou substrato de carburo de silício, é um material cristalino usado como base ou base sobre a qual são fabricados dispositivos semicondutores.É composto por átomos de silício e carbono dispostos numa estrutura de rede cristalinaOs substratos de SiC são concebidos para ter características elétricas, térmicas,e propriedades mecânicas que os tornam altamente adequados para uma ampla gama de aplicações eletrônicas e optoeletrônicas.

Os substratos de SiC oferecem várias vantagens em relação aos materiais semicondutores tradicionais como o silício (Si), incluindo:

Wide Bandgap: O SiC tem uma banda larga, tipicamente em torno de 2,9 a 3,3 elétronvolts (eV), o que permite a fabricação de dispositivos de alta potência, alta temperatura e alta frequência.Esta banda larga permite que os dispositivos operem de forma eficiente em temperaturas e voltagens mais elevadas, minimizando a corrente de vazamento.
Alta condutividade térmica: Os substratos de SiC têm uma excelente condutividade térmica, o que permite a dissipação eficiente do calor gerado durante a operação do dispositivo.Esta propriedade é crítica para manter a confiabilidade e o desempenho do dispositivo, especialmente em aplicações de alta potência e de alta temperatura.
Estabilidade química: O SiC é quimicamente estável e resistente à corrosão, tornando-o adequado para uso em ambientes adversos e processos químicos reativos.Esta estabilidade garante a fiabilidade e estabilidade do dispositivo a longo prazo em várias condições de funcionamento.
Dureza mecânica: Os substratos de SiC apresentam alta dureza e rigidez mecânicas, juntamente com resistência ao desgaste e à deformação mecânicos.Estas propriedades contribuem para a durabilidade e longevidade dos dispositivos fabricados em substratos de SiC.
Alta tensão de ruptura: os dispositivos SiC podem suportar tensões de ruptura mais elevadas em comparação com os dispositivos à base de silício,permitindo a concepção de dispositivos eletrônicos de potência e de alta tensão mais robustos e fiáveis.
Alta mobilidade eletrônica: Os substratos de SiC têm alta mobilidade eletrônica, o que resulta em transporte de elétrons mais rápido e velocidades de comutação mais altas em dispositivos eletrônicos.Esta propriedade é vantajosa para aplicações que requerem operação de alta frequência e velocidades de comutação rápidas.

Em geral, os substratos de SiC desempenham um papel crucial no desenvolvimento de dispositivos semicondutores avançados para aplicações em electrónica de potência, comunicações de radiofrequência (RF), optoelectrónica,Eletrónica de alta temperaturaA sua combinação única de energia elétrica, térmica,As suas propriedades mecânicas e eletrónicas tornam-nas indispensáveis para permitir sistemas eletrónicos e fotónicos de próxima geração em várias indústrias..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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