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Sic carcaça
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| Lugar de origem | CHINA |
| Marca | SICC |
| Certificação | CE |
| Número do modelo | 4h-n |
cristal da categoria da pesquisa da carcaça de 2inch Dia50.8mm 4H-Semi sic único
N-tipo sic categoria da espessura 4H de 2inch dia50mm 330μm da produção da carcaça
N-tipo 6H ou 4H das bolachas do carboneto de silicone 2inch ou Semi-isolamento sic de carcaças
4 H-N Type/semi isolamento sic de bolachas do carboneto de silicone das carcaças 2inch 3inch 6inch
o que é sic subatrate
Sic uma carcaça refere uma bolacha feita do carboneto de silicone (sic), que é um material largo-bandgap do semicondutor que tenha propriedades elétricas e térmicas excelentes. Sic as carcaças são de uso geral como uma plataforma para o crescimento das camadas epitaxial de sic ou dos outros materiais, que podem ser usados para fabricar vários dispositivos eletrônicos e optoelectronic, tais como transistor de alta potência, diodos de Schottky, fotodetector UV, e diodo emissor de luz.
As carcaças são preferidas sic sobre outros materiais do semicondutor, tais como o silicone, para as aplicações de alta potência e de alta temperatura da eletrônica devido a suas propriedades superiores, incluindo uma mais alta tensão da divisão, uma condutibilidade térmica mais alta, e uma mais alta temperatura do funcionamento máximo. Sic os dispositivos podem operar-se em umas temperaturas muito mais altas do que dispositivos silicone-baseados, fazendo os apropriados para o uso em ambientes extremos, como em aplicações automotivos, aeroespaciais, e da energia.
Aplicações
Depósito do nitreto de III-V
Dispositivos Optoelectronic
Dispositivos de alta potência
Dispositivos de alta temperatura
Dispositivos de poder de alta frequência
Propriedade
| Propriedade | único cristal 4H-SiC | único cristal 6H-SiC |
| Parâmetros da estrutura (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=3.073 c=15.117 |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Densidade | 3,21 | 3,21 |
| Dureza de Mohs | ~9,2 | ~9,2 |
| Coeficiente da expansão térmica (CTE) (/K) | 4-5 x10-6 | 4-5 x10-6 |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dielétrica | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Lubrificando o tipo | N-tipo ou Semi-isolamento | N-tipo ou Semi-isolamento |
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Condutibilidade térmica (W/cm-K @298K) (N-tipo, 0,02 ohm-cm) |
a~4.2 c~3.7 |
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Condutibilidade térmica (W/cm-K @298K) (tipo deisolamento) |
a~4.9 c~3.9
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a~4.6 c~3.2
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| Faixa-Gap (eV) | 3,23 | 3,02 |
| Campo elétrico da divisão (V/cm) | 3-5 x 106 | 3-5 x106 |
| Velocidade de tração da saturação (m/s) | 2,0 x 105 | 2,0 x 105 |
| Tamanhos da bolacha e da carcaça | Bolachas: 2, 3, 4, 6 polegadas; carcaças menores: 10x10, 20x20 milímetro, outros tamanhos estão disponíveis e podem ser feito-à-medida mediante solicitação | |
| Categorias do produto |
Uma densidade zero do micropipe da categoria (MPD < 1="">cm-2) Categoria da produção da categoria de B (MPD<> 5 cm-2) Categoria da pesquisa da categoria de C (MPD<> 15 cm-2) Categoria do manequim da categoria de D (MPD<> 30 cm-2) |
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Especificação
| Diâmetro | 50,8 | 76,2 | 100 | 150 | milímetro |
| Tipo | 4H- N) (do nitrogênio/4H-SI (Semi-isolar) | ||||
| Resistividade | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 | Ω.cm | |||
| Thickness* | (± 330 ~ de 500) 25 | µm | |||
| Orientation* |
Em-linha central: <0001> ± 0.5˚ Fora-linha central: 4˚± 0.5˚off para (11-20) |
grau | |||
| Flat* preliminar | ± 5.0˚ (de 10-10) | grau | |||
| Plano secundário | Cara do silicone: 90˚CW do ± preliminar 5.0˚ | Nenhum | grau | ||
| TTV* | ≤15 | µm | |||
| Bow* | ≤25 | ≤40 | µm | ||
| Warp* | ≤25 | ≤35 | ≤40 | ≤60 | µm |
| Densidade de Micropipe | Zero: ≤1/produção: ≤5/manequim: ≤15 | cm2 | |||
| Aspereza | Lustrado (Ra≤1) | nanômetro | |||
| CMP (Ra≤0.5) | |||||
Corrente industrial
A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparação material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricação do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone são preparados geralmente pela transmissão física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial são geradas então pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes são feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido à dificuldade da tecnologia de fabricação da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relação ascendente da carcaça.
A empresa de ZMSH fornece fornece bolachas de 100mm e de 150mm sic. Com sua dureza (é sic o segundo material o mais duro no mundo) e estabilidade sob o calor e a corrente de alta tensão, este material está sendo amplamente utilizado em diversas indústrias.
FAQ
Q: Que é a maneira de termo do transporte e do custo e do pagamento?
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Q: Que é seu MOQ?
: (1) para o inventário, o MOQ é 3pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs acima.
Q: Posso eu personalizar os produtos baseados em minha necessidade?
: Sim, nós podemos personalizar o material, as especificações e a forma, tamanho baseado em suas necessidades.
Q: Que é o prazo de entrega?
: (1) para os produtos padrão
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloca a ordem.
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