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Bolacha da safira
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| Lugar de origem | China |
| Marca | zmkj |
| Certificação | Cz/ Rohs/ GSG |
| Número do modelo | 4.125/6.125/6inch/8inch |
o lado simples ou duplo do C-plano de 4inch Sapphire Wafer lustrou o único cristal Al2O3
plano único Crystal Sapphire Wafer de 4inch Dia100mm A
linha central único Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates de 2inch Dia50mm C
8inch diâmetro 159mm único Crystal Sapphire Wafer For Epi - portador pronto
a bolacha da safira da R-linha central do c-plano de 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), carcaças da safira de dia200mm, bolacha lustrada para epi-pronto conduzido, carcaças da safira da C-linha central 2-6inch lado dobro da safira, lente Al2O3 ótica de cristal, lado dobro lustrou a superfície 8" de SSP o C-plano de Sapphire Carrier Wafer (0001) com melhor preço, 8inch diâmetro 159mm único Crystal Sapphire Wafer For Epi - portador pronto
Porque escolha únicos produtos de Crystal Sapphire?
A única safira de cristal possui propriedades óticas, físicas e químicas excelentes. É os cristais os mais duros do óxido, e permanece resistência de grande resistência e química em altas temperaturas. Igualmente caracteriza uma escala de comprimento de onda larga da transmissão, uma grande isolação elétrica, e uma boa condutibilidade térmica no ponto baixo
temperaturas.
Especificações de Sapphire Wafer, 4 polegadas, C-plano (0001), categoria principal
| Material | Pureza alta, >99.99%, único Al de cristal2O3 |
| Dimensão | 100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros |
| Espessura | 650 um +/- 25 um (SSP), 600 um +/- 25 um (DSP) |
| Parâmetro da estrutura | a=4.785 A, c=12.991 A |
| Densidade | 3,98 g/cm3 |
| Orientação | Safira plana de C (0001) fora do plano 0,2+/de M - 0,1 graus, R-plano (1-102), Um-plano (11-20), M-plano (10-10) estão disponíveis. |
| Orientação lisa preliminar | Um-plano +/- 0,2 graus |
| Variação total da espessura (TTV) | <20um> |
| Curva | <20um> |
| Urdidura | <20um> |
| Coeficiente da expansão térmica | perpendicular paralela de 6,66 x 10- de 6/°C à linha central de C, 5 x 10- 6/°C à linha central de C |
| Força dielétrica | 4,8 x 105 V/cm |
| Constante dielétrica | 11,5 (1 megahertz) ao longo da linha central de C, 9,3 perpendicular (1 megahertz) à linha central de C |
| Tangente da perda dielétrica (a.k.a fator de dissipação) | menos de 1 x 10- 4 |
| Condutibilidade térmica | Condutibilidade térmica |
Propriedades elétricas da safira
Resistividade, ohm x cm no °C 200-500: 1011 - 1016
Constante dielétrica: 10,0
Força dielétrica, V/cm: 4 x 105
Tangente da perda: 1 x 10-4
Exposição do produto
Embalagem de bolachas da safira
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: Nossos produtos padrão em stock.as como 4inch 0.65mm, bolacha lustrada 0.5mm.
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