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as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha

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as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha

6Inch GaN-on-Sapphire orSapphire substrates Based Blue Led Epi-Wafer  HEMT
6Inch GaN-on-Sapphire orSapphire substrates Based Blue Led Epi-Wafer  HEMT 6Inch GaN-on-Sapphire orSapphire substrates Based Blue Led Epi-Wafer  HEMT 6Inch GaN-on-Sapphire orSapphire substrates Based Blue Led Epi-Wafer  HEMT 6Inch GaN-on-Sapphire orSapphire substrates Based Blue Led Epi-Wafer  HEMT

Imagem Grande :  as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: o azul da GaN-EM-safira 2inch conduziu a epi-bolacha
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: usd150.00
Detalhes da embalagem: única recipiente da bolacha ou caixa da gaveta 25pcs sob a sala 100cleaning
Tempo de entrega: 1-4week;
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 1000PCS/Month
Descrição de produto detalhada
Material: epi-bolachas da GaN-EM-safira Carcaça: Safira
Tamanho: 2-6inch Superfície: SSP/DSP
OEM MOQ: 20PCS Espessura: 430um para 2inch
espessura do epi: 1-5um Aplicação: Diodo emissor de luz
Destacar:

Bolacha do diodo emissor de luz Epi de GaN

,

Bolacha do diodo emissor de luz Epi da safira

,

Bolacha do arsenieto de gálio de 6 polegadas

o azul da GaN-EM-safira de 2inch 4inch 6inch conduziu a epi-bolacha PSS para o HEMT

Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com uma espessura de 2 na polegada das carcaças 430um da safira do C-plano, 4 polegadas 520um, 650um e 6 polegadas 1000-1300um, o valor normal da camada do amortecedor de GaN são 2-4um; nós podemos igualmente fornecer estruturas e parâmetros personalizados de acordo com exigências de cliente.

GaN em Sapphire Templates

GaN em moldes da safira está disponível nos diâmetros de 2" até 6" e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida por HVPE em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis

Como um fabricante e um fornecedor principais de bolachas do epi de GaN (nitreto do gálio), nós oferecemos 2-6inch GaN em bolachas do epi da safira para aplicações da eletrônica da micro-ondas com uma espessura de 2 na polegada das carcaças 430um da safira do C-plano, 4 polegadas 520um, 650um e 6 polegadas 1000-1300um, o valor normal da camada do amortecedor de GaN são 2-4um; nós podemos igualmente fornecer estruturas e parâmetros personalizados de acordo com exigências de cliente.

ZMSH é cometido para produzir as epi-bolachas azuis de alta qualidade do diodo emissor de luz em planar
carcaças da safira e teste padrão Sapphire Substrates (PSS) com tamanho da bolacha de 2 polegadas a 6 polegadas.
A qualidade da bolacha encontra as seguintes especs.:

as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha 0

as carcaças do orSapphire da GaN-em-safira 6Inch basearam o HEMT conduzido azul da Epi-bolacha 1

Características de cano principal (azuis/estrutura verde do diodo emissor de luz):
boa qualidade de cristal
Dispositivos optoelectronic de capacidade elevada

Para mais informação, visite por favor nosso Web site a outra página;
envie-nos o e-mail em eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH é um fabricante principal do material do semicondutor em China. ZMSH desenvolve tecnologias avançadas do crescimento de cristal e da epitaxia, processos de manufatura, carcaças projetadas e dispositivos de semicondutor. Nossas tecnologias permitem um desempenho mais alto e uma fabricação mais barata da bolacha de semicondutor.

Você pode obter nosso serviço livre da tecnologia do inquérito após ao serviço baseado em nossas experiências 10+ na linha do semicondutor.

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Pessoa de Contato: Mr. Wang

Telefone: +8615801942596

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