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Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser

Nome da marca:	zmkj
Número do modelo:	GaN-2INCH
MOQ:	1PC
preço:	by case
Tempo de entrega:	2-4weeks
Condições de pagamento:	L/C, T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

CHINA

Material:

Único cristal de GaN

Método:

HVPE

Tamanho:

2inch

Espessura:

330um

Indústria:

LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,

Cor:

Branco

Pacote:

único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo

Detalhes da embalagem:

única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias

Destacar:

Bolacha do nitreto do gálio de HVPE

bolacha do nitreto do gálio de GaN

bolacha gan de HVPE

Descrição do produto

carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN,

Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.

Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser 0

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,

Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

Bolacha cristalizada do nitreto do gálio de HVPE GaN para o dispositivo do laser 2

Especificações:

Artigo	GaN-FS-n
Dimensões	± 1mm de Ф 50.8mm
Marco Defect Density	Um nível	≤ 2 cm2
	Nível de B	> 2 cm2
Espessura	300 µm do ± 25
Orientação	± 0.5° da C-linha central (0001)
Plano da orientação	± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Plano secundário da orientação	± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura)	µm ≤15
CURVA	µm ≤20
Tipo da condução	N-tipo
Resistividade (300K)	< 0="">
Densidade de deslocação	Menos do que os cm2 5x106
Área de superfície útil	> 90%
Polonês	Front Surface: Ra < 0=""> Superfície traseira: Terra fina
Pacote	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

2. Nossa visão da empresa

nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria.

GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

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- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.

Etiquetas:

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