Detalhes do produto
Lugar de origem: CHINA
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-2INCH
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 1PC
Preço: by case
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: L/C, T/T
Material: |
Único cristal de GaN |
Método: |
HVPE |
Tamanho: |
2inch |
Espessura: |
330um |
Indústria: |
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, |
Cor: |
Branco |
Pacote: |
único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo |
Material: |
Único cristal de GaN |
Método: |
HVPE |
Tamanho: |
2inch |
Espessura: |
330um |
Indústria: |
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector, |
Cor: |
Branco |
Pacote: |
único pacote da caixa da gaveta da bolacha pela condição do vácuo |
carcaças autônomas de 2inch GaN, bolacha para o LD, bolacha semiconducting de GaN do nitreto do gálio para conduzido, molde de GaN, carcaças de 10x10mm GaN, bolacha nativa de GaN,
A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.
GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
Especificações:
| Artigo | GaN-FS-n | |
| Dimensões | ± 1mm de Ф 50.8mm | |
| Marco Defect Density | Um nível | ≤ 2 cm2 |
| Nível de B | > 2 cm2 | |
| Espessura | 300 µm do ± 25 | |
| Orientação | ± 0.5° da C-linha central (0001) | |
| Plano da orientação | ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm | |
| Plano secundário da orientação | ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm | |
| TTV (variação total da espessura) | µm ≤15 | |
| CURVA | µm ≤20 | |
| Tipo da condução | N-tipo | |
| Resistividade (300K) | < 0=""> | |
| Densidade de deslocação | Menos do que os cm2 5x106 | |
| Área de superfície útil | > 90% | |
| Polonês |
Front Surface: Ra < 0=""> Superfície traseira: Terra fina |
|
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. | |
2. Nossa visão da empresa
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.
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