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Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF
  • Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF

Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF

Lugar de origem CHINA
Marca zmsh
Número do modelo GaN-001
Detalhes do produto
Material:
Único cristal de GaN
Indústria:
Bolacha de semicondutor, diodo emissor de luz
Aplicação:
dispositivo de semicondutor, bolacha do LD, bolacha do diodo emissor de luz, detector do explorador,
Tipo:
HVPE e molde
Personalizado:
APROVAÇÃO
Tamanho:
2inchx0.35mmt comum
Realçar: 

única bolacha gan de cristal do epi

,

bolacha gan do epi do molde

,

carcaças gan do molde

Descrição do produto

bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças livres para o applicaion do diodo emissor de luz, microplaquetas de GaN da posição de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN

 

Sobre GaN Feature introduza

O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta temperatura e altas fez à reconsideração da indústria do semicondutor a escolha dos materiais usados como semicondutores. Por exemplo,

tão vário mais rapidamente e os dispositivos de computação menores levantam-se, o uso do silicone estão fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na eletrônica de poder, a bolacha de semicondutor de GaN é crescida assim para fora para a necessidade.

Devido a suas tensão de divisão original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutação alta), nitreto GaN do gálio é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro. GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, perdas de poder assim da diminuição, interruptor em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.

 

A tecnologia de GaN é usada em aplicações de alta potência numerosas tais como fontes industriais, do consumidor e do servidor de alimentação, movimentação solar, da C.A. e inversores de UPS, e carros híbridos e elétricos. Além disso,

GaN é serido idealmente para aplicações do RF tais como estações base, radares e a televisão por cabo celulares

infraestrutura nos trabalhos em rede, setores do espaço aéreo e da defesa, agradecimentos a sua força alta da divisão, figura de baixo nível de ruído e linearidades altas.Carcaça de HVPE GaN ou bolacha de GaN Template EPI para aplicações do RF 0

Aplicações

  1. - Vários diodos emissores de luz: diodo emissor de luz branco, diodo emissor de luz violeta, diodo emissor de luz ultravioleta, diodo emissor de luz azul
  2. - Detecção ambiental
  3. Carcaças para o crescimento epitaxial por MOCVD etc.
  4. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para projetores ultra pequenos.
  5. - Dispositivos eletrónicos do poder
  6. - Dispositivos eletrónicos de alta frequência
  7. Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
  8. Armazenamento da data
  9. iluminação Energia-eficiente
  10. Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  11. Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
  12. Faixa do terahertz da fonte luminosa

Especificações para a categoria do diodo emissor de luz de GaN Substrates

 

 

 

2" GaN Substrates  
Artigo GaN-FS-n  
Dimensões ± 1mm de Ф 50.8mm
Marco Defect Density    
Nível de C > 2 cm2
Espessura 330 µm do ± 25
Orientação ± 0.5° da C-linha central (0001)
Plano da orientação ± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Plano secundário da orientação ± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura) µm ≤15
CURVA µm ≤20
Tipo da condução N-tipo  
Resistividade (300K) < 0="">  
Densidade de deslocação Menos do que os cm2 5x106
Área de superfície útil > 90%
Polonês Front Surface: Ra < 0="">
Superfície traseira: Terra fina
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

 

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O quanlity macro do defeito é <30pcs para a terra comum das bolachas da categoria do diodo emissor de luz (15-30pcs)

 

Nossos serviços

1. Fabricação e venda diretas da fábrica.

2. Rapidamente, citações exatas.

3. Responda-lhe dentro de 24 horários laborais.

4. ODM: O projeto personalizado está disponível.

 

5. Velocidade e entrega preciosa.

 

FAQ

Q: Há algum produto conservado em estoque ou padrão?

: Sim, tamanho comum como o tamanho padrão de like2inch 0.3mm sempre nos estoques.

 

Q: Como sobre a política das amostras?

: pesaroso, mas sugira que você possa comprar algum tamanho de 10x10mm para trás para o teste em primeiro lugar.

 

Q: Se mim colocam uma ordem agora, quanto tempo seria antes que eu obtiver a entrega?

: o tamanho padrão no estoque em 1weeks pode ser expressado após o pagamento.

 e nosso termo do pagamento é depósito de 50% e esquerdo antes da entrega.

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