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Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

Name: Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-001
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

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Lugar de origem: China

Marca: zmsh

Número do modelo: GaN-001

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Quantidade de ordem mínima: 1pcs

Preço: by case

Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias

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Materiais:	Único cristal de GaN	indústria:	Bolacha de semicondutor, diodo emissor de luz
Aplicação:	dispositivo de semicondutor, bolacha do LD, bolacha do diodo emissor de luz, detector do explorador,	Tipo:	Molde de HVPE
Personalizado:	APROVAÇÃO	Tamanho:	10X10,5X5,20X20,30X30, DIA45MM,

Materiais:	Único cristal de GaN
indústria:	Bolacha de semicondutor, diodo emissor de luz
Aplicação:	dispositivo de semicondutor, bolacha do LD, bolacha do diodo emissor de luz, detector do explorador,
Tipo:	Molde de HVPE
Personalizado:	APROVAÇÃO
Tamanho:	10X10,5X5,20X20,30X30, DIA45MM,

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros

bolacha de GaN do nitreto do gálio do método de 2inch HVPE, carcaças eretas livres para o LD, microplaquetas de GaN de GaN do tamanho de 10x10mm, bolacha de HVPE GaN

Sobre a característica de GaN introduza

O aumento da procura para capacidades demanipulação de alta velocidade, de alta temperatura e altas tem a reconsideração da indústria do semicondutor do madethe a escolha de materiais usados como semicondutores. Por exemplo,

enquanto os vários dispositivos de computação mais rápidos e menores se levantam, o uso do silicone está fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na bolacha de eletrônica de poder, assim que de semicondutor de GaN é crescido para fora para a necessidade.

Devido a suas tensão de divisão original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutação alta), nitreto GaN do gálio é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro. GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, as perdas de poder assim da diminuição, comutam em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.

A tecnologia de GaN é usada em aplicações de alta potência numerosas tais como fontes industriais, do consumidor e do servidor de alimentação, movimentação solar, da C.A. e inversores de UPS, e carros híbridos e bondes. Além disso,

GaN é serido idealmente para aplicações do RF tais como estações base, radares e a televisão por cabo celulares

infraestrutura nos trabalhos em rede, setores do espaço aéreo e da defesa, agradecimentos a sua força alta da divisão, figura de baixo nível de ruído e linearidades altas.

Especificações para carcaças de GaN

	2" carcaças de GaN
Artigo	GaN-FS-n	GaN-FS-SI
Dimensões	± 1mm de Ф 50.8mm
Densidade do defeito de Marco	Um nível	≤ 2 cm^-2
	Nível de B	> 2 cm^-2
Espessura	330 µm do ± 25
Orientação	± 0.5° da C-linha central (0001)
Orientação lisa	± 0.5° (de 1-100), ± 16,0 1.0mm
Orientação secundária lisa	± 3° (de 11-20), 8,0 ± 1.0mm
TTV (variação total da espessura)	µm ≤15
CURVA	µm ≤20
Tipo da condução	N-tipo	Semi-isolamento
Resistividade (300K)	< 0="">	>10⁶ Ω·cm
Densidade de deslocação	Menos do que 5x106 cm^-2
Área de superfície útil	> 90%
Polonês	Superfície dianteira: Ra < 0="">
	Superfície traseira: Terra fina
Pacote	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

P-GaN na safira

Crescimento	MOCVD/HVPE
Condutibilidade	Tipo de P
Entorpecente	Magnésio
Concentração	> 5E17 cm-3
Espessura	1 ~ 5 um
Resistividade	< 0="">
Carcaça	Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" bolacha da safira

Aplicações

- Vários diodos emissores de luz: diodo emissor de luz branco, diodo emissor de luz violeta, diodo emissor de luz ultravioleta, diodo emissor de luz azul
- Detecção ambiental
Carcaças para o crescimento epitaxial por MOCVD etc.
- Diodos láser: LD violeta, LD verde para projetores ultra pequenos.
- Dispositivos eletrónicos do poder
- Dispositivos eletrónicos de alta frequência
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
Armazenamento da data
iluminação Energia-eficiente
Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
Faixa do terahertz da fonte luminosa

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros 1

Bolacha de GaN do nitreto do gálio de HVPE, posição livre da microplaqueta de Gan um tamanho de 10 x 10 milímetros 2

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