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Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: zmkj

Número do modelo: Si-8 polegadas

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 25pcs

Preço: by case

Detalhes da embalagem: casstle 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias

Tempo de entrega: 5-30days

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Destacar:

carcaça de silicone

,

bolacha de silicone lustrada

Materiais:
Si cristal único
Indústria:
Wafer semicondutor IC, solor, vidro óptico
Aplicação:
IC, solor wafer, lente óptica,
Tamanho:
Diâmetro 200 mm
Método:
Cz,Fz
Tipo:
Dopante: P (B), N (P)
Grau:
Grau superior/grau de ensaio
Materiais:
Si cristal único
Indústria:
Wafer semicondutor IC, solor, vidro óptico
Aplicação:
IC, solor wafer, lente óptica,
Tamanho:
Diâmetro 200 mm
Método:
Cz,Fz
Tipo:
Dopante: P (B), N (P)
Grau:
Grau superior/grau de ensaio
Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo

Descrição do produto

Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm Espessura 700um Tipo P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo

As bolinhas de silício são tipicamente cortadas a partir de barras de silício monocristalino de alta pureza.e depois cortado e polido para fazer wafers de silícioOs diâmetros comuns de wafer de silício incluem 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas, etc. A espessura da wafer é geralmente entre 0,5-0,7 mm.Os wafers de silício podem ser dopados com diferentes elementos de impurezas (ePor exemplo, fósforo, boro) para ajustar as suas propriedades elétricas para criar materiais de silício de tipo n ou p.Isto é importante para a fabricação de vários circuitos integrados e dispositivos semicondutoresA superfície das bolinhas de silício precisa ser polida, limpa e de outros tratamentos para remover defeitos de superfície e contaminação e garantir que a superfície da bolinha seja plana e lisa.

Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo 0


Características

1.Estrutura cristalina:O silício é um semicondutor elementar típico com uma estrutura cristalina de diamante regular e um arranjo ordenado de átomos, o que fornece uma boa base para suas propriedades eletrônicas.
2.Características electrónicas:A largura de banda do silício é de cerca de 1,12 eV, que está entre o isolante e o condutor, e pode gerar e recombinar pares de elétrons-buracos sob a ação de um campo elétrico externo,apresentando assim boas propriedades de semicondutor.
3.Doping:O silício pode ser ajustado incorporando elementos de impurezas do grupo III (por exemplo, B) ou V (por exemplo, P, As) para ajustar o seu tipo de condutividade e resistividade,que permitam a fabricação de vários dispositivos semicondutores.
4.Oxidabilidade:O silício pode reagir quimicamente com o oxigênio a altas temperaturas para formar um filme denso e uniforme de dióxido de silício (SiO2), que estabelece a base para processos de circuito integrado baseados em silício.
5.Propriedades mecânicas:O silício possui uma elevada dureza, resistência e estabilidade química, o que favorece o corte, polimento e outros processos de processamento subsequentes.
6.Tamanho e dimensão:As wafers podem ser preparadas em discos com diâmetro de 2 a 12 polegadas para atender às necessidades de diferentes processos.

Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo 1


Parâmetros técnicos

Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo 2


Aplicações

1.Circuitos integrados:Os wafers de silício são os principais suportes para a fabricação de vários circuitos integrados digitais (como CPUs, memórias) e circuitos integrados analógicos (como amplificadores e sensores operacionais).
2.Células solares:Os wafers de silício são transformados em módulos de células solares, que são amplamente utilizados na geração de energia fotovoltaica distribuída e no fornecimento de energia.
3.Sistemas microelectromecânicos (MEMS):Dispositivos MEMS como microatuadores e sensores são fabricados utilizando as propriedades mecânicas e técnicas de microfabricação de materiais de silício.
3.Eletrónica de potência:Fabricar uma ampla gama de dispositivos de semicondutores de potência com base em silício, tolerância a altas temperaturas e alta capacidade de carga de potência.
4.Sensores:Os sensores baseados em silício são amplamente utilizados em equipamentos eletrônicos, controle industrial, eletrônicos automotivos e outros campos, como sensores de pressão, sensores de aceleração, etc.

Wafer de silício de 8 polegadas Diâmetro 200 mm <111>Eixos 700um P Tipo N Tipo Polido único Polido duplo 3


Os nossos serviços

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.


Perguntas frequentes

1.P: Qual é o prazo de entrega?
A: (1) Para os produtos normalizados
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após a sua encomenda.
(2) Para os produtos de forma especial, a entrega é de 4 semanas úteis após a sua encomenda.

2.P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações para os seus componentes ópticos
com base nas suas necessidades.