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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Name: 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-moldes
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: zmkj

Número do modelo: GaN-moldes

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 5pc

Preço: by case

Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias

Tempo de entrega: 2-4 semanas

Termos de pagamento: L / C, T / T

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Descrição do produto

Destacar: 
                                                                                                                                                                                                                                                carcaça gan, molde gan
                              

Material:	Epi de GaN no portador da safira	Método:	HVPE
Tamanho:	2inch	Espessura:	430um
Indústria:	LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,	Superfície:	único lado lustrado

Material:	Epi de GaN no portador da safira
Método:	HVPE
Tamanho:	2inch
Espessura:	430um
Indústria:	LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,
Superfície:	único lado lustrado

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN,

Especificações de GaN/características especiais:

O nitreto do gálio (GaN) é um material feito muito duro que tenha um wurtzite a estrutura de cristal e é provavelmente o material o mais importante do semicondutor como o material da terceira geração semi.
Pode ser usado para emitir-se a luz brilhante sob a forma dos diodos luminescentes (diodo emissor de luz) e dos diodos láser, assim como ser o material chave para a alta frequência da próxima geração, transistor de poder superior capazes do funcionamento em altas temperaturas.
GaN baseou a bolacha epitaxial (safira, sic) que as bolachas Epitaxial são crescidas pelo método do MBE ou do MOCVD, a uma camada ou as estruturas da multi-camada em carcaças da safira, diâmetro até 4 polegadas.

Tampa proibida da largura de banda do Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) (luminescente e absorção) o ultravioleta,

a luz visível e infrared.GaN podem ser usados em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, detecção alta-tensão

e imagem latente, exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 0

Especificações:

2" moldes de GaN

Artigo	GaN-T-N	GaN-T-S
Dimensões	Ф 2"
Espessura	15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40	30 μm, μm 90
Orientação	± 1° da C-linha central (0001)
Tipo da condução	N-tipo	Semi-isolamento
Resistividade (300K)	< 0="">Ω·cm	>106 Ω·cm
Densidade de deslocação	Menos do que os cm2 1x108
Estrutura da carcaça	GaN grosso na safira 430um ou 330um (0001)
Área de superfície útil	> 90%
Polonês	Padrão: Opção de SSP: DSP
Pacote	Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido 3
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF pela CORRENTE DE RELÓGIO.
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(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
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100%T/T adiantado, Paypal, união ocidental, MoneyGram,

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