Resumo: Descubra a bolacha de carbeto de silício SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC de 10x10x0,5mm, projetada para eletrônica de potência de alto desempenho. Esta bolacha oferece alta qualidade de cristal, baixas densidades de defeitos e opções personalizáveis para atender às suas necessidades de fabricação de dispositivos. Ideal para os mercados de transporte, energia e industrial.
Características do produto relacionadas:
Alta qualidade de cristal para aplicações eletrônicas de potência exigentes.
Densidades de defeitos baixas garantindo um desempenho confiável.
Personalizável para atender às necessidades específicas de fabricação do dispositivo.
Bolachas de grande diâmetro para melhor economia de escala.
Produzido utilizando técnicas de crescimento por transporte de vapor físico (PVT) de última geração.
Características mecânicas consistentes para compatibilidade com processos de fabricação.
Otimiza o desempenho e o custo total de propriedade para dispositivos de próxima geração.
Disponível em tamanho de 150 mm para melhorar a eficiência da produção.
FAQ:
Quais são as principais características da bolacha 4H-SiC?
A bolacha apresenta alta qualidade de cristal, baixas densidades de defeitos e opções personalizáveis para fabricação de dispositivos, tornando-a ideal para eletrônica de potência.
Como é produzida a bolacha de SiC?
A bolacha é produzida usando técnicas proprietárias de crescimento por transporte físico de vapor (PVT) de última geração e processos de fabricação avançados.
A bolacha pode ser personalizada para necessidades específicas?
Sim, a bolacha pode ser personalizada para atender aos requisitos de desempenho e custo, com opções para baixas densidades de defeitos e tolerâncias específicas.
Quais indústrias se beneficiam desta pastilha?
Indústrias como transportes, energia e mercados industriais se beneficiam das capacidades de alto desempenho da pastilha em eletrônica de potência.