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Substrato SiC Tipo 4H-N 10×10mm Bolacha Pequena

sic crystal
July 30, 2025
Conexão de Categoria: Sic carcaça
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Etiquetas:
#sic bolacha #sic carcaça #carcaça do carboneto de silicone
Resumo: Já se perguntou como o Substrato SiC Tipo 4H-N 10×10mm Small Wafer pode revolucionar a eletrônica de potência? Este vídeo apresenta seus recursos de alto desempenho, opções de personalização e inspeções rigorosas de qualidade, tornando-o ideal para aplicações B2B em veículos de nova energia, infraestrutura 5G e muito mais.
Características do produto relacionadas:
  • Produto semicondutor de alto desempenho baseado em carbeto de silício (SiC) com opções de politipo 4H-SiC ou 6H-SiC.
  • Tolerância dimensional controlada dentro de ±0,05mm e rugosidade superficial Ra < 0,5nm para aplicações de precisão.
  • Disponível em versões dopadas tipo N e tipo P com faixa de resistividade de 0,01-100Ω*cm.
  • Gerenciamento térmico excepcional com condutividade térmica de até 490 W/m*K, três vezes maior que o silício.
  • Propriedades elétricas superiores, incluindo rigidez dielétrica de 2-4 MV/cm e velocidade de derivação de saturação de elétrons de 2×10^7 cm/s.
  • Adaptabilidade ambiental extrema, mantendo desempenho estável em temperaturas de até 600°C.
  • Desempenho mecânico excepcional com dureza Vickers de 28-32GPa e resistência à flexão superior a 400MPa.
  • Serviços de personalização para orientação cristalina, espessura e concentração de dopagem com base nos requisitos do cliente.
FAQ:
  • Quais são as principais aplicações de wafers de SiC de 10x10 mm?
    As placas de SiC de 10 × 10 mm são usadas principalmente para prototipagem de eletrônicos de potência (MOSFETs / diodos), dispositivos de RF e componentes optoeletrônicos devido à sua alta condutividade térmica e tolerância à voltagem.
  • Como o SiC se compara ao silício para aplicações de alta potência?
    O SiC oferece 10 vezes mais tensão de quebra e 3 vezes melhor condutividade térmica do que o silício, permitindo dispositivos de alta temperatura/alta frequência menores e mais eficientes.
  • Quais opções de personalização estão disponíveis para o Substrato SiC de 10x10mm?
    As opções de personalização incluem formatos não padronizados (redondos, retangulares, etc.), perfis de dopagem especiais, metalização traseira e soluções sob medida para orientação cristalina, espessura e concentração de dopagem.
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