Substrato SiC Tipo 4H-N 10×10mm Bolacha Pequena

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Substrato SiC Tipo 4H-N 10×10mm Bolacha Pequena

sic crystal

July 30, 2025

Conexão de Categoria: Sic carcaça

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A pequena bolacha SiC 10×10 é um produto semicondutor de alto desempenho desenvolvido com base no material semicondutor de terceira geração, o carbeto de silício (SiC). Fabricado usando os processos de Transporte Físico de Vapor (PVT) ou Deposição Química de Vapor a Alta Temperatura (HTCVD), oferece duas opções de politipo: 4H-SiC ou 6H-SiC. Com tolerância dimensional controlada dentro de ±0,05mm e rugosidade superficial Ra < 0,5nm, o produto está disponível em versões dopadas do tipo N e do tipo P, cobrindo uma faixa de resistividade de 0,01-100Ω·cm. Cada bolacha passa por rigorosas inspeções de qualidade, incluindo difração de raios X (XRD) para teste de integridade da rede cristalina e microscopia óptica para detecção de defeitos de superfície, garantindo

Etiquetas:

#sic bolacha #sic carcaça #carcaça do carboneto de silicone

Resumo: Descubra o Wafer 4H-N tipo SiC Substrato 10x10mm, um produto semicondutor de alto desempenho para eletrônica de potência.Esta bolacha é ideal para veículos de energia nova, infra-estruturas 5G e aplicações aeroespaciais.

Características do produto relacionadas:

Substrato de SiC tipo 4H-N com dimensões de 10x10mm e tolerância de ±0,05mm.
Conductividade térmica de até 490 W/m*K, três vezes superior ao silício.
Intensidade do campo de ruptura de 2-4 MV/cm, dez vezes maior que a do silício.
Desempenho estável em temperaturas de até 600°C com baixa expansão térmica.
Dureza Vickers de 28-32GPa e resistência à flexão superior a 400MPa.
Orientação cristalina, espessura e concentração de dopagem personalizáveis.
Ideal para eletrônicos de potência, dispositivos de RF e componentes optoeletrônicos.
Inspecções de qualidade rigorosas, incluindo XRD e microscopia óptica.

FAQ:

Quais são as principais aplicações de wafers de SiC de 10x10 mm?

As placas de SiC de 10 × 10 mm são usadas principalmente para prototipagem de eletrônicos de potência (MOSFETs / diodos), dispositivos de RF e componentes optoeletrônicos devido à sua alta condutividade térmica e tolerância à voltagem.
Como o SiC se compara ao silício para aplicações de alta potência?

O SiC oferece 10 vezes mais tensão de quebra e 3 vezes melhor condutividade térmica do que o silício, permitindo dispositivos de alta temperatura/alta frequência menores e mais eficientes.
Quais opções de personalização estão disponíveis para o Substrato SiC de 10x10mm?

As opções de personalização incluem formas não padrão (redondas, retangulares), perfis de doping especiais, metalização posterior e orientação de cristal, espessura e concentração de doping personalizados.

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