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Chipe SiC para eletrônicos avançados

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December 09, 2025
Conexão de Categoria: Sic carcaça
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Etiquetas:
#sic bolacha #sic carcaça #carcaça do carboneto de silicone
Resumo: Mostramos os passos práticos e resultados para que você possa julgar a adequação rapidamente.do crescimento do cristal através da PVT até ao polimento finalVão ver como estes substratos de semicondutores avançados são produzidos para eletrônicos de alta potência, dispositivos de RF e aplicações optoeletrônicas.
Características do produto relacionadas:
  • Disponível em politipos 4H-SiC e 6H-SiC para eletrônica de potência de alta tensão e aplicações de RF.
  • Apresenta amplo bandgap de 3,2-3,3 eV para alta tensão de ruptura e eficiência.
  • A excelente condutividade térmica (3,0-4,9 W/cm*K) garante uma dissipação de calor superior.
  • Alta resistência mecânica com dureza Mohs de ~9,2 para durabilidade em ambientes agressivos.
  • Dimensões e espessura personalizáveis ​​(330-500 μm) para atender às necessidades específicas da aplicação.
  • Disponível com opções de dopagem tipo N ou tipo P para desempenho elétrico personalizado.
  • Acabamento de superfície polida em um ou dois lados, incluindo opções prontas para epi.
  • Ideal para eletrônica de potência, dispositivos de RF, optoeletrônica e aplicações aeroespaciais.
FAQ:
  • Por que escolher substratos de SiC em vez de silício tradicional?
    O SiC oferece desempenho térmico superior, maior resistência à ruptura e perdas de comutação significativamente menores em comparação ao silício, tornando-o ideal para aplicações de alta eficiência e alta potência.
  • Esses substratos podem ser fornecidos com camadas epitaxiais?
    Sim, oferecemos opções de epitaxia personalizadas e prontas para epi para aplicações de alta potência, RF ou dispositivos optoeletrônicos.
  • Você pode personalizar as dimensões e doping?
    Absolutamente. Tamanhos personalizados, perfis de dopagem e tratamentos de superfície estão disponíveis para atender às necessidades específicas da aplicação.
  • Qual é o desempenho dos substratos de SiC em condições extremas?
    Os substratos de SiC mantêm a integridade estrutural e a estabilidade elétrica em temperaturas acima de 600°C, tornando-os adequados para ambientes agressivos, como aeroespacial, defesa e aplicações industriais de alta potência.
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