Carbono de silício (SiC) Substrato 6 polegadas 8 polegadas Corte a laser Para preparação epitaxial

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May 29, 2024

Conexão de Categoria: Sic carcaça

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Substrato SiC de Qualidade da China.
https://www.galliumnitridewafer.com/china-silicon_carbide_sic_substrate_6_inch_8_inch_laser_cutting_for_epitaxial_preparation-44264456.html
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD fabricante de qualidade da China.
Podemos fornecer:
Bolacha de Nitreto de Gálio: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
Bolacha de Safira: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.html
Substrato SiC: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
Bem-vindo a visitar nosso site oficial: http://www.galliumnitridewafer.com

Etiquetas:

#sic bolacha #sic carcaça #carcaça do carboneto de silicone

Resumo: Descubra o substrato avançado de Carbono de Silício (SiC) em tamanhos de 6 e 8 polegadas, projetado para corte a laser e preparação epitaxial.Redução de custosAs opções personalizáveis incluem camadas de epilhares grossas, dopagem personalizada e estruturas complexas para uma funcionalidade ótima.

Características do produto relacionadas:

Substrato de carburo de silício (SiC) disponível em tamanhos de 6 polegadas e 8 polegadas para corte a laser e preparação epitaxial.
Alta condutividade térmica (4,9 W/mK) e excelente isolamento elétrico para um desempenho superior.
Tensão de ruptura de 5,5 MV/cm e resistência à tração > 400 MPa para durabilidade.
As opções personalizáveis incluem camadas de epilhares grossas, camadas tampão e níveis de doping personalizados.
A rugosidade da superfície Ra < 0,5 nm garante precisão para aplicações de alto desempenho.
Suporta estruturas complexas como configurações multicamadas, junções p-n e camadas embutidas.
Embalado em materiais anti-estáticos e recipientes rígidos para máxima protecção durante o transporte.
Quantidade mínima de pedido de 10 peças com capacidade de fornecimento de 1000 peças/mês.

FAQ:

Quais são as principais aplicações dos substratos de carbeto de silício (SiC)?

Os substratos de SiC são fundamentais na eletrônica de potência e na optoeletrônica, melhorando o desempenho do dispositivo por meio de camadas epitaxiais de alta qualidade.São ideais para a produção em larga escala devido às suas propriedades térmicas e eléctricas superiores..
Como são embalados os substratos de SiC para transporte?

Cada substrato é envolvido individualmente em material antiestático, colocado num recipiente rígido sob medida e amortecido com espuma ou borracha.Medidas adicionais, como pacotes de gel de sílica, controlam a umidade para garantir condições ideais na chegada..
Que opções de personalização estão disponíveis para substratos de SiC?

A personalização inclui camadas de epífitas grossas, camadas tampão, níveis de doping personalizados e estruturas complexas como configurações multicamadas e junções p-n.Os substratos também estão disponíveis em tamanhos de 6 polegadas e 8 polegadas para atender aos requisitos específicos.

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