Bolacha de Arsenieto de Gálio (GaAs) dopada com Zn de 2 polegadas para aplicações em LED e Diodo Laser

Visão Geral do Produto

A bolacha de Arsenieto de Gálio (GaAs) dopada com Zn de 2 polegadas é uma bolacha semicondutora do tipo p de alta qualidade fabricada usando o método de crescimento de cristal Vertical Gradient Freeze (VGF). A dopagem com zinco fornece características elétricas do tipo p estáveis e uniformes, permitindo um desempenho confiável na fabricação de dispositivos LED, diodos laser, optoeletrônicos e microeletrônicos.

Como um semicondutor III–V de banda direta, o GaAs oferece alta mobilidade de portadores, resposta eletrônica rápida e excelente eficiência óptica. Esta bolacha é fornecida com orientação cristalina (100), concentração de portadores controlada, baixa densidade de poços de ataque e acabamentos de superfície polidos, garantindo um desempenho consistente do processo e alto rendimento do dispositivo. O controle rigoroso da planicidade, curvatura, empenamento e contaminação por partículas suporta o processamento avançado de bolachas e o crescimento epitaxial usando técnicas MBE ou MOCVD.

Com planos de orientação opcionais, configurações de entalhe e marcação a laser na parte traseira, a bolacha de GaAs dopada com Zn de 2 polegadas oferece flexibilidade para diferentes fluxos de processo e requisitos de identificação. Suas propriedades elétricas estáveis e qualidade de superfície confiável a tornam adequada para ambientes de pesquisa e produção em volume na fabricação de dispositivos optoeletrônicos e de alta frequência.

Especificações Técnicas – Bolacha de GaAs dopada com Zn de 2 polegadas

Aplicações

• Processamento de bolachas LED

• Fabricação de bolachas de diodo laser

• Bolachas de dispositivos optoeletrônicos

• Bolachas eletrônicas de RF e alta frequência

Perguntas Frequentes

Esta bolacha de GaAs é adequada para a fabricação de LED e diodos laser?
Sim. As características elétricas do tipo p dopadas com Zn, combinadas com a orientação (100) e a concentração controlada de portadores, suportam a emissão de luz estável e o desempenho consistente do dispositivo na fabricação de LED e diodos laser.

Esta bolacha pode ser usada diretamente para crescimento epitaxial?
Sim. A bolacha é fornecida com superfícies polidas, baixa contaminação por partículas e controle rigoroso da planicidade, permitindo o uso direto em processos de crescimento epitaxial MBE ou MOCVD.

As especificações da bolacha podem ser personalizadas para diferentes requisitos de processo?
Sim. Opções como planos de orientação, configuração de entalhe, marcação a laser na parte traseira, acabamento da superfície e parâmetros elétricos selecionados podem ser ajustados sob demanda para atender às necessidades específicas de equipamentos e processos.

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