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Detalhes dos produtos

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carcaça cerâmica
Created with Pixso. Placa cerâmica escalonada de carboneto de silício (SiC) personalizada para equipamentos semicondutores

Placa cerâmica escalonada de carboneto de silício (SiC) personalizada para equipamentos semicondutores

Nome da marca: ZMSH
MOQ: 10
Tempo de entrega: 2-4 SEMANAS
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
XANGAI, CHINA
Material:
Carbono de silício (SiC)
Pureza:
≥ 99% (típico)
Densidade:
3,10 – 3,20 g/cm³
Dureza:
≥ 2500 HV
Resistência Flexural:
≥ 350 MPa
Módulo Elástico:
~410GPa
Condutividade térmica:
120 – 200 W/m·K
Coeficiente de Expansão Térmica (CTE):
~4,0 × 10⁻⁶ /K
Destacar:

Placa cerâmica SiC personalizada para semicondutores

,

Substrato cerâmico escalonado para equipamentos de semicondutores

,

Placa de carboneto de silício com alta condutividade térmica

Descrição do produto

Placa cerâmica escalonada de carboneto de silício (SiC) personalizada para equipamentos de semicondutores


Visão geral do produto


Este componente cerâmico de carboneto de silício personalizado apresenta uma geometria de placa circular com uma borda escalonada usinada com precisão. A estrutura escalonada permite o posicionamento axial preciso e a integração estável em câmaras de processo de semicondutores e sistemas térmicos avançados.


Fabricado a partir de cerâmica SiC de alta pureza, o componente oferece excelente resistência a altas temperaturas, exposição a plasma, corrosão química e choque térmico. A superfície é intencionalmente deixada sem polimento, pois o componente é projetado para uso funcional e estrutural, em vez de aplicações ópticas ou eletrônicas.


Os usos típicos incluem tampas de câmaras, tampas de revestimento, placas de suporte e componentes estruturais de proteção em equipamentos de fabricação de semicondutores, onde a estabilidade dimensional de longo prazo e a confiabilidade do material são críticas.


Placa cerâmica escalonada de carboneto de silício (SiC) personalizada para equipamentos semicondutores 0Placa cerâmica escalonada de carboneto de silício (SiC) personalizada para equipamentos semicondutores 1


Principais características


  • Material cerâmico de carboneto de silício de alta pureza

  • Design de borda escalonada para posicionamento e montagem precisos

  • Superfície retificada, sem polimento, otimizada para desempenho funcional

  • Excelente estabilidade térmica e baixa deformação térmica

  • Resistência superior a plasma, produtos químicos e gases corrosivos

  • Alta resistência mecânica e rigidez

  • Adequado para ambientes de vácuo e processos limpos

  • Dimensões e geometrias personalizadas disponíveis


Parâmetros técnicos (típicos)


Parâmetro Especificação
Material Carboneto de silício (SiC)
Pureza ≥ 99% (típico)
Densidade 3,10 – 3,20 g/cm³
Dureza ≥ 2500 HV
Resistência à flexão ≥ 350 MPa
Módulo de elasticidade ~410 GPa
Condutividade térmica 120 – 200 W/m·K
Coeficiente de expansão térmica (CTE) ~4,0 × 10⁻⁶ /K
Temperatura máxima de trabalho > 1600°C (em atmosfera inerte)
Temperatura máxima de trabalho (ar) ~1400°C
Resistividade elétrica Alta (grau isolante disponível)
Acabamento da superfície Retificado / Sem polimento
Planicidade Tolerância personalizada disponível
Condição da borda Chanfrada ou especificada pelo cliente
Compatibilidade ambiental Vácuo, plasma, gases corrosivos

Observação: Os parâmetros podem variar dependendo do grau de SiC, método de formação e requisitos de usinagem.


Aplicações típicas


  • Câmaras de processo de semicondutores (CVD, PECVD, LPCVD, sistemas de gravação)

  • Tampas de câmaras e tampas de revestimento

  • Placas de suporte estrutural em equipamentos de alta temperatura

  • Componentes cerâmicos voltados para plasma ou adjacentes ao plasma

  • Sistemas avançados de processamento a vácuo

  • Peças estruturais cerâmicas personalizadas para equipamentos de semicondutores e optoeletrônicos


Capacidades de personalização


  • Diâmetro externo e espessura personalizados

  • Altura e largura do degrau personalizadas

  • Retificação fina ou polimento opcionais sob demanda

  • Usinagem de acordo com desenhos ou amostras do cliente

  • Produção em pequenos lotes, protótipos e volume suportada


FAQ


P1: Qual é a função principal desta placa cerâmica escalonada de SiC?

A:
Este componente é usado principalmente como uma peça cerâmica estrutural ou funcional, como uma tampa de câmara, placa de suporte ou tampa de revestimento, em equipamentos de processo de semicondutores e alta temperatura. O design escalonado permite o posicionamento preciso e a montagem estável dentro das estruturas do equipamento.


P2: Por que a superfície não é polida?

A:
A superfície sem polimento é intencional. Este componente não é usado para funções ópticas ou eletrônicas, mas para fins estruturais e de proteção. As superfícies retificadas são suficientes e muitas vezes preferidas para melhor estabilidade mecânica e custo de fabricação reduzido em aplicações de câmaras de processo.


P3: Este componente é adequado para ambientes de plasma?

A:
Sim. O carboneto de silício oferece excelente resistência à erosão por plasma e corrosão química, tornando-o adequado para aplicações voltadas para plasma ou adjacentes ao plasma em câmaras de processo de semicondutores.


P4: Esta peça pode ser usada em sistemas de vácuo?

A:
Sim. O material e o processo de fabricação são compatíveis com ambientes de vácuo. A cerâmica SiC exibe baixa liberação de gases e mantém a estabilidade dimensional sob condições de vácuo e ciclagem térmica.


P5: As dimensões e a geometria do degrau podem ser personalizadas?

A:
Absolutamente. O diâmetro externo, a espessura, a altura do degrau, a largura do degrau e os recursos da borda podem ser personalizados de acordo com os desenhos do cliente ou os requisitos da aplicação.


P6: Você oferece versões polidas ou revestidas?

A:
Acabamento de superfície opcional, incluindo retificação fina ou polimento, pode ser fornecido sob demanda. Revestimentos também podem estar disponíveis dependendo da aplicação e do ambiente operacional.


P7: Quais indústrias normalmente usam este tipo de componente?

A:
Este tipo de componente cerâmico SiC é comumente usado na fabricação de semicondutores, optoeletrônica, sistemas de vácuo avançados e equipamentos de processamento industrial de alta temperatura.


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