| Nome da marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo de entrega: | 2-4 SEMANAS |
| Condições de pagamento: | T/T |
Este componente cerâmico de carboneto de silício personalizado apresenta uma geometria de placa circular com uma borda escalonada usinada com precisão. A estrutura escalonada permite o posicionamento axial preciso e a integração estável em câmaras de processo de semicondutores e sistemas térmicos avançados.
Fabricado a partir de cerâmica SiC de alta pureza, o componente oferece excelente resistência a altas temperaturas, exposição a plasma, corrosão química e choque térmico. A superfície é intencionalmente deixada sem polimento, pois o componente é projetado para uso funcional e estrutural, em vez de aplicações ópticas ou eletrônicas.
Os usos típicos incluem tampas de câmaras, tampas de revestimento, placas de suporte e componentes estruturais de proteção em equipamentos de fabricação de semicondutores, onde a estabilidade dimensional de longo prazo e a confiabilidade do material são críticas.
![]()
![]()
Material cerâmico de carboneto de silício de alta pureza
Design de borda escalonada para posicionamento e montagem precisos
Superfície retificada, sem polimento, otimizada para desempenho funcional
Excelente estabilidade térmica e baixa deformação térmica
Resistência superior a plasma, produtos químicos e gases corrosivos
Alta resistência mecânica e rigidez
Adequado para ambientes de vácuo e processos limpos
Dimensões e geometrias personalizadas disponíveis
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Material | Carboneto de silício (SiC) |
| Pureza | ≥ 99% (típico) |
| Densidade | 3,10 – 3,20 g/cm³ |
| Dureza | ≥ 2500 HV |
| Resistência à flexão | ≥ 350 MPa |
| Módulo de elasticidade | ~410 GPa |
| Condutividade térmica | 120 – 200 W/m·K |
| Coeficiente de expansão térmica (CTE) | ~4,0 × 10⁻⁶ /K |
| Temperatura máxima de trabalho | > 1600°C (em atmosfera inerte) |
| Temperatura máxima de trabalho (ar) | ~1400°C |
| Resistividade elétrica | Alta (grau isolante disponível) |
| Acabamento da superfície | Retificado / Sem polimento |
| Planicidade | Tolerância personalizada disponível |
| Condição da borda | Chanfrada ou especificada pelo cliente |
| Compatibilidade ambiental | Vácuo, plasma, gases corrosivos |
Observação: Os parâmetros podem variar dependendo do grau de SiC, método de formação e requisitos de usinagem.
Câmaras de processo de semicondutores (CVD, PECVD, LPCVD, sistemas de gravação)
Tampas de câmaras e tampas de revestimento
Placas de suporte estrutural em equipamentos de alta temperatura
Componentes cerâmicos voltados para plasma ou adjacentes ao plasma
Sistemas avançados de processamento a vácuo
Peças estruturais cerâmicas personalizadas para equipamentos de semicondutores e optoeletrônicos
Diâmetro externo e espessura personalizados
Altura e largura do degrau personalizadas
Retificação fina ou polimento opcionais sob demanda
Usinagem de acordo com desenhos ou amostras do cliente
Produção em pequenos lotes, protótipos e volume suportada
A:
Este componente é usado principalmente como uma peça cerâmica estrutural ou funcional, como uma tampa de câmara, placa de suporte ou tampa de revestimento, em equipamentos de processo de semicondutores e alta temperatura. O design escalonado permite o posicionamento preciso e a montagem estável dentro das estruturas do equipamento.
A:
A superfície sem polimento é intencional. Este componente não é usado para funções ópticas ou eletrônicas, mas para fins estruturais e de proteção. As superfícies retificadas são suficientes e muitas vezes preferidas para melhor estabilidade mecânica e custo de fabricação reduzido em aplicações de câmaras de processo.
A:
Sim. O carboneto de silício oferece excelente resistência à erosão por plasma e corrosão química, tornando-o adequado para aplicações voltadas para plasma ou adjacentes ao plasma em câmaras de processo de semicondutores.
A:
Sim. O material e o processo de fabricação são compatíveis com ambientes de vácuo. A cerâmica SiC exibe baixa liberação de gases e mantém a estabilidade dimensional sob condições de vácuo e ciclagem térmica.
A:
Absolutamente. O diâmetro externo, a espessura, a altura do degrau, a largura do degrau e os recursos da borda podem ser personalizados de acordo com os desenhos do cliente ou os requisitos da aplicação.
A:
Acabamento de superfície opcional, incluindo retificação fina ou polimento, pode ser fornecido sob demanda. Revestimentos também podem estar disponíveis dependendo da aplicação e do ambiente operacional.
A:
Este tipo de componente cerâmico SiC é comumente usado na fabricação de semicondutores, optoeletrônica, sistemas de vácuo avançados e equipamentos de processamento industrial de alta temperatura.