Precision Sapphire Lift Pins Single Crystal Al2O3 resistente ao desgaste para posicionamento de wafer de alta precisão
Os pinos elevadores de safira são componentes mecânicos de precisão fabricados a partir de safira de cristal único de alta pureza, concebidos para posicionamento de alta precisão, resistência a altas temperaturas,e aplicações de desgaste intensoA ZMSH fornece serviços de personalização de parâmetros completos (incluindo diâmetro, comprimento, rugosidade da superfície e otimização da orientação cristalográfica),apoiar a entrega rápida de pequenos lotes para satisfazer as exigências de desempenho extremas dos semicondutores, médicos, aeroespaciais e industriais.
Características essenciais
1. Alta resistência mecânica: com uma resistência à compressão superior a 300 000 psi, estes pinos suportam cargas de elevação de alta frequência (por exemplo,Sistemas de manipulação de wafers de 12 polegadas na fabricação de semicondutores).
Estabilidade em altas temperaturas: operação contínua a 1.500°C e tolerância a exposições de curta duração até 2.050°C (ideal para solda a laser ou posicionamento de câmara de combustão).
3Baixo coeficiente de atrito: os coeficientes de atrito pós-poluição < 0,15 minimizam a perda de energia durante o movimento de precisão (por exemplo, ajustes de estágio de litografia).
4. Inertitude química: Resistente a ácidos fortes, álcalis e solventes orgânicos, adequado para salas limpas e ambientes de gravação de semicondutores.
Parâmetros técnicos
| Composição química |
Al2O3 monocristalino |
| Dureza |
9Mohs |
| Natureza óptica |
Uniaxial |
| Índice de refração |
1.762-1.770 |
| Birefringence |
0.008-0.010 |
| Dispersão |
Baixo, 0.018 |
| Lustre |
Cobre |
| Pleocroísmo |
Moderado a Forte |
| Diâmetro |
0.4 mm-30 mm |
| Tolerância de diâmetro |
0.004mm-0.05mm |
| comprimento |
2 mm-150 mm |
| Tolerância de comprimento |
00,03 mm-0,25 mm |
| Qualidade da superfície |
40/20 |
| Superfície redonda |
RZ0.05 |
| Forma personalizada |
ambas as extremidades planas, um raio de uma extremidade, ambos os raios de duas extremidades,
de peso superior a 200 g/m2 |
Aplicações primárias
(1) Fabricação de semicondutores- Não.
- Não.· Sistemas de manipulação de wafer : Obtenção de precisão de posicionamento de ± 1 μm em fábricas de wafer de 12 polegadas, com duração de 200 ciclos/hora.
- Não.· Fotolitografia Calibração de estágio : Compensar a expansão térmica da wafer de silício (coeficiente de expansão térmica: 5,3×10−7/°C) através de ajustes em escala nanométrica.
- Não.(2) Dispositivos médicos - Não.
- Não.· Cateteres robóticos cirúrgicos : Tubos de parede ultrafinha (< 50 μm) permitem intervenções vasculares minimamente invasivas sem danos aos tecidos.
- Não.· Calibração do equipamento de radioterapia : Ajustar os pontos focais de radiação com uma precisão de ± 0,01 mm nos sistemas de terapia de prótons.
- Não.(3) Aeronáutica e Defesa- Não.
- Não.· Controle do Vector do Foguete.: Utilizado em mecanismos de regulação de posição, resistente a ciclos térmicos de -196°C a 1.200°C.
· Sistemas ópticos por satélite : Proteger as cargas externas durante as missões no espaço profundo, mantendo a funcionalidade sob vácuo e radiação.
- Não.(4) Indústria e Investigação- Não.
- Não.· Etapas da Microscopia Eletrônica Ativar o posicionamento ±5 nm em ambientes de vácuo de 10−10 mbar.
· Reatores de Fusão Nuclear: Resistir à irradiação de nêutrons (> 1015 n/cm2) e à erosão do plasma durante > 100 000 ciclos.
Perguntas frequentes
- Não.
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