| Nome da marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Através do vidro (TGV) |
| preço: | by case |
| Condições de pagamento: | T/T |
As bolhas de safira TGV com micro-vias perfuradas a laser combinam as propriedades superiores do safira (dureza de Mohs 9, ponto de fusão 2040 °C) com a tecnologia de interconexão de precisão.Disponível em diâmetros de 2 a 6" (expansível para 8"), estas wafers apresentam vias de 10-500μm (ratios de aspecto de 20:1) com ângulos de coníferos de <2° e acabamento de superfície de Ra<0,5μm, suportando densidades de vias de 10-10.000/cm2.e aplicações MEMS, oferecem um processamento por lotes de 50 wafers/run, cumprindo as normas SEMI M78, com metalização opcional (Cu/Ni/Au) para melhorar a funcionalidade.
O processo avançado de perfuração a laser atinge 200-5000 furos/seg, mantendo a inércia química do safiro.permitindo canais microfluídicos fiáveis e embalagens optoeletrônicas herméticasAs soluções personalizadas incluem micro-vias de < 5 μm e tratamentos de superfície especializados para exigir requisitos de desempenho térmico/elétrico em aplicações de alta frequência e alta potência.
| Especificações | Valor |
| Espessura do vidro | < 1,1 mm |
| Tamanhos de wafer | Todos os modelos padrão até 200 mm |
| Diâmetro mínimo do microburaco | 10 μm |
| Diâmetro do buraco idêntico | 99% |
| Precisão posicional | ± 3 μm |
| Fragmentação | Nenhum |
| Paredes laterais super suaves | RA < 0,08 μm |
| Tipos de buracos | Através da Via (Círculo Verdadeiro ou Ellipse), Via Cega (Círculo Verdadeiro ou Ellipse) |
| Forma do buraco | Relógio de areia |
| Opção | Singulamento a partir de vidro de grande dimensão processado por furos |
-Alta resistência mecânica:Dureza de Mohs de 9, resistente a arranhões e à corrosão.
-Estabilidade térmica superior:Resiste a temperaturas extremas (> 2000°C) e apresenta baixa expansão térmica.
-Perfuradores de precisão:A fotolitografia/laser permite aberturas em escala de micrômetros com altas proporções de aspecto.
-Performance óptica:Transparência de banda larga (80%+ @400-5000nm) dos comprimentos de onda UV a IR.
-Propriedades dielétricas:Excelente isolamento (resistividade > 1014 Ω·cm).
-Embalagem de semicondutores:Substrato de integração heterogênea para IC 3D e sensores MEMS (por exemplo, sensores de pressão/inercia).
-Dispositivos optoeletrônicos:Interposto transparente para micro-LEDs e lasers de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSEL).
-Componentes de RF:Embalagem de antena 5G/mmWave (baixa perda dielétrica).
-Biochips:Capa transparente quimicamente inerte para chips microfluídicos.
-Sensores de ambiente extremo:Aeronáutica e sensor de poços profundos.
Nossas óleos TGV avançadas são projetadas para permitir a metalização de microvias de alto desempenho, garantindo condutividade ótima e integridade estrutural para aplicações de ponta.
Somos especializados na fabricação de wafers TGV com dimensões sob medida e projetos de microvia, adaptados para se integrar perfeitamente com os seus processos de metalização preferidos, seja revestimento sem eletro,pulverização, ou galvanização.
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As nossas placas de vidro TGV são fabricadas com precisão para proporcionar uma qualidade de superfície excepcional, permitindo a integração direta no seu fluxo de trabalho de produção com um mínimo de pós-processamento.As matrizes de microvia de alta densidade são distribuídas uniformemente para atender aos padrões rigorosos da indústria.
Do conceito à comercialização, fornecemos serviços ágeis de prototipagem e produção em grande volume para suportar as suas necessidades de design únicas.As nossas capacidades de fabrico flexíveis garantem uma resposta rápida sem comprometer a precisão ou a fiabilidade.
1Q: Quais são as vantagens das placas TGV de safira em relação aos substratos de vidro tradicionais?
R: As placas TGV de safira oferecem uma resistência mecânica superior, uma resistência a temperaturas mais elevadas (> 2000°C) e uma melhor estabilidade química em comparação com os substratos de vidro padrão.
2Q: Para que aplicações são mais adequadas as bolinhas TGV de safira?
R: São ideais para embalagens avançadas de semicondutores, dispositivos LED de alta potência e componentes de RF que exigem extrema durabilidade e microstruturas de precisão.
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