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2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Germânio Substratos Wafers semicondutores Custom CZ <100><110><111>

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Número do modelo: Substratos de germânio

Termos de pagamento e envio

Tempo de entrega: 2-4 semanas

Termos de pagamento: T/T

Obtenha o melhor preço
Destacar:

Substratos de germânio semicondutores

,

Dimensões sob medida Substratos de germânio

,

Formas sob medida Substratos de germânio

Materiais::
Único cristal do Ge
Diâmetro::
0.5~150mm
Espessura::
0.5 mm
Tipo::
Tipo N/ Tipo P/ Não dopado
Superfície::
Polido/corrido
Resistividade::
0.1 ~ 60 ohm.cm
Indústria::
carcaças do semicondutor, dispositivo, ótico
Materiais::
Único cristal do Ge
Diâmetro::
0.5~150mm
Espessura::
0.5 mm
Tipo::
Tipo N/ Tipo P/ Não dopado
Superfície::
Polido/corrido
Resistividade::
0.1 ~ 60 ohm.cm
Indústria::
carcaças do semicondutor, dispositivo, ótico
2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Germânio Substratos Wafers semicondutores Custom CZ <100><110><111>

Descrição do produto

2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Germânio Substratos Wafers semicondutores Custom CZ <100><110><111>

O germânio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (por exemplo, ínio, gálio, boro) para obter semicondutores de germânio de tipo P.e elementos pentavalentes (e.g., antimônio, arsénio e fósforo) dopados para obter semicondutores de germânio de tipo N. Eles têm alta mobilidade de elétrons e alta mobilidade de buracos.Os substratos de germânio de alta qualidade podem ser utilizados em energia fotovoltaica concentrada (CPV), painéis solares no espaço e aplicações de diodos emissores de luz (LED) de alto brilho.

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Características

- A constante de rede é maior do que a do silício, o que favorece a construção de heterostruturas.

- A elevada mobilidade dos elétrons, cerca de 3 vezes superior à do silício, é favorável à fabricação de dispositivos electrónicos de alta velocidade.

- A pequena largura de banda (0,67 eV) torna-o adequado para aplicações de detecção fotoelétrica e emissões infravermelhas.

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É mais sensível à radiação e é adequado para equipamentos eletrónicos sensíveis à radiação.

A tecnologia de processamento é relativamente complexa e o custo é elevado.


Parâmetros técnicos

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Aplicações

1- Eletrónica analógica e RF de alta frequência: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; Equipamento electrónico na banda de frequências de microondas, como radar e comunicações.

2Detecção e emissão fotoeléctrica por infravermelho: detector infravermelho, aparelho de imagem térmica; diodos emissores de infravermelho, diodos laser.

3Equipamento electrónico sensível à radiação: Heterostrutura de semicondutores compostos: Sistema de aviónica aeroespacial; Centrais nucleares e equipamento electrónico no domínio militar.

4Heterostrutura de semicondutores compostos: materiais de substrato para compostos III-V, tais como GaAs, InP, etc.; células solares de estrutura heterogénea, diodos laser, etc.

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Os nossos serviços

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.


Perguntas frequentes

1. P: Como pagar?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pagamento seguro e comércio
Garantia no e etc..

2.P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações para os seus componentes ópticos
com base nas suas necessidades.

3.Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 3pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.

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