4H-SEMI Substrato de carburo de silício SiC 2 polegadas espessura 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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Cerca de 4H-SEMI SiC

• usar SIC Monocrystal para fazer

• Apoiar os personalizados com obras de arte de design

• de alta qualidade, adequado para aplicações de alto desempenho

• alta dureza, cerca de 9,2 Mohs

• amplamente utilizado em áreas de alta tecnologia, como eletrônica de potência, eletrônica automotiva e dispositivos RF

- Não.

Descrição do 4H-SEMI SiC

O carburo de silício (SiC) é um semicondutor versátil conhecido por seu desempenho em aplicações de alta potência e alta frequência.

Sua ampla faixa de banda permite uma operação eficiente em altas tensões e temperaturas, tornando-a adequada para eletrônicos de potência, dispositivos de RF e ambientes adversos.

O SiC é parte integrante de indústrias como automotiva e energia devido à sua confiabilidade e eficiência.

Métodos de fabricação avançados, como a deposição química de vapor (CVD) e o transporte físico de vapor (PVT), garantem componentes de alta qualidade e duráveis.

As propriedades únicas do SiC também o tornam ideal para optoeletrônica de comprimento de onda curto, ambientes de alta temperatura, resistência à radiação e sistemas eletrônicos exigentes.

A ZMSH oferece uma gama de wafers de SiC, incluindo os tipos 6H e 4H, independentemente do tipo N, do tipo SEMI ou do tipo HPSI, garantindo um suprimento estável e de alta qualidade,e custo-eficácia através de processos de produção em larga escala.

Características do4H-SEMI SiC

Mais amostras de 4H-SEMI SiC

* Por favor, sinta-se à vontade para nos contactar se tiverem exigências personalizadas.

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Perguntas frequentes

1Q.:Como é que a 4H-SiC Semi garante a qualidade das suas wafers?

R: O 4H-SiC Semi utiliza técnicas de fabrico avançadas, incluindo a deposição química de vapor (CVD) e o transporte físico de vapor (PVT),e segue rigorosos processos de controlo de qualidade para garantir que as placas sejam de elevada qualidade.

2. P: Qual é a principal diferença entre 4H-N SiC e 4H-SEMI SiC

R: A principal diferença entre o 4H-N SiC e o 4H-SEMI SiC é que o 4H-N SiC (dopado com nitrogênio) é um carburo de silício semicondutor de tipo n, enquanto o 4H-Semi SiC é um carburo de silício semi-isolante,que tenha sido tratado para ter uma resistência muito elevada.