Nome da marca: | ZMSH |
Número do modelo: | 4H-Semi SIC |
MOQ: | 25pcs |
preço: | Negociável |
Tempo de entrega: | em 30 dias |
Condições de pagamento: | T/T |
Descrição:
SiC 4H semi-isolante (semi-isolante 4H-SIC) é um tipo especial de material de carbeto de silício. Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H possui propriedades semicondutoras, enquanto o carbeto de silício semicondutor 4H semi-isolado possui características de maior resistência, exibindo propriedades semelhantes às dos isolantes. Semi-isolado carbeto de silício semicondutor 4H tem aplicações importantes na fabricação de dispositivos semicondutores, especialmente em aplicações de alta potência e alta temperatura. Devido às suas propriedades de maior resistência, silício semi-isolado carbeto pode ser usado como resistor, camada de isolamento ou substratos para ajudar a reduzir a interconexão de corrente e a interferência entre os dispositivos."4H" indica a estrutura cristalina do carbeto de silício. 4H-carbeto de silício é uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.
Características:
Características |
Descrições |
Propriedade de alta temperatura |
O carbeto de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura. |
Resistência a alta pressão |
O carbeto de silício semicondutor 4H possui alta resistência à tensão de ruptura do campo elétrico e resistência à tensão. Isso o torna adequado para aplicações de alta tensão, como eletrônica de potência. |
Resposta de alta frequência |
O carbeto de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade de elétrons e características de baixa capacitância, permitindo comutação de alta velocidade e conversão de energia com baixa perda. |
Baixa perda de ligar-desligar |
O 4H-semi SIC possui baixa perda de ligar-desligar, ou seja, menos perda de energia no estado condutivo, reduzindo a perda de calor na conversão de energia. |
Alta resistência à radiação |
O 4H-semi SIC possui alta resistência à radiação e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiação. |
Boa condutividade térmica |
O 4H-semi SIC possui boa condutividade térmica e pode transferir e dispersar o calor de forma eficaz. |
Alta resistência química |
O 4H-semi SIC possui alta resistência à corrosão química e oxidação para manter um desempenho estável em ambientes agressivos. |
Parâmetros Técnicos:
|
Produção |
Pesquisa |
Dummy |
Tipo |
4H |
4H |
4H |
Resistividade (ohm·cm) |
≥1E9 |
100% da área>1E5 |
70% da área>1E5 |
Diâmetro |
150± 0,2 mm |
150± 0,2 mm |
150± 0,2 mm |
Espessura |
500±25μm |
500±25μm |
500±25μm |
Eixo |
<0001> |
<0001> |
<0001> |
TTV |
≤5μm |
≤10μm |
≤20μm |
LTV (5mm*5mm) |
≤3μm |
≤5μm |
≤10μm |
Curvatura |
-25μm~25μm |
-35μm~35μm |
-45μm~45μm |
Empeno |
≤35μm |
≤45μm |
≤55μm |
Ra (5um*5um) |
Ra≤0.2nm |
Ra≤0.2nm |
Ra≤0.2nm |
Densidade de microporos |
≤1ea/cm2 |
≤10ea/cm2 |
≤15ea/cm2 |
1. O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado em dispositivos eletrônicos de potência.
2. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos optoeletrônicos.
3. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado como dispositivos amplificadores de potência de alta frequência.
4. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar células solares eficientes.
5. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos LED (diodo emissor de luz).
6. O 4H-semi SIC de alta pureza tem aplicações importantes em dispositivos eletrônicos de alta temperatura.
7. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar vários tipos de sensores
FAQ:
P: Qual é a Certificação do HPSI 4h-semi SIC?
R: A Certificação do HPSI 4h-semi SIC é ROHS.
P: Qual é o Nome da Marca do HPSI 4h-semi SIC?
R: O Nome da Marca do HPSI 4h-semi SICé ZMSH.
P: Onde é o Local de Origem do HPSI 4h-semi SIC?
R: O Local de Origem do HPSI 4h-semi SIC é CHINA.
P: Qual é o MOQ do HPSI 4h-semi SIC de uma só vez?
R: O MOQ do HPSI 4h-semi SIC é 25 peças de uma só vez.
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