Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: ROHS
Número do modelo: 4H-Semi SIC
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 25pcs
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: caixa personalizada
Tempo de entrega: em 30 dias
Termos de pagamento: T/T
material: |
HPSI 4h-Semi SIC |
Grau: |
D |
Diâmetro: |
150 ± 0,2 mm |
Espessura: |
500 ± 25 μm |
LTV: |
≤ 10 μm ((5 mm*5 mm) |
TTV: |
≤ 20 μm |
curva: |
-45 μm~45 μm |
urdidura: |
≤ 55 μm |
Resistividade: |
70% de área > 1 E5ohm·cm |
material: |
HPSI 4h-Semi SIC |
Grau: |
D |
Diâmetro: |
150 ± 0,2 mm |
Espessura: |
500 ± 25 μm |
LTV: |
≤ 10 μm ((5 mm*5 mm) |
TTV: |
≤ 20 μm |
curva: |
-45 μm~45 μm |
urdidura: |
≤ 55 μm |
Resistividade: |
70% de área > 1 E5ohm·cm |
Descrição:
4H-SiC semisolador4H-SIC) é um material especial de carburo de silício.Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H tem propriedades semicondutoras, enquanto o carburo de silício semicondutor semicondutor 4H semi-isolado tem características de resistência mais elevadas,que apresentem propriedades semelhantes às dos isoladores.De peso superior a 200 g/m2Carburo de silício semicondutor 4Htem aplicações importantes nasemicondutoresFabricação de dispositivos, especialmente em aplicações de alta potência e de alta temperatura.Silicio semi-isolado carburopode ser utilizado como resistor, camada de isolamento, ousubstratosPara ajudar a reduzir a interligação de corrente e as interferências entre dispositivos.4Hindica a estrutura cristalina docarburo de silício.4H-carbono de silícioé uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.
Características:
|
Características |
Descrições |
|
Propriedade de alta temperatura |
O carburo de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura. |
|
Resistência à alta pressão |
O carburo de silício semicondutor 4H possui alta resistência ao campo elétrico de degradação e resistência à tensão, o que o torna adequado para aplicações de alta tensão, como eletrônica de potência. |
|
Resposta de alta requerencia |
O carburo de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade eletrônica e características de baixa capacitância, permitindo comutação de alta velocidade e conversão de potência com baixa perda. |
|
Perda baixa de arranque |
O SIC 4H-semi tem uma baixa perda de ligação-desligação, ou seja, menos perda de energia no estado condutor, reduzindo a perda de calor na conversão de energia. |
|
Alta resistência à radiação |
O SIC 4H-semi tem uma alta resistência à radiação e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiação. |
|
Boa condutividade térmica |
O SIC de 4H-semi tem boa condutividade térmica e pode efetivamente transferir e dispersar calor. |
|
Alta resistência química |
O SIC 4H-semi possui alta resistência à corrosão química e oxidação para manter um desempenho estável em ambientes adversos. |
Parâmetros técnicos:
|
|
Produção |
Investigação |
Tonto. |
|
Tipo |
4H |
4H |
4H |
|
Resistividade ((ohm·cm) |
≥ 1E9 |
100% de área>1E5 |
70% da área> 1E5 |
|
Diâmetro |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
|
Espessura |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
|
Eixo |
<0001> |
<0001> |
<0001> |
|
TTV |
≤ 5 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
|
LTV ((5 mm*5 mm) |
≤ 3 μm |
≤ 5 μm |
≤ 10 μm |
|
Incline-se. |
-25 μm~25 μm |
- 35 μm ~ 35 μm |
-45 μm~45 μm |
|
Warp. |
≤ 35 μm |
≤ 45 μm |
≤ 55 μm |
|
Ra ((5um*5um) |
Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,2 nm |
|
Densidade dos microtubos |
≤ 1ea/cm2 |
≤ 10ea/cm2 |
≤ 15ea/cm2 |
1O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser utilizado em dispositivos electrónicos de potência.
2O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos optoeletrônicos.
3O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado como dispositivo de amplificador de potência de alta frequência.
4O SIC de alta pureza 4H-semi pode ser usado para fabricar células solares eficientes.
5O SIC 4H-semi de alta pureza pode ser utilizado para fabricar dispositivos LED (diodos emissores de luz).
6O SIC 4H-semi de alta pureza tem aplicações importantes em dispositivos eletrônicos de alta temperatura.
7. alta pureza 4H-semi SIC pode ser usado pode ser usado para fabricar vários tipos de sensores
Perguntas frequentes:
Q: O que é a certificação deHPSI 4h-semi SIC?
A: A certificação deHPSI 4h-semi SICé ROHS.
P: Qual é a marca deHPSI 4h-semi SIC?
A: O nome da marcaHPSI 4h-semi SICé ZMSH.
P: Onde é o local de origem deHPSI 4h-semi SIC?
A: O local de origemHPSI 4h-semi SICé a CHINA.
Q: Qual é o MOQ deHPSI 4h-semi SIC por vez?
A: O MOQ deHPSI 4h-semi SICSão 25 peças de cada vez.
