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Sic carcaça
Created with Pixso. Bolachas de semicondutor de grau manequim SIC 4H-Semi de carbeto de silício de alta pureza de 6" LED 5G Óculos AR Grau Óptico

Bolachas de semicondutor de grau manequim SIC 4H-Semi de carbeto de silício de alta pureza de 6" LED 5G Óculos AR Grau Óptico

Nome da marca: ZMSH
Número do modelo: 4H-Semi SIC
MOQ: 25pcs
preço: Negociável
Tempo de entrega: em 30 dias
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
ROHS
Material:
HPSI 4h-Semi SIC
Nota:
D
Diâmetro:
150 ± 0,2 mm
Grossura:
500 ± 25 μm
LTV:
≤ 10 μm ((5 mm*5 mm)
TTV:
≤ 20 μm
Arco:
-45 μm~45 μm
Urdidura:
≤ 55 μm
Resistividade:
70% de área > 1 E5ohm·cm
Detalhes da embalagem:
caixa personalizada
Destacar:

Wafers de semicondutores de qualidade fictícia

,

Substrato de silício 4H-Semi SIC

,

Wafers de semicondutores LED

Descrição do produto

6" Pastilhas de Carbeto de Silício de Alta Pureza 4H-Semi SIC, Grau Dummy, Semicondutores, LED, 5G, Óculos AR, Grau Óptico

 

 

Descrição:

 

     SiC 4H semi-isolante (semi-isolante 4H-SIC) é um tipo especial de material de carbeto de silício. Na estrutura cristalina, o SIC semicondutor 4H possui propriedades semicondutoras, enquanto o carbeto de silício semicondutor 4H semi-isolado possui características de maior resistência, exibindo propriedades semelhantes às dos isolantes. Semi-isolado carbeto de silício semicondutor 4H tem aplicações importantes na fabricação de dispositivos semicondutores, especialmente em aplicações de alta potência e alta temperatura. Devido às suas propriedades de maior resistência, silício semi-isolado carbeto pode ser usado como resistor, camada de isolamento ou substratos para ajudar a reduzir a interconexão de corrente e a interferência entre os dispositivos."4H" indica a estrutura cristalina do carbeto de silício. 4H-carbeto de silício é uma forma de estrutura cristalina na qual os átomos de silício e carbono formam uma estrutura cristalina estável.

 

 

Características:

 

 

Características

Descrições

Propriedade de alta temperatura

O carbeto de silício semicondutor 4H possui excelentes características de alta temperatura e pode funcionar em ambientes de alta temperatura.

Resistência a alta pressão

O carbeto de silício semicondutor 4H possui alta resistência à tensão de ruptura do campo elétrico e resistência à tensão. Isso o torna adequado para aplicações de alta tensão, como eletrônica de potência.

Resposta de alta frequência

O carbeto de silício semicondutor 4H possui alta mobilidade de elétrons e características de baixa capacitância, permitindo comutação de alta velocidade e conversão de energia com baixa perda.

Baixa perda de ligar-desligar

O 4H-semi SIC possui baixa perda de ligar-desligar, ou seja, menos perda de energia no estado condutivo, reduzindo a perda de calor na conversão de energia.

Alta resistência à radiação

O 4H-semi SIC possui alta resistência à radiação e pode manter um desempenho estável em ambientes de alta radiação.

Boa condutividade térmica

O 4H-semi SIC possui boa condutividade térmica e pode transferir e dispersar o calor de forma eficaz.

Alta resistência química

O 4H-semi SIC possui alta resistência à corrosão química e oxidação para manter um desempenho estável em ambientes agressivos.

 

 

 

Parâmetros Técnicos:

 

 

Produção

Pesquisa

Dummy

Tipo

4H

4H

4H

Resistividade (ohm·cm)

≥1E9

100% da área>1E5

70% da área>1E5

Diâmetro

150± 0,2 mm

150± 0,2 mm

150± 0,2 mm

Espessura

500±25μm

500±25μm

500±25μm

Eixo

<0001>

<0001>

<0001>

TTV

≤5μm

≤10μm

≤20μm

LTV (5mm*5mm)

≤3μm

≤5μm

≤10μm

Curvatura

-25μm~25μm

-35μm~35μm

-45μm~45μm

Empeno

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Ra (5um*5um)

Ra≤0.2nm

Ra≤0.2nm

Ra≤0.2nm

Densidade de microporos

≤1ea/cm2

≤10ea/cm2

≤15ea/cm2

 

 

 

 

Aplicações:


1. O substrato 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado em dispositivos eletrônicos de potência.


2. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos optoeletrônicos.


3. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado como dispositivos amplificadores de potência de alta frequência.

 

4. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar células solares eficientes.


5. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar dispositivos LED (diodo emissor de luz).


6. O 4H-semi SIC de alta pureza tem aplicações importantes em dispositivos eletrônicos de alta temperatura.


7. O 4H-semi SIC de alta pureza pode ser usado para fabricar vários tipos de sensores

 

 

Bolachas de semicondutor de grau manequim SIC 4H-Semi de carbeto de silício de alta pureza de 6" LED 5G Óculos AR Grau Óptico 0

 

 

 

 

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FAQ:

 

P: Qual é a Certificação do HPSI 4h-semi SIC?

R: A Certificação do HPSI 4h-semi SIC é ROHS.

 

P: Qual é o Nome da Marca do HPSI 4h-semi SIC?

R: O Nome da Marca do HPSI 4h-semi SICé ZMSH.

 

P: Onde é o Local de Origem do HPSI 4h-semi SIC?

R: O Local de Origem do HPSI 4h-semi SIC é CHINA.

 

P: Qual é o MOQ do HPSI 4h-semi SIC de uma só vez?

R: O MOQ do HPSI 4h-semi SIC é 25 peças de uma só vez.

 

 

 

Tags: #6", #Alta Pureza, #Carbeto de Silício, #4H-Semi, #SIC, #Grau Dummy, #Pastilhas de Semicondutores, #LED, #5G, #Óculos AR, #Grau Óptico