lado dobro das carcaças do arsenieto de gálio das bolachas do GaAs do entorpecente do si 2Inch lustrado para a aplicação do diodo emissor de luz
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Bolacha do GaAs
O arsenieto de gálio é um composto composto do gálio metálico e do arsênico semi-metálico na relação atômica 1: 1. Tem um brilho metálico cinzento e sua estrutura de cristal é tipo do sphalerite. O arsenieto de gálio tinha sido sintetizado 1926. Suas propriedades do semicondutor foram confirmadas em 1952. Os dispositivos fizeram de materiais do arsenieto de gálio têm a boa resposta de frequência, a alta velocidade e a alta temperatura do funcionamento, que podem encontrar as necessidades de ótica eletrónica integrada. É atualmente o material optoelectronic o mais importante, mas igualmente o material microeletrónico o mais importante após o material do silicone, é apropriado para a fabricação de dispositivos e de circuitos de alta frequência, de alta velocidade.
Aplicação
No campo da microeletrônica, os circuitos digitais de alta velocidade de arsenieto de gálio, os circuitos monolíticos da micro-ondas, os circuitos integrados fotoelétricos, e os transistor de efeito de campo de alta potência desenvolvidos pela tecnologia plana dealocamento direta da implantação de íon no arsenieto de gálio semi-isolado como a matriz têm as características da velocidade rápida, da alta frequência, do consumo da baixa potência e da resistência de radiação, que não são únicas da grande importância na defesa nacional. É mais amplamente utilizada na construção econômica civil e nacional. No campo das comunicações, os materiais semi-isolados do arsenieto de gálio são usados principalmente nos dispositivos de comunicação de alta frequência, conduzidos pelo mercado sem fio civil de uma comunicação nos últimos anos, especialmente o mercado do telefone celular, o tamanho do mercado de materiais semi-isolados do arsenieto de gálio igualmente estão crescendo rapidamente.
Detalhe da especificação
| Tipo/导电类型/掺杂元素 do entorpecente |
Semi-isolado |
P-Type/Zn |
N-Type/Si |
N-Type/Si |
| 应用 da aplicação |
Micro Eletronic |
Diodo emissor de luz |
Diodo láser |
| 长晶方式 do método do crescimento |
VGF |
| 直径 do diâmetro |
2", 3", 4", 6" |
| 晶向 da orientação |
(100) ±0.5° |
| 厚度 da espessura (µm) |
350-625um±25um |
| 参考边 de OF/IF |
E.U. EJ ou entalhe |
| 载流子浓度 da concentração de portador |
- |
(0.5-5) *1019 |
(0.4-4) *1018 |
(0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 da resistividade (ohm-cm) |
>107 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 da mobilidade (cm2/V.S.) |
>4000 |
50-120 |
>1000 |
>1500 |
| 位错密度 da densidade do passo gravura em àgua forte (/cm2) |
<5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 de TTV [P/P] (µm) |
<5> |
| 平整度 de TTV [P/E] (µm) |
<10> |
| 翘曲度 da urdidura (µm) |
<10> |
| 表面加工 terminado de superfície |
P/P, P/E, E/E |
SOBRE NOSSO ZMKJ
ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada
na cidade de Wuxi em 2014. Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, carcaças
e custiomized parts.components de vidro ótico amplamente utilizado na eletrônica, sistema ótico,
ótica eletrónica e muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos
e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos personalizados
e serviços para seus projetos do R&D.
É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes pelo nosso
bons reputatiaons. assim nós igualmente podemos fornecer algumas outras carcaças dos materiais como o gosto:
Empacotamento – Logistcs
Os interesses de Worldhawk detalham cada do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
FAQ –
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(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e pela CORRENTE DE RELÓGIO
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Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
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