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| Lugar de origem | CHINA |
| Marca | zmsh |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | Bolacha de 6INCH GaAs |
estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm
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O cristal de estado estacionário do óxido do gálio tem uma estrutura do monoclinal com dois planos da segmentação (100) e (001). Tanto quanto o processo do crescimento, o processo do crescimento (dos 100) cristais cristalinos do óxido do gálio da fase é mais fácil de crescer, quando o processo do crescimento (dos 001) cristais exigir extremamente altamente controle de processos. Sob as mesmas circunstâncias de processamento, a qualidade de superfície e o rendimento (das 001) superfícies são melhores, e (as 100) superfícies facilmente são fendidas e quebradas, fazendo a difícil conseguir o processamento eficiente e alto da qualidade de superfície. Do lado da aplicação, (os 001) óxidos de cristal principal do gálio da fase são mais apropriados para o uso de dispositivos de semicondutor do poder, assim que é difícil controlar o crescimento (dos 001) cristais de cristal principal do óxido do gálio da fase, mas tem o grande valor industrial, ou não tem o processo do crescimento de grande óxidos de cristal do gálio da fase do cano principal do tamanho (001), lado da aplicação do mercado do óxido do gálio será extremamente difícil promover o processo.
Antes de introduzir o óxido do gálio (Ga2O3), deixe-me introduzir um outro termo: materiais largos do semicondutor da diferença de faixa.
A largura de diferença da faixa é um parâmetro característico importante do semicondutor. De acordo com a estrutura de faixa diferente de materiais do semicondutor, os materiais do semicondutor podem ser divididos em dois tipos: diferença de faixa larga e diferença de faixa estreita. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é menos do que 2.3eV, está chamado um semicondutor de faixa estreita da diferença. Se a largura de diferença da faixa do material do semicondutor é superior ou igual a 2.3eV, está chamado um semicondutor da diferença da largo-faixa. Maior a largura do bandgap de um material do semicondutor, do maior a energia exigida para seus elétrons à transição à faixa de condução, e assim do mais alta a temperatura e a tensão que o material pode suportar, isto é, menos fácil é transformar-se um condutor.
Os materiais largos do semicondutor da diferença de faixa são muito apropriados para a produção de resistência de radiação, alta frequência, poder superior e os dispositivos eletrónicos integrados alto densidade, que têm a boa resistência de radiação e estabilidade química, velocidade saturada alta da tração do elétron e condutibilidade térmica, propriedades elétricas excelentes e outras características. Nos últimos anos, os materiais largos rapidamente tornando-se do semicondutor da diferença de faixa têm perspectivas largas da aplicação na iluminação do semicondutor, em uma nova geração de uma comunicação móvel, na grade esperta, no trânsito do trilho de alta velocidade, em veículos novos da energia, em produtos eletrónicos de consumo e em outros campos, e são esperados transformar-se os materiais novos chaves que apoiam o desenvolvimento da informação, da energia, do transporte, da defesa nacional e das outras indústrias. A investigação e desenvolvimento da tecnologia relacionada de materiais do semicondutor de largo-Gap está transformando-se umas montanhas estratégicas novas na indústria global do semicondutor.
| Orientação | 100 | 100 | 100 |
| Lubrificação | UID | Magnésio | Fe |
| parâmetro elétrico |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
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≥1010Ω·cm
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arcsec |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| densidade de deslocação | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 | cm2 <1×105 |
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